公开(公告)号：CN118173467A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410269921.1

申请日：2024-03-11

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 康强 ,  孔宪光 ,  常建涛 ,  张思超 ,  李猛

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01Q60/02

摘要： 本公开提供了一种基于SPM技术的损伤消除方法及装置、设备，涉及晶片加工技术领域，融合大数据技术和机器学习技术。该基于SPM技术的损伤消除方法包括：通过确定的扫描路径驱动扫描探针对待修复晶片的晶片表面进行扫描，确定表面形貌图像；将表面形貌图像输入到表面损伤类型分类模型中，确定待修复晶片上的损伤区域以及各损伤区域对应的表面损伤类型；根据表面损伤类型确定的表面损伤消除工艺对相应损伤区域的晶片表面进行修复，得到晶片表面损伤消除后的待修复晶片。本公开实施例的技术方案能够有效提升晶片表面损伤的修复效率，提高晶片表面损伤的修复效果。

公开(公告)号：CN117969488A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410146362.5

申请日：2024-02-01

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 康强 ,  孔宪光 ,  常建涛 ,  王奇斌 ,  刘尧

IPC分类号： G01N21/65 ,  G06T7/00 ,  G06V10/764 ,  G06V10/44

摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶片的亚表面损伤检测方法及装置、设备、介质，属于缺陷检测技术领域。该方法包括：定位待检测碳化硅晶片，并驱动拉曼光谱仪对待检测碳化硅晶片进行扫描，获取待检测碳化硅晶片所对应的拉曼光谱数据，并从中提取关键光谱特征数据；将关键光谱特征数据输入到预训练的损伤分类模型中，得到待检测碳化硅晶片对应的目标亚表面损伤类型；获取待检测碳化硅晶片对应的晶片加工参数，将关键光谱特征数据、亚表面损伤类型以及晶片加工参数输入到预训练的损伤程度估计模型中，得到待检测碳化硅晶片在目标亚表面损伤类型下的亚表面损伤程度。本发明可有效提升碳化硅晶片的亚表面损伤检测的检测效率，提高检测结果的准确性和鲁棒性。

公开(公告)号：CN118155732A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410269920.7

申请日：2024-03-11

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 康强 ,  孔宪光 ,  常建涛 ,  张思超

IPC分类号： G16C10/00 ,  G06N20/00

摘要： 本公开提供了一种基于分子动力学仿真的缺陷消除方法及装置、设备，涉及晶片加工技术领域，融合大数据技术和机器学习技术。该基于分子动力学仿真的缺陷消除方法包括：可以将待处理晶片的分子结构数据输入到晶片缺陷估计模型中，得到表面缺陷估计位置以及相应的表面缺陷特征参数；根据表面缺陷特征参数确定表面缺陷估计位置处的目标加工参数；通过目标加工参数对相应的表面缺陷估计位置处的区域进行加工处理，得到表面缺陷消除后的待处理晶片。本公开实施例的技术方案能够从根源上对晶片表面缺陷进行消除，提高晶片表面消除的成功率，有效降低晶片的表面损伤，保证加工得到的晶片的质量。