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公开(公告)号：CN108899360B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN201810716760.0
申请日：2018-07-03
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/747
Abstract: 本发明提供了一种新型结构的双向晶闸管，包括晶闸管ThA和晶闸管ThB，两个晶闸管ThA和ThB反并联集成在同一硅片上，它们共用了同一个晶体管PN‑P，通过中间的隔离槽将两只晶闸管完全分开，整个器件关于中心O对称。本发明两个反并联晶闸管结构完全对称，所以正反向触发灵敏度和均匀性一致、电热特性完全相同；中间的隔离槽将两个晶闸管完全分开，并在隔离槽上生长氧化层，防止两反并联晶闸管相互影响，既提高双向晶闸管的换向dv/dt耐量，又保证器件不受外界杂质污染。两个晶闸管可以单独设计，本发明成功研制了6英寸3000A/8500V特高压超大功率双向晶闸管，广泛应用于电力电子技术装置中，提高了装置的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN109950309A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910274609.0
申请日：2019-04-08
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种多光敏区特高压光控晶闸管，将传统光控晶闸管的一个光敏区和一组放大门极触发结构变换为四个光敏区和四组放大门极组件，集成在同一个半导体芯片内，由单域控制开通变为四域控制开通，主要包括，光敏区、放大门极、放大门极延伸枝条、阳极、阴极面、共用的台面、隔离槽、隔离间距、四层二端四光敏区结构，分别为N2+层、P2+P2+层、P1++P1层、N-层、A端、K端，器件关于x轴、y轴、z轴对称，利用光控晶闸管的触发机制是以非接触和快速导通为特征，利于支路中若干个串并联器件同时开通的特点，显著提高了光控晶闸管开通初期峰值电流能力和di/dt耐量能力。
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公开(公告)号：CN107180866B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201710451834.8
申请日：2017-06-15
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶闸管分支满布N+放大门极，从晶闸管阴极方向俯视按掺杂类型区域划分为中心P型门极区、N+型环形放大门极区、N+型枝条放大门极区、P型放大门极区、N+型主晶闸管有效阴极区、分布在N+型主晶闸管有效阴极区内的P型短路点及边缘P型台面区，通过将N+型枝条放大门极区枝条内充满N+型杂质，使放大门极即辅助晶闸管的阴极N+区域不仅在门极中心周围的环形区域存在，而且随放大门极枝条深入并均匀分割主晶闸管阴极区域。充分扩展了辅助晶闸管的有效阴极，将门极触发电流放大更充分、分配输送到主晶闸管阴极深处的速度更快，对主晶闸管的触发强度和速度都增加、必使主晶闸管开通电流上升率di/dt耐量得到显著提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108899360A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810716760.0
申请日：2018-07-03
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/747
Abstract: 本发明提供了一种新型结构的双向晶闸管，包括晶闸管ThA和晶闸管ThB，两个晶闸管ThA和ThB反并联集成在同一硅片上，它们共用了同一个晶体管PN-P，通过中间的隔离槽将两只晶闸管完全分开，整个器件关于中心O对称。本发明两个反并联晶闸管结构完全对称，所以正反向触发灵敏度和均匀性一致、电热特性完全相同；中间的隔离槽将两个晶闸管完全分开，并在隔离槽上生长氧化层，防止两反并联晶闸管相互影响，既提高双向晶闸管的换向dv/dt耐量，又保证器件不受外界杂质污染。两个晶闸管可以单独设计，本发明成功研制了6英寸3000A/8500V特高压超大功率双向晶闸管，广泛应用于电力电子技术装置中，提高了装置的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN107180866A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710451834.8
申请日：2017-06-15
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
CPC classification number: H01L29/1012 , H01L29/102 , H01L29/74
Abstract: 本发明提供了一种晶闸管分支满布N+放大门极，从晶闸管阴极方向俯视按掺杂类型区域划分为中心P型门极区、N+型环形放大门极区、N+型枝条放大门极区、P型放大门极区、N+型主晶闸管有效阴极区、分布在N+型主晶闸管有效阴极区内的P型短路点及边缘P型台面区，通过将N+型枝条放大门极区枝条内充满N+型杂质，使放大门极即辅助晶闸管的阴极N+区域不仅在门极中心周围的环形区域存在，而且随放大门极枝条深入并均匀分割主晶闸管阴极区域。充分扩展了辅助晶闸管的有效阴极，将门极触发电流放大更充分、分配输送到主晶闸管阴极深处的速度更快，对主晶闸管的触发强度和速度都增加、必使主晶闸管开通电流上升率di/dt耐量得到显著提高。
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公开(公告)号：CN208400854U
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201821042941.1
申请日：2018-07-03
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/747
Abstract: 本实用新型提供了一种新型结构的双向晶闸管，包括晶闸管ThA和晶闸管ThB，两个晶闸管ThA和ThB反并联集成在同一硅片上，它们共用了同一个晶体管PN-P，通过中间的隔离槽将两只晶闸管完全分开，整个器件关于中心O对称。本实用新型两个反并联晶闸管结构完全对称，所以正反向触发灵敏度和均匀性一致、电热特性完全相同；中间的隔离槽将两个晶闸管完全分开，并在隔离槽上生长氧化层，防止两反并联晶闸管相互影响，既提高双向晶闸管的换向dv/dt耐量，又保证器件不受外界杂质污染。两个晶闸管可以单独设计，本实用新型成功研制了6英寸3000A/8500V特高压超大功率双向晶闸管，提高了装置的可靠性和稳定性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209804660U
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201920459175.7
申请日：2019-04-08
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种多光敏区特高压光控晶闸管，将传统光控晶闸管的一个光敏区和一组放大门极触发结构变换为四个光敏区和四组放大门极组件，集成在同一个半导体芯片内，由单域控制开通变为四域控制开通，主要包括，光敏区、放大门极、放大门极延伸枝条、阳极、阴极面、共用的台面、隔离槽、隔离间距、四层二端四光敏区结构，分别为N2+层、P2+P2+层、P1++P1层、N-层、A端、K端，器件关于x轴、y轴、z轴对称，利用光控晶闸管的触发机制是以非接触和快速导通为特征，利于支路中若干个串并联器件同时开通的特点，显著提高了光控晶闸管开通初期峰值电流能力和di/dt耐量能力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206864475U
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201720696450.8
申请日：2017-06-15
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种晶闸管分支满布N+放大门极，从晶闸管阴极方向俯视按掺杂类型区域划分为中心P型门极区、N+型环形放大门极区、N+型枝条放大门极区、P型放大门极区、N+型主晶闸管有效阴极区、分布在N+型主晶闸管有效阴极区内的P型短路点及边缘P型台面区，通过将N+型枝条放大门极区枝条内充满N+型杂质，使放大门极即辅助晶闸管的阴极N+区域不仅在门极中心周围的环形区域存在，而且随放大门极枝条深入并均匀分割主晶闸管阴极区域。充分扩展了辅助晶闸管的有效阴极，将门极触发电流放大更充分、分配输送到主晶闸管阴极深处的速度更快，对主晶闸管的触发强度和速度都增加、必使主晶闸管开通电流上升率di/dt耐量得到显著提高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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