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公开(公告)号：CN115842965A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211230357.X
申请日：2022-09-30
申请人： 西安微电子技术研究所
IPC分类号： H04N25/671 , H04N25/20
摘要： 本发明公开了一种超大面阵红外图像传感器的成像均匀度的校准装置及方法，属于红外图像传感器成像领域。本发明通过优化Gpol信号的传输方向，补偿地电平的浮地效应，通过二者的逆向传输，实现Gpol信号和地电平电压变化趋势一致的目标；另一方面，通过差异监测机制，检测Gpol信号和地电平的电压差异，通过配置Gpol信号的对地漏电二极管级联数目，调整Gpol信号从中间到两侧的压降程度，达到Gpol信号和地电平电压变化趋势相同且幅值一致的目标，保证Gpol信号与地电平之间的压差恒定，实现高均匀成像。本发明有效解决了传统图像传感器由于大面阵浮地效应而引起的Gpol信号和地电平压差异不恒定问题。
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公开(公告)号：CN114051107A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111264687.6
申请日：2021-10-28
申请人： 西安微电子技术研究所
IPC分类号： H04N5/374
摘要： 本发明提供一种CMOS图像传感器的双模式精细增益配置装置及方法，可变采样电容阵列输入侧连接采样信号，输出侧连接反馈运算阵列，实现多种倍数的增益补偿，配合可变反馈电容和恒定反馈电容，能够显示1以下倍数的增益补偿，解决了现有增益配置的步进粗和仅支持正向配置的缺陷，实现精细步进增益和正负增益双向调整，根据实际情况增加可变采样电容阵列中开关电容的数量进而能够实现更高倍数的增益补偿，提高了通用性和精度；本方法，满足高质量成像对光线微弱变化的增益校准需求，提出增益校准算法流程，根据图像输出实际灰度值，通过对比本发明中真值表，确定增益校准配置和校准方法，步骤简单，可快速选择需要得可变采样电容阵列，实现增益补偿。
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公开(公告)号：CN116567441A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310179255.8
申请日：2023-02-28
申请人： 西安微电子技术研究所
摘要： 本发明提供一种面向品拼接工艺的可复用版图和拼接补偿校准装置，包括多级依次连接的拼接块，每一级拼接块一一对应连接有斜坡生成补偿电路，斜坡生成补偿电路连接有A/D转换电路；拼接块中均排列设置有多级电路组，每级电路组中包括两根信号电路；拼接块中的首级电路组接入对应的斜坡生成补偿电路组，仅其余级电路组与下一级拼接块的多级电路组依次连接，且首级拼接块之后的所有拼接块的多级电路组接入信号的数量逐级递减；本申请每一级拼接块为可复用版图，通过可复用版图将光刻版数目降低为一套，有效解决了超大面阵图像传感器采用多套光刻版的高成本问题，以及不同拼接块之间的工艺差异问题，同时，斜坡生成补偿电路能够大幅优化成像质量。
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公开(公告)号：CN114979522A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210550325.1
申请日：2022-05-20
申请人： 西安微电子技术研究所
摘要： 本发明公开了一种自适应像素级高动态CMOS图像传感器及其实现方法，由像素阵列输出光电信号，将光电信号分别输入至列级ADC读出电路和像素级ADC电路；列级ADC读出电路中的比较器分别接收光电信号和斜坡信号，比较结果通过计数器传输至数据合成器；像素级ADC电路中的比较单元分别接收光电信号和参考信号，比较结果通过寄存器单元处理后，分别输送至控制单元和数据合成器，控制单元生成控制时长数据并将其反馈至像素阵列，数据合成器中产生最终结果输出。将像素级ADC电路的高实时性特点和列级ADC读出电路的高精度特点有机结合，由数据合成器输出最终结果，在光线快速变化时，实现高动态成像需求。
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公开(公告)号：CN114979522B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202210550325.1
申请日：2022-05-20
申请人： 西安微电子技术研究所
摘要： 本发明公开了一种自适应像素级高动态CMOS图像传感器及其实现方法，由像素阵列输出光电信号，将光电信号分别输入至列级ADC读出电路和像素级ADC电路；列级ADC读出电路中的比较器分别接收光电信号和斜坡信号，比较结果通过计数器传输至数据合成器；像素级ADC电路中的比较单元分别接收光电信号和参考信号，比较结果通过寄存器单元处理后，分别输送至控制单元和数据合成器，控制单元生成控制时长数据并将其反馈至像素阵列，数据合成器中产生最终结果输出。将像素级ADC电路的高实时性特点和列级ADC读出电路的高精度特点有机结合，由数据合成器输出最终结果，在光线快速变化时，实现高动态成像需求。
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公开(公告)号：CN114051107B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202111264687.6
申请日：2021-10-28
申请人： 西安微电子技术研究所
IPC分类号： H04N25/76
摘要： 本发明提供一种CMOS图像传感器的双模式精细增益配置装置及方法，可变采样电容阵列输入侧连接采样信号，输出侧连接反馈运算阵列，实现多种倍数的增益补偿，配合可变反馈电容和恒定反馈电容，能够实现1以下倍数的增益补偿，解决了现有增益配置的步进粗和仅支持正向配置的缺陷，实现精细步进增益和正负增益双向调整，根据实际情况增加可变采样电容阵列中开关电容的数量进而能够实现更高倍数的增益补偿，提高了通用性和精度；本方法，满足高质量成像对光线微弱变化的增益校准需求，提出增益校准算法流程，根据图像输出实际灰度值，通过对比本发明中真值表，确定增益校准配置和校准方法，步骤简单，可快速选择需要得可变采样电容阵列，实现增益补偿。
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公开(公告)号：CN114050155A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111264689.5
申请日：2021-10-28
申请人： 西安微电子技术研究所
摘要： 本发明提供一种用于收发器的高耐压抗静电结构，多个对应端口两侧均连接有高耐压二极管结构，端口均为仅一侧导通高耐压二极管结构的阳极，形成多个对应端口线路组，且每个对应端口线路组至少形成两条放电通道；通过反偏二极管和正偏二级管的组合，端口到端口之间至少存在两条放电通道，大幅度减小了单条放电通道的压力，满足超高电压静电放电要求，当端口到端口的其中一条放电通道负荷过重，另外一条放电通道负荷较轻，则均衡放电通道平衡器件被触发，承受电压过大的一侧，通过均衡放电通道平衡器件向负荷较轻的一侧分流，实现双侧均衡放电，双侧均衡放电技术，有效避免了单一通道放电负荷过大而另一通道负荷较小的放电不平衡问题，显著提升器件的抗静电特性。
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