基于CCD相机的抑制外差探测中退相干效应的装置和方法

    公开(公告)号:CN109100026B

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN201810798530.3

    申请日:2018-07-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于CCD相机的抑制外差探测中退相干效应的装置和方法,其中装置包括:激光器、第一分束片、本振光路声光移频器、信号光路声光移频器、第二分束片、光学天线、反射镜、第三分束片、CCD相机、图像信号处理系统和信噪比反馈系统;通过两个移频器将中频外差信号频率降至CCD相机可探测区间,通过图像处理技术识别不同像元光外差信号间的相位差,并根据所述相位差调整光外差信号输出序列,使得各像元输出信号同相叠加输出,同时,能够根据外差信号信噪比重新调整光外差信号输出序列和根据调整后的光外差信号输出序列重新计算光外差信号信噪比,直至输出的光外差信号信噪比大于或等于阈值,明显提高了外差探测信噪比。

    一种认知无线电网络中基于用户需求的多因素决策方法

    公开(公告)号:CN105120463A

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201510556361.9

    申请日:2015-09-02

    CPC classification number: H04W16/10 H04W16/14

    Abstract: 本发明公开了一种认知无线电网络中基于用户需求的多因素决策方法,通过根据Database(数据库)中的可用信道信息进行频谱预分配,得到次级用户如果参与感知能够得到频谱的概率;之后次级用户根据预分配概率和本身电量等情况作为参考综合决策是否参与实时感知,决定参与感知的次级用户协作进行实时感知,根据实时感知结果进行频谱分配;最后考察整个网络中次级用户的满意度。本发明保证了感知结果的精确度和整个网络的稳定性;将感知和分配综合起来考虑,既考虑了一般的频谱感知对频谱分配的影响,也给出了频谱分配对频谱感知的反作用,这在现有技术中是不存在的,在本技术领域是属于空白的。

    薄膜微带反射阵单元及规避折痕的微带反射阵布局方法

    公开(公告)号:CN116526129A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310278345.2

    申请日:2023-03-21

    Abstract: 本发明公开了薄膜微带反射阵单元,依次紧贴包括金属贴片层、聚酰亚胺薄膜层、空气层和金属地板支撑层;本发明以薄膜作为介质对微带反射阵天线单元进行设计,结构简单、便于折叠且质量轻,可以满足大口径星载天线折展的需求;考虑到构成薄膜反射阵列天线后,在折叠过程中存在折痕的情况,本发明还公开了规避折痕的微带反射阵布局方法,分析了正方形、三角形、圆形栅格下的布局情况,然后根据折痕位置计算得出不同布局下反射阵单元与折痕相交的单元个数,通过旋转或者去除单元的方式进行折痕的规避,通过调节天线单元的方式,首次提出了一种规避折痕影响的薄膜微带反射阵单元布局方案。

    一种单粒子加固有效性系统级验证方法

    公开(公告)号:CN111079356B

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN201911285318.8

    申请日:2019-12-13

    Abstract: 本发明提供了一种单粒子加固有效性系统级验证方法,解决现有现有技术验证成本高、难以获知芯片工作的更多细节、无法充分说明系统加固的有效性的问题。该方法通过转化得到电路设计D的管级网表T,将管级网表T、激励S和测量M1构成完整的仿真网表,执行Spice仿真,得出基准波形;再将管级网表T、激励S、测量M2以及故障F拼接成完整的含故障源仿真网表,执行Spice仿真,记录加固电路受到粒子入射影响时待检测的各节点波形;对比波形得出粒子入射导致加固电路的出错情况,分析计算各项数据参数;每次随机选取不同的故障注入点,多次仿真并统计出错情况,进而说明电路整体的加固有效性。

    一种三路测试的单粒子瞬态脉冲宽度测量电路

    公开(公告)号:CN110988496B

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN201911283289.1

    申请日:2019-12-13

    Abstract: 本发明提供一种三路测试的单粒子瞬态脉冲宽度测量电路,该电路包括:基于传统单粒子瞬态脉冲宽度测量电路的改进电路、基于经典链状单粒子瞬态脉冲宽度测量电路的直接触发式电路、基于经典链状单粒子瞬态脉冲宽度测量电路的片上自触发式电路以及表决模块,表决模块将三个测量电路测得的脉冲宽度范围进行与操作,取得最小区间脉冲宽度范围作为最终测量结果。本发明能够测量多个脉冲宽度范围,分辨率较高,并能确认测量电路是否受到轰击,对研究纳米工艺下芯片的可靠性有重要意义。

