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公开(公告)号：CN109265791A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810868474.6
申请日：2018-08-01
申请人： 西安交通大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明提供了一种高压直流电缆绝缘材料及其制备方法，其中所述高压直流电缆绝缘材料，是由主料和辅料组成，其中主料是低密度聚乙烯树脂，辅料包括聚苯乙烯树脂、交联剂和抗氧剂。本发明制得的高压直流电缆绝缘材料与普通的交联聚乙烯相比，其直流击穿场强在30℃到90℃温度范围内得到了提高，70℃时直流击穿场强提高72.9％，90℃下提高43.7％。
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公开(公告)号：CN109265791B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201810868474.6
申请日：2018-08-01
申请人： 西安交通大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明提供了一种高压直流电缆绝缘材料及其制备方法，其中所述高压直流电缆绝缘材料，是由主料和辅料组成，其中主料是低密度聚乙烯树脂，辅料包括聚苯乙烯树脂、交联剂和抗氧剂。本发明制得的高压直流电缆绝缘材料与普通的交联聚乙烯相比，其直流击穿场强在30℃到90℃温度范围内得到了提高，70℃时直流击穿场强提高72.9％，90℃下提高43.7％。
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公开(公告)号：CN106872014A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710070101.X
申请日：2017-02-08
申请人： 西安交通大学
IPC分类号： G01H9/00
CPC分类号： G01H9/00
摘要： 一种超微器件微小振动固有频率测试系统和方法，该测试系统包括依次连接的信号发生器、功率放大器、激振器、激光位移计组和数字示波器；其中激光位移计组由并联的两个激光探头组成，并事先调整采样频率为所要测量超微器件振动频率范围最高值的四倍以上；本发明还提供上述系统的测试方法，能够对毫米量级微小器件或设备局部微小振动结构振动的固有频率进行检测，可监测的振动位移允许低至几十微米量级。
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公开(公告)号：CN1218218C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN03134596.4
申请日：2003-09-22
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明专利公开了一种基于压印光刻的复合材料真三维MEMS器件的制造方法。该方法采用快速成型中的分层制造思想，将MEMS器件CAD模型分解为逐个截面薄层来制造。在生成承载MEMS器件某一截面层图案的石英模板的制作过程中采用扫描探针显微镜微刻和等离子干刻蚀技术。通过CVD/化学镀/双组份涂铺获取MEMS器件基材的薄层，采用当前IC生产线上的离心匀胶工艺，在MEMS器件基材的薄层上完成压印阻蚀胶的可控涂铺，采用压印光刻和等离子刻蚀工艺完成MEMS器件的单层成形，通过化学机械剖光(CMP)获得确定的薄层厚度。本发明的方法解决了MEMS的真三维问题；采用金属化学汽相沉积工艺有效地解决了MEMS制造材料单一的问题；采用大模板或多模板并行压印光刻，可实现MEMS批量制造。
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公开(公告)号：CN1527134A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03134596.4
申请日：2003-09-22
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明专利公开了一种基于压印光刻的复合材料真三维MEMS器件的制造方法。该方法采用快速成型中的分层制造思想，将MEMS器件CAD模型分解为逐个截面薄层来制造。在生成承载MEMS器件某一截面层图案的石英模板的制作过程中采用扫描探针显微镜微刻和等离子干刻蚀技术。通过CVD/化学镀/双组份涂铺获取MEMS器件基材的薄层，采用当前IC生产线上的离心匀胶工艺，在MEMS器件基材的薄层上完成压印阻蚀胶的可控涂铺，采用压印光刻和等离子刻蚀工艺完成MEMS器件的单层成形，通过化学机械剖光(CMP)获得确定的薄层厚度。本发明的方法解决了MEMS的真三维问题；采用金属化学汽相沉积工艺有效地解决了MEMS制造材料单一的问题；采用大模板或多模板并行压印光刻，可实现MEMS批量制造。
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