-
公开(公告)号:CN118213724A
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202410415547.1
申请日:2024-04-08
申请人: 西安电子工程研究所
IPC分类号: H01P1/19
摘要: 本发明涉及一种提高闭锁式铁氧体移相器功率容量及移相效率的方法,属于微波技术领域。将移相器矩形铁氧体环由一体成型结构,改为截面为C字形结构的磁轭与平板铁氧体组合实现矩形环;平板铁氧体与加载介质的外环面镀金属膜,形成移相段传输线;截面为C字形结构的磁轭及励磁导线在移相段传输线之外。本发明的移相段采用镀膜的铁氧体基片与C字形磁轭粘接合成,励磁导线整个在高功率微波传输线之外,矩形环中承受功率能力较弱的水平臂不传输微波信号,该结构形式能够很大程度提高移相器的峰值功率容量。矩形环的外侧垂直臂不传输微波信号从而不抵消内侧垂直臂移相效率,该结构形式能够很大程度提高移相效率。
-
公开(公告)号:CN116111301A
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202310103838.2
申请日:2023-02-13
申请人: 西安电子工程研究所
IPC分类号: H01P1/11
摘要: 本发明涉及一种铁氧体波导开关微波信号通道的分离式结构,包括波导开关主体以及楔形块,楔形块的两个斜面与波导开关主体内腔侧面形成微波信号通道。本发明所要解决的是铁氧体波导开关微波通道中,励磁线圈引线穿出波导开关腔体的结构设计难度大,以及波导腔体拐角加工工艺性不足的问题。本发明具有结构简单紧凑、易于加工的优点。同时,与在微波信号通道侧壁加工较大槽隙相比,能有效减小电磁泄漏,进而减小插损和驻波比,保证波导开关的电性能。
-
公开(公告)号:CN115694445A
公开(公告)日:2023-02-03
申请号:CN202211376241.7
申请日:2022-11-04
申请人: 西安电子工程研究所
IPC分类号: H03K17/041 , H03K17/30 , H03K17/74
摘要: 本发明涉及一种MOS管类型的PIN二极管器件激励电路及开关速度调节方法,适用于需要开关速度更快、激励电流大小可以灵活调节的PIN二极管器件激励场合。本发明电路包括直流供电电源、信号发生器、比较电路、反向偏置激励电路和正向偏置激励电路。采用该MOS管类型的激励电路,不仅使PIN二极管器件的开关速度更快,同时也可以灵活调节PIN二极管器件激励时的电流大小。
-
-
公开(公告)号:CN112448107B
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202011403301.0
申请日:2020-12-02
申请人: 西安电子工程研究所
摘要: 本发明涉及一种90°电控铁氧体移相器,属于微波技术领域。用高导热低损耗陶瓷介质替代传统双环铁氧体移相器的一侧环棒,由偏心放置单环铁氧体与导热陶瓷共同形成组合介质全填充结构,通过极大改善发热铁氧体的散热条件,显著提升移相器功率承受能力,并确保其它性能指标满足常规使用要求。
-
公开(公告)号:CN112448107A
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN202011403301.0
申请日:2020-12-02
申请人: 西安电子工程研究所
摘要: 本发明涉及一种90°电控铁氧体移相器,属于微波技术领域。用高导热低损耗陶瓷介质替代传统双环铁氧体移相器的一侧环棒,由偏心放置单环铁氧体与导热陶瓷共同形成组合介质全填充结构,通过极大改善发热铁氧体的散热条件,显著提升移相器功率承受能力,并确保其它性能指标满足常规使用要求。
-
公开(公告)号:CN213425158U
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN202022900497.6
申请日:2020-12-02
申请人: 西安电子工程研究所
摘要: 本发明涉及一种90°电控铁氧体移相器,属于微波技术领域。用高导热低损耗陶瓷介质替代传统双环铁氧体移相器的一侧环棒,由偏心放置单环铁氧体与导热陶瓷共同形成组合介质全填充结构,通过极大改善发热铁氧体的散热条件,显著提升移相器功率承受能力,并确保其它性能指标满足常规使用要求。
-
-
-
-
-
-