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公开(公告)号：CN114000103A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111027645.0
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种二硫化钼/石墨烯复合异质结及其制备方法，包括基底1、二硫化钼层2和石墨烯层3；二硫化钼层2设置在基底1上，石墨烯层设置在二硫化钼层2上。本发明通过对磁控溅射制备MoS2/石墨烯复合异质结工艺过程的优化设计，并且结合退火工艺，以减少预制薄膜的硫空位，提高二硫化钼缓冲层的结晶质量，同时通过氩离子溅射在碳膜上形成高表面粗糙度的复合异质结薄膜，这能够有效增加二次电子与表面陷阱壁的平均碰撞次数从而抑制二次电子发射现象。
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公开(公告)号：CN113649249A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202111027653.5
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种纳米二硫化钼基薄膜及其制备方法，包括基片和抑制层，抑制层设置在基片上；抑制层的层数大于等于1。抑制层为二硫化钼，基片为硅基片。包括以下步骤：步骤1：将钼源和硫源溶解在装有有机溶剂和去离子水的聚四氟乙烯反应釜中密封；步骤2：将反应釜置于电热烘箱中高温反应，并收集；步骤3：进行真空冷冻干燥工艺，冻干完毕后，得到高分散性纳米二硫化钼粉体；步骤4：沉积在清洗后的基底上，得到二硫化钼/基底复合异质样品。本发明操作简单，成本低廉，条件温和、产生污染小，且借助超声分散所制得的纳米二硫化钼无团聚现象、附着性强。
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公开(公告)号：CN114000103B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111027645.0
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种二硫化钼/石墨烯复合异质结及其制备方法，包括基底1、二硫化钼层2和石墨烯层3；二硫化钼层2设置在基底1上，石墨烯层设置在二硫化钼层2上。本发明通过对磁控溅射制备MoS2/石墨烯复合异质结工艺过程的优化设计，并且结合退火工艺，以减少预制薄膜的硫空位，提高二硫化钼缓冲层的结晶质量，同时通过氩离子溅射在碳膜上形成高表面粗糙度的复合异质结薄膜，这能够有效增加二次电子与表面陷阱壁的平均碰撞次数从而抑制二次电子发射现象。
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公开(公告)号：CN113649249B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202111027653.5
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种纳米二硫化钼基薄膜及其制备方法，包括基片和抑制层，抑制层设置在基片上；抑制层的层数大于等于1。抑制层为二硫化钼，基片为硅基片。包括以下步骤：步骤1：将钼源和硫源溶解在装有有机溶剂和去离子水的聚四氟乙烯反应釜中密封；步骤2：将反应釜置于电热烘箱中高温反应，并收集；步骤3：进行真空冷冻干燥工艺，冻干完毕后，得到高分散性纳米二硫化钼粉体；步骤4：沉积在清洗后的基底上，得到二硫化钼/基底复合异质样品。本发明操作简单，成本低廉，条件温和、产生污染小，且借助超声分散所制得的纳米二硫化钼无团聚现象、附着性强。
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