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公开(公告)号：CN114323395B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202111595510.4
申请日：2021-12-23
摘要： 一种基于SOI工艺的MEMS六轴力传感器芯片及其制备方法，芯片由SOI器件层和玻璃器件层键合组成；SOI器件层包括顶层硅结构、埋氧层结构和衬底层硅结构；顶层硅结构包括第一中心质量块，第一中心质量块通过蟹腿型梁和顶层边框连接，顶层边框和中心质量块之间设有梳齿电容；埋氧层结构包括释放区和非释放区；衬底层硅结构包括第二中心质量块，第二中心质量块通过T型梁和衬底层边框连接，第二中心质量块中部设有安装腔体，外部的载荷传递立柱安装于安装腔体当中，将力/力矩传递到第二中心质量块；本发明实现六轴力的解耦检测，易于电路集成；以SOI晶圆和玻璃圆片为基础，结合光刻、浅刻蚀等工艺实现芯片的制备，工艺简单，易于批量制造。
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公开(公告)号：CN114323396B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202111595513.8
申请日：2021-12-23
摘要： 一种MEMS电容式六轴力传感器芯片及其制备工艺，芯片包括由上向下设置的高阻硅器件层、低阻硅器件层和玻璃器件层，通过硅‑硅键合和硅‑玻键合形成一种三明治结构；高阻硅器件层包括第一中心刚体和载荷传递结构；低阻硅器件层包括第二中心刚体，第二中心刚体四周和电极形成梳齿电容，第二中心刚体一方面与第一中心刚体键合为一体，另一方面作为梳齿电容动极板的公共电极；玻璃器件层包括玻璃基底，以及玻璃基底上的平板电容极板、外部焊盘、内部焊盘、金属引线等金属层结构；制备工艺包括硅器件层的加工工艺、玻璃器件层的加工工艺、硅‑玻键合工艺和划片；本发明实现六轴力或力矩的解耦输出，具有量程大、灵敏度高、串扰误差小、微型化等优点。
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公开(公告)号：CN114323396A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111595513.8
申请日：2021-12-23
摘要： 一种MEMS电容式六轴力传感器芯片及其制备工艺，芯片包括由上向下设置的高阻硅器件层、低阻硅器件层和玻璃器件层，通过硅‑硅键合和硅‑玻键合形成一种三明治结构；高阻硅器件层包括第一中心刚体和载荷传递结构；低阻硅器件层包括第二中心刚体，第二中心刚体四周和电极形成梳齿电容，第二中心刚体一方面与第一中心刚体键合为一体，另一方面作为梳齿电容动极板的公共电极；玻璃器件层包括玻璃基底，以及玻璃基底上的平板电容极板、外部焊盘、内部焊盘、金属引线等金属层结构；制备工艺包括硅器件层的加工工艺、玻璃器件层的加工工艺、硅‑玻键合工艺和划片；本发明实现六轴力或力矩的解耦输出，具有量程大、灵敏度高、串扰误差小、微型化等优点。
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公开(公告)号：CN114323395A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111595510.4
申请日：2021-12-23
摘要： 一种基于SOI工艺的MEMS六轴力传感器芯片及其制备方法，芯片由SOI器件层和玻璃器件层键合组成；SOI器件层包括顶层硅结构、埋氧层结构和衬底层硅结构；顶层硅结构包括第一中心质量块，第一中心质量块通过蟹腿型梁和顶层边框连接，顶层边框和中心质量块之间设有梳齿电容；埋氧层结构包括释放区和非释放区；衬底层硅结构包括第二中心质量块，第二中心质量块通过T型梁和衬底层边框连接，第二中心质量块中部设有安装腔体，外部的载荷传递立柱安装于安装腔体当中，将力/力矩传递到第二中心质量块；本发明实现六轴力的解耦检测，易于电路集成；以SOI晶圆和玻璃圆片为基础，结合光刻、浅刻蚀等工艺实现芯片的制备，工艺简单，易于批量制造。
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公开(公告)号：CN114279613A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111592764.0
申请日：2021-12-23
摘要： 一种基于电容检测原理的MEMS六轴力传感器芯片及其制备方法，芯片由载荷传递层、绝缘层、梳齿电容层和玻璃层由上向下组合而成，层间通过硅‑玻阳极键合和硅‑硅键合连接为一个整体；载荷传递层包括载荷传递层固定区和通过T型梁连接的载荷传递层中心刚体；绝缘层包括绝缘层固定区和其内部的可移动区；梳齿电容层包括梳齿动极板电极、梳齿电容、梳齿电容层中心刚体、梳齿定极板电极、Z型导电支撑梁和隔离沟道；玻璃层包括玻璃腔体、以及制备在玻璃腔体上的平板电容极板、内部电极焊盘、金属引线和外部焊盘；本发明芯片在工作时，能够检测六个方向上的力和力矩，具有量程大、灵敏度高、交叉轴灵敏度小和体积小等特点。
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公开(公告)号：CN114279613B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202111592764.0
