公开(公告)号：CN117317807A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311384026.6

申请日：2023-10-24

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 解佳男 ,  林涛 ,  谢朝阳 ,  史家豪 ,  梁多 ,  曹新锐

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/34 ,  H01S5/32

Abstract: 本发明涉及激光器技术领域，具体公开了一种具有电压调控层的短波长红光半导体激光器，包括N型重掺杂电压调控层，还包括从下到上依次设置的衬底、N型组分渐变缓冲层、N型晶格缓冲层、N型Ga I nP掺杂渐变层、N型A l I nP限制层、A l Ga I nP下波导层、Ga I nP量子阱、A l Ga I nP上波导层、P型A l I nP限制层、P型Ga I nP势垒层、P型GaAs欧姆接触层。本发明在N型Ga I nP掺杂渐变层与N型A l I nP限制层或N型Ga I nP掺杂渐变层与N型晶格缓冲层之间引入N型重掺杂电压调控层。在一定重掺杂浓度范围内，N型重掺杂电压调控层可以降低该区域异质结能带间势垒高度，改变载流子分布，一定程度上降低了激光器的开启电压从而提高器件的转换效率。