利用光伏组件反向饱和电流和漏电流密度检测PID方法

    公开(公告)号:CN111900930B

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN202010587943.4

    申请日:2020-06-24

    发明人: 王鹤 程晓莉 杨宏

    IPC分类号: H02S50/10

    摘要: 利用光伏组件反向饱和电流和漏电流密度检测PID方法,1)将太阳电池组件与第一电源相连,加电压数小时后,分别进行反向饱和电流密度和漏电流密度测试;2)测试完成后,再将太阳电池组件与第四电源相连,加电压数小时后,分别进行反向饱和电流密度和漏电流密度测试;若步骤1)太阳电池组件的反向饱和电流密度和漏电流密度随着第一电源的加压时间增加而增加,并且步骤2)中太阳电池组件的反向饱和电流密度和漏电流密度随着第四电源的加压时间增加而减小,则发生了PID现象。本发明可准确地确定该组件是否发生了PID效应,不仅可对已建光伏电站做到早发现,早预防,而且还可对出厂前的太阳电池组件进行在线检测。

    一种以聚酰亚胺钝化太阳电池切面的方法

    公开(公告)号:CN117352590A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202311377177.9

    申请日:2023-10-23

    发明人: 杨宏 王鹤 李领

    摘要: 本发明公开了一种以聚酰亚胺钝化太阳电池切面的方法,对太阳电池片切割,在半片太阳电池的切面处涂覆聚酰亚胺溶液,烘干使溶液固化;对固化后的半片太阳电池进行加热,使切面处聚酰亚胺溶液亚胺化,形成聚酰亚胺薄膜。本发明利用聚酰亚胺溶液在切面的亚胺化过程中形成C‑O‑Si共价键,饱和了切面上的悬挂键,实现切面钝化,减小太阳电池切面光生载流子的复合,提高了太阳电池的并联电阻以及半片太阳电池电性能的均匀性。由于聚酰亚胺具有优异的绝缘和耐热性能,采用聚酰亚胺钝化切面后的太阳电池制备的光伏组件,太阳电池正负极绝缘电阻大,可以在高温、高湿、高压下维持正负极间的电绝缘,从而提升组件的光电转换效率及可靠性。

    一种基于表面pn结晶体硅太阳电池的制备方法

    公开(公告)号:CN111668347B

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN202010664691.0

    申请日:2020-07-10

    发明人: 杨宏 白巧巧 王鹤

    摘要: 本发明公开了一种基于表面pn结晶体硅太阳电池的制备方法,首先对原始硅片进行清洗、制绒、氧化、光刻处理,采用选择性局域扩散的方法在硅片表面形成表面pn结,然后去除边缘和背面的pn结,在正反两面形成对应的钝化层,再通过丝网印刷及烧结的方法形成电极。上述表面pn结晶体硅太阳电池的制备方法是在电池受光面进行局域扩散,从而形成表面pn结,这样的表面pn结避免了传统硅太阳电池表面“死层”的存在,使得入射的紫外光子全部转换成电能输出,有利于提高硅太阳电池的效率,这种表面结太阳电池既可以用来发电也可以用来做紫外探测或太阳光谱探测。

    一种Ag(Ti,Zr)/稀土晶体硅太阳电池复合浆料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103943168A

    公开(公告)日:2014-07-23

    申请号:CN201410161165.7

    申请日:2014-04-18

    摘要: 一种Ag(Ti,Zr)/稀土晶体硅太阳电池复合浆料及其制备方法,按质量份数计,包括玻璃粘结剂0.1-0.4份,超细银粉7.5-8份,超细TiO2粉末和超细ZrO2粉末的混合物0.2-0.5份,稀土粉末0.1份,有机粘合剂1-1.4份和稀释剂0.3-0.4份。本发明在含有Ti和Zr的浆料中掺入微量稀土添加剂Ce、Eu或Gd等,由于稀土是形成Ag/Si接触的媒介物质,在制备电池的烧结工艺过程中使银硅接触更加致密,进一步减小了接触电阻和增强了电极的附着力。同时,减小了丝网印刷银浆与硅基底的接触电阻,增强了电极附着力,同时,减小了金属银的消耗,提高了晶体硅太阳电池效率,降低了电池成本。

    一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池

    公开(公告)号:CN102110734B

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201110020790.6

    申请日:2011-01-18

    发明人: 杨宏 帅争峰 王鹤

    CPC分类号: H01L31/0747 Y02E10/50

    摘要: 本发明公开了一种纳米硅/晶体硅异质结光伏电池。该电池依次由正面银电极,正面TCO导电薄膜,p型重掺杂纳米硅层,p型轻掺杂纳米硅层,p型轻扩散晶体硅层,n型晶体硅层,本征纳米硅层,n型纳米硅层,背面TCO导电薄膜,背面银电极构成。通过在电池正面的p型重掺杂纳米硅层与n型晶体硅衬底间制备出p型轻掺杂纳米硅层和p型轻扩散晶体硅层,在p型重掺杂纳米硅层和n型晶体硅衬底间形成了薄的缓冲层和浓度梯度结。利用本结构,能够克服常规异质结光伏电池p型层与i型层之间晶格失配的问题,增强了界面电场,减少了界面复合,提高了光伏电池的开路电压和填充因子,提高了光电转换效率。