申请日：2021-12-23
摘要： 一种基于电容检测原理的MEMS六轴力传感器芯片及其制备方法，芯片由载荷传递层、绝缘层、梳齿电容层和玻璃层由上向下组合而成，层间通过硅‑玻阳极键合和硅‑硅键合连接为一个整体；载荷传递层包括载荷传递层固定区和通过T型梁连接的载荷传递层中心刚体；绝缘层包括绝缘层固定区和其内部的可移动区；梳齿电容层包括梳齿动极板电极、梳齿电容、梳齿电容层中心刚体、梳齿定极板电极、Z型导电支撑梁和隔离沟道；玻璃层包括玻璃腔体、以及制备在玻璃腔体上的平板电容极板、内部电极焊盘、金属引线和外部焊盘；本发明芯片在工作时，能够检测六个方向上的力和力矩，具有量程大、灵敏度高、交叉轴灵敏度小和体积小等特点。
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公开(公告)号：CN118670593A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410966079.7
申请日：2024-07-18
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G01L5/1627 , G01L1/22 , G01L25/00
摘要： 本发明属于微机电系统技术领域，具体涉及基于硅纳米线多维力传感器的自校准装置及其制备工艺。装置包括：SOI硅片和键合硅；SOI硅片中顶层硅包括受力体以及设于受力体四周且对称分布的硅纳米线；采用具有巨压阻效应的硅纳米线代替传统使用压敏电阻的压阻式力传感器，受力体四个角处采用U型结构作为支撑梁，受力体上设有压电层；键合硅上与顶层硅中的压电层所对应的位置设有电极区域；压电层与电极区域构成电容；硅纳米线与电容共同解耦测量力的大小和方向，可实现六维力的感知；键合硅和SOI硅片键合形成自校准结构；键合硅上设有若干个通过TSV打孔技术制作的通孔，用于引出电极。本发明具有灵敏度高、稳定性高和可靠性高的特点。
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公开(公告)号：CN117799329A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410081993.3
申请日：2024-01-19
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： B41J2/16
摘要： 本发明属于热泡式喷墨打印机喷头技术领域，具体涉及用于热泡式喷墨打印机喷头的特斯拉阀装置及其制备方法。装置包括特斯拉阀；所述特斯拉阀具有内部管道结构；所述内部管道结构包含若干个交替排列连接的管路分支；每个管路分支均具有两条管路，其中一条管路为正向直道，呈倾斜状；另一条管路为弯道，所述弯道弯曲成半环状，并回连到正向直道上。本发明具有既能够有效限制墨水反向流动，减少墨水的浪费，又易于制造和维护，节约制造成本的特点。
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公开(公告)号：CN117297286A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311306799.2
申请日：2023-10-10
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明属于温湿度调控技术领域，具体涉及基于嵌入式的活动场馆座椅温湿度智能调控系统。系统包括温度传感模块，用于采集温度信号；人体传感模块，用于检测有无人体信号；气体浓度传感模块，用于采集氧气浓度、氧化碳的浓度以及氮化物的浓度；脉搏传感模块，用于实时监测场馆座位上人员的脉搏；驱动输出模块，用于驱动雾化器和风扇；显示模块，用于进行数据采集反馈、手动/自动模式显示以及时间和温度的显示；主控模块，用于对采集到的数据进行处理和判断。本发明具有能够根据环境温度或人为指令控制小环境内的风速与湿度，利用人体皮肤表面水分蒸发吸热的原理，以便于座椅观众实现身体内部与外界环境形成动态平衡的特点。
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公开(公告)号：CN117128902A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310887769.9
申请日：2023-07-19
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于超声波传感器的车载智能路面不平度检测系统。本发明中的加速度传感器，实时采集系统的加速度信号；超声波测距传感器，实时采集系统与路面间的距离信号；主控MCU接收加速度传感器回传的实时加速度信号，结合角度算法计算系统当前的俯仰角和滚转角；所述主控MCU根据所述滚转角，通过PID算法控制水平位置保持模块实时调整系统的位置，使系统稳定保持在水平位置；所述主控MCU根据所述俯仰角和垂向加速度对离地距离数据进行补偿，进而得到路面高程数据，从而确定路面不平度。本发明省去了人工数据采集以及算法训练的步骤，有效地降低了人力成本，缩短了开发周期。
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