公开(公告)号：CN106501555A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201611091240.2

申请日：2016-12-01

申请人： 西安交通大学

发明人： 成永红 ,  董承业 ,  门闯 ,  孟国栋 ,  王科镜 ,  高新宇

IPC分类号： G01Q60/60

CPC分类号： G01Q60/60

摘要： 本发明公开了一种超低粗糙度钨探针的制备装置及方法，包括减震平台，减震平台上连接有L型固定支架，L型固定支架上连接有用于带动钨丝运动的运动控制系统，减震平台上还设置有装有腐蚀溶液的容器，且装有腐蚀溶液的容器位于钨丝的正下方，装有腐蚀溶液的容器中设置铜环对电极，装有腐蚀溶液的容器中还设有用于将铜环对电极和钨丝隔离的对电极隔离系统，且铜环对电极和钨丝分别连接至数控直流电源的负极和正极。本发明基于动态电化学腐蚀原理，在有效控制针尖轮廓和长-径比的前提下，制备出超低粗糙度纳尺度钨探针。