公开(公告)号：CN104136375B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201280070407.0

申请日：2012-12-24

Applicant: 西安大略大学

Inventor： 丁志峰 ,  贾法龙 ,  戴夫·卢夫 ,  米扬英·欧 ,  丹尼尔·瓦卡雷诺 ,  艾米·塔普利

IPC: C01G3/00 ,  B01F17/00 ,  C01B17/00 ,  C01B19/00 ,  C01G15/00 ,  C01G19/00 ,  C01G9/00 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: C01G15/006 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/002 ,  C01G19/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/40 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/035218 ,  Y02E10/541

Abstract: 提供了一种制备ArSH封盖的Cu2ZnSnS4、Cu2ZnSn(S(1‑x)Sex)4、Cu2SnS3、CuInS2和CuIn(S(1‑x)Sex)2纳米晶的一釜法方法。涉及使乙酰基丙酮铜(II)和氯化铟与硫脲和2‑巯基‑5‑n‑丙基嘧啶在有机溶剂存在下进行反应的实例被描述。制备了尺寸为约100nm的单分散的CuInS2纳米晶。涉及使乙酰基丙酮铜(II)、氯化锌和氯化锡与硫脲和2‑巯基‑5‑n‑丙基嘧啶在有机溶剂存在下反应的实例被描述。制备了尺寸为约2nm的单分散的Cu2ZnSnS4纳米晶。发现得到的纳米晶具有优异的结晶度、化学计量和高的总体光伏活性，而不需要后处理如在硫气氛中高温湮没。

公开(公告)号：CN104136375A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201280070407.0

申请日：2012-12-24

Applicant: 西安大略大学

Inventor： 丁志峰 ,  贾法龙 ,  戴夫·卢夫 ,  米扬英·欧 ,  丹尼尔·瓦卡雷诺 ,  艾米·塔普利

IPC: C01G3/00 ,  B01F17/00 ,  C01B17/00 ,  C01B19/00 ,  C01G15/00 ,  C01G19/00 ,  C01G9/00 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC classification number: C01G15/006 ,  B82Y30/00 ,  C01B19/002 ,  C01G19/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/40 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/035218 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明提供了一种制备ArSH封盖的Cu2ZnSnS4、Cu2ZnSn(S(1-x)Sex)4、Cu2SnS3、CuInS2和CuIn(S(1-x)Sex)2纳米晶的一釜法方法。涉及使乙酰基丙酮铜(II)和氯化铟与硫脲和2-巯基-5-n-丙基嘧啶在有机溶剂存在下进行反应的实例被描述。制备了尺寸为约100nm的单分散的CuInS2纳米晶。涉及使乙酰基丙酮铜(II)、氯化锌和氯化锡与硫脲和2-巯基-5-n-丙基嘧啶在有机溶剂存在下反应的实例被描述。制备了尺寸为约2nm的单分散的Cu2ZnSnS4纳米晶。发现得到的纳米晶具有优异的结晶度、化学计量和高的总体光伏活性，而不需要后处理如在硫气氛中高温湮没。