公开(公告)号：CN116562210A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310425415.2

申请日：2023-04-19

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 尉哲元 ,  杨旭 ,  高清源 ,  徐宇航 ,  陈文洁 ,  吴佳芮 ,  周永兴 ,  王康平 ,  王来利 ,  张帆 ,  董宿宸 ,  秦梦洁 ,  肖尧

IPC: G06F30/367 ,  G06F115/12

Abstract: 本发明公开了一种用于电力电子磁性元件铜损的解析计算方法及系统，方法包括：获取磁元件的参数；据所述磁元件的参数分别计算集肤电阻、临近电阻和边缘电阻；计算磁性元件总铜损电阻，总铜损电阻是集肤电阻、临近电阻和边缘电阻之和。总铜损电阻是集肤电阻、临近电阻和边缘电阻之和，各部分电阻独立计算。其中，边缘电阻表示为无穷级数，采用部分和的方式在实际应用中近似计算。该方法适用于电力电子磁件的PCB或铜箔绕组铜损的解析计算，该方法具有计算速度快，计算准确性高，适用范围广的特点。