-
公开(公告)号：CN114000103B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111027645.0
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种二硫化钼/石墨烯复合异质结及其制备方法，包括基底1、二硫化钼层2和石墨烯层3；二硫化钼层2设置在基底1上，石墨烯层设置在二硫化钼层2上。本发明通过对磁控溅射制备MoS2/石墨烯复合异质结工艺过程的优化设计，并且结合退火工艺，以减少预制薄膜的硫空位，提高二硫化钼缓冲层的结晶质量，同时通过氩离子溅射在碳膜上形成高表面粗糙度的复合异质结薄膜，这能够有效增加二次电子与表面陷阱壁的平均碰撞次数从而抑制二次电子发射现象。
-
公开(公告)号：CN114000103A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111027645.0
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种二硫化钼/石墨烯复合异质结及其制备方法，包括基底1、二硫化钼层2和石墨烯层3；二硫化钼层2设置在基底1上，石墨烯层设置在二硫化钼层2上。本发明通过对磁控溅射制备MoS2/石墨烯复合异质结工艺过程的优化设计，并且结合退火工艺，以减少预制薄膜的硫空位，提高二硫化钼缓冲层的结晶质量，同时通过氩离子溅射在碳膜上形成高表面粗糙度的复合异质结薄膜，这能够有效增加二次电子与表面陷阱壁的平均碰撞次数从而抑制二次电子发射现象。
-
公开(公告)号：CN113649249A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202111027653.5
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种纳米二硫化钼基薄膜及其制备方法，包括基片和抑制层，抑制层设置在基片上；抑制层的层数大于等于1。抑制层为二硫化钼，基片为硅基片。包括以下步骤：步骤1：将钼源和硫源溶解在装有有机溶剂和去离子水的聚四氟乙烯反应釜中密封；步骤2：将反应釜置于电热烘箱中高温反应，并收集；步骤3：进行真空冷冻干燥工艺，冻干完毕后，得到高分散性纳米二硫化钼粉体；步骤4：沉积在清洗后的基底上，得到二硫化钼/基底复合异质样品。本发明操作简单，成本低廉，条件温和、产生污染小，且借助超声分散所制得的纳米二硫化钼无团聚现象、附着性强。
-
公开(公告)号：CN113649249B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202111027653.5
申请日：2021-09-02
Applicant: 西安交通大学 , 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 一种纳米二硫化钼基薄膜及其制备方法，包括基片和抑制层，抑制层设置在基片上；抑制层的层数大于等于1。抑制层为二硫化钼，基片为硅基片。包括以下步骤：步骤1：将钼源和硫源溶解在装有有机溶剂和去离子水的聚四氟乙烯反应釜中密封；步骤2：将反应釜置于电热烘箱中高温反应，并收集；步骤3：进行真空冷冻干燥工艺，冻干完毕后，得到高分散性纳米二硫化钼粉体；步骤4：沉积在清洗后的基底上，得到二硫化钼/基底复合异质样品。本发明操作简单，成本低廉，条件温和、产生污染小，且借助超声分散所制得的纳米二硫化钼无团聚现象、附着性强。
-
公开(公告)号：CN118534174A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410540635.4
申请日：2024-04-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种基于非晶丝的柔性环形电流传感器及其带宽补偿方法，包括磁芯、感应线圈、低通滤波器和带宽补偿电路；感应线圈缠绕在磁芯上，感应线圈连接在低通滤波器上；低通滤波器的输出端连接带宽补偿电路；低通滤波器用于对感应线圈产生感应电动势进行积分，带宽补偿电路用于对滤波后的信号进行带宽补偿与信号放大后，输出电压信号。本发明通过将超细非晶合金丝用作磁芯的方式，克服了以往带铁芯的和罗氏线圈电流互感器体积大、形状固定、灵敏度低的缺点，使得电流互感器的柔性化和性能的大大提升；通过基于并联谐振的带宽补偿回路极大拓宽了电流互感器的带宽，且该带宽补偿回路具有结构简单、成本低廉，性能稳定的优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116718964A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310721263.0
申请日：2023-06-16
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明提供一种高信噪比磁电传感器及其制备方法和应用，包括磁电异质结、PCB板和绕组线圈；磁电异质结固定设置于PCB板上，绕组线圈围绕设置于PCB板外周并与PCB板连接；磁电异质结包括压电层和磁性层，磁性层固定设置于压电层的两侧，磁性层采用磁致伸缩材料，磁致伸缩材料具有横向排列的磁畴壁。本发明提出控制驱动场幅值在不影响磁畴壁转动的前提下激发器件工作于谐振模态，从而提升传感灵敏度。
-
公开(公告)号：CN113960158A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111223301.7
申请日：2021-10-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/9013
Abstract: 一种基于TMR传感器的高精度磁成像系统及方法，包括二维移动平台、传感模块、数据采集模块和自动控制模块；传感模块位于二维移动平台上方，自动控制模块通过数据采集模块连接传感模块；二维移动平台带动样品沿二维方向扫描移动，传感模块进行涡流激励及磁信号获取，数据采集模块对信号进行预处理并发送至自动控制模块，自动控制模块对磁信号进行进一步计算处理及向交互界面输出磁场图像，同时控制扫描平台及数据采集组件工作。本发明补充了TMR在二维磁成像领域的应用，完善了涡流探测技术，使其灵敏度、可探测深度进一步提高。同时可以完成非涡流条件下的高精度弱磁信号的二维成像。本发明灵敏度高、精度高、功耗低、结构简单、成本可控。
-
公开(公告)号：CN111312890A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010246936.8
申请日：2020-03-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L41/06 , H01L41/08 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/12 , H01L41/253 , H01L43/02 , H01L43/08 , C23C14/35
Abstract: 一种采用压电剪切模式实现磁畴翻转的方法，包括以下步骤：步骤1，制备磁电异质结；步骤2，电场诱导产生的剪切应变和直流偏置磁场共同作用于磁电异质结；本发明所需的磁电异质结由常见的商用菱方相压电单晶基片和工业上常用的磁性单层薄膜构成，结构简单。既无需微加工工艺引入较强的形状各向异性，也无需在制备过程中施加偏置磁场或后续磁退火引入交换偏置，便可以利用剪切应变调制的磁电效应实现电场调控局域磁畴大于90°的磁化翻转，工艺简单、能耗低，对发展低功耗磁存储和逻辑器件具有重要意义。
-
公开(公告)号：CN109786923A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811573406.3
申请日：2018-12-21
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种声学驱动的微型磁电天线结构及制备方法，包括基体、布拉格声反射层、底部电极、顶部电极、压电层和磁致伸缩层；布拉格声反射层设置在基体上表面，布拉格声反射层的上表面设置压电层，压电层一端的下部与布拉格声反射层之间设置底部电极；压电层的上表面设置有顶部电极和磁致伸缩层。本发明的声学驱动超小型磁电天线用布拉格声反射层取代了空气间隙结构和背部掏空的结构，这种改进不仅提高了磁电天线的机械强度，而且多层反射层的存在有利于器件的散热。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.051 seconds)
