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公开(公告)号:CN116413562A
公开(公告)日:2023-07-11
申请号:CN202310474752.0
申请日:2023-04-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明公开了一种高压碳化硅功率模块内部局部放电定位系统及方法,包括高压碳化硅功率模块、超声传感系统、信号采集处理系统、高频电流传感系统和上位机;超声传感系统包括超声传感器组和基板,超声传感器组包括3个超声传感器;信号采集处理系统包括第一信号调理电路、第二信号调理电路、FPGA采集板卡、DSP信号处理板卡;本发明使用超声波定位,有效地避免了受到高压碳化硅功率模块所产生的电磁干扰的影响,同时结合算法,可以有效地提升精度,进而实现对放电缺陷进行高精度近场定位,体积小巧,有助于高压碳化硅功率模块的封装绝缘设计,可以应用在高压领域。
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公开(公告)号:CN116298721A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310147324.7
申请日:2023-02-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明公开了一种高压碳化硅功率模块内部局部放电检测系统及方法,包括宽带光源、光纤隔离器、光纤环形器、单模3×3光纤耦合器、延迟光纤、第一单模1×2光纤耦合器、光纤传感器、第二单模1×2光纤耦合器、光功率计、第一单模光纤、第二单模光纤、第三单模光纤、第四单模光纤、第五单模光纤、第六单模光纤、光纤转接器、光纤转接器、平衡光电探测器、模拟低通滤波器、数据采集卡和上位机。本发明可以针对不同频段的局部放电信号调节光纤传感器本身的尺寸,以获得符合需求的检测信噪比;同时本发明不会受到电磁干扰的影响,可以应用在高压领域。
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