    一种针对系统级单粒子效应的混合仿真分析方法

    公开(公告)号:CN111027279A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201911285081.3

    申请日:2019-12-13

    Abstract: 本发明公开了一种针对系统级单粒子效应的混合仿真分析方法。该仿真方法包括以下步骤:步骤一:搭建目标系统,并划分功能模块;步骤二:建立对应模块各层次的模型,包括RTL模型、行为级模型和SPICE管级模型;步骤三:组建包含不同层级模块的电路系统;步骤四:准备电路的仿真激励文件;步骤五:对电路系统进行混合仿真,同时指定的SPICE管级模块进行单粒子故障注入步骤六:完成仿真,根据仿真结果进行数据的比对和整理。本发明减少了SPICE级电路模块的规模,电路系统的仿真速度得到有效提高;同时能够实现任意时刻、对随机的电路节点注入故障电流源,且故障电流源的峰值与脉宽在一定范围内随机,并自动分析仿真结果。

    一种三路测试的单粒子瞬态脉冲宽度测量电路

    公开(公告)号:CN110988496A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911283289.1

    申请日:2019-12-13

    Abstract: 本发明提供一种三路测试的单粒子瞬态脉冲宽度测量电路,该电路包括:基于传统单粒子瞬态脉冲宽度测量电路的改进电路、基于经典链状单粒子瞬态脉冲宽度测量电路的直接触发式电路、基于经典链状单粒子瞬态脉冲宽度测量电路的片上自触发式电路以及表决模块,表决模块将三个测量电路测得的脉冲宽度范围进行与操作,取得最小区间脉冲宽度范围作为最终测量结果。本发明能够测量多个脉冲宽度范围,分辨率较高,并能确认测量电路是否受到轰击,对研究纳米工艺下芯片的可靠性有重要意义。

    基于CCD相机的抑制外差探测中退相干效应的装置和方法

    公开(公告)号:CN109100026A

    公开(公告)日:2018-12-28

    申请号:CN201810798530.3

    申请日:2018-07-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于CCD相机的抑制外差探测中退相干效应的装置和方法,其中装置包括:激光器、第一分束片、本振光路声光移频器、信号光路声光移频器、第二分束片、光学天线、反射镜、第三分束片、CCD相机、图像信号处理系统和信噪比反馈系统;通过两个移频器将中频外差信号频率降至CCD相机可探测区间,通过图像处理技术识别不同像元光外差信号间的相位差,并根据所述相位差调整图像信号输出序列,使得各像元输出信号同相叠加输出,同时,能够根据外差信号信噪比重新调整外差信号输出序列和根据调整后的外差信号输出序列重新计算光外差信号信噪比,直至输出的光外差信号信噪比大于或等于阈值,明显提高了外差探测信噪比。

    一种折纸反射阵天线分块布局方法

    公开(公告)号:CN119627455A

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN202411905619.7

    申请日:2024-12-23

    Abstract: 本发明公开了一种折纸反射阵天线分块布局方法,解决了现有技术中反射阵单元周期性、对称性、规则性的分布特征与折纸构型的非周期性、非对称性、非规则性之间的不适配问题;该方法包括:完成布局前的准备工作,依次对折纸反射阵内的各面板进行独立布局设计;面板的独立布局设计包括:生成初始布局,根据初始布局确定单元类型,删除板外单元,保留板内单元;对于相交单元,建立布局设计模型,优化变量为相交单元中心位置偏移量,约束条件为偏移后的相交单元不与折痕和相邻单元相交,并以最小化所有相交单元偏移量平方和为优化目标;此方法在规避折痕的同时补偿了电磁波到达面板边缘的相位,减小了折痕对天线电磁性能的负面影响。

    折痕对薄膜反射阵天线单元的影响分析及布局设计方法

    公开(公告)号:CN118607138A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410655088.4

    申请日:2024-05-24

    Abstract: 本发明公开了一种折痕对薄膜反射阵天线单元的影响分析及布局设计方法,涉及空间可展开天线技术领域,解决了现有技术中薄膜展开后留有的折痕变形对天线单元特性的影响问题;该方法包括:获取带折痕的薄膜天线的初始天线阵列,并确定初始天线阵列的天线单元;采用有限元方法对带折痕的薄膜天线进行展开特性分析,得到分析结果;利用其确定不同载荷下薄膜展开特性的建模结果;再建立带折痕的天线单元电磁分析模型,并对天线单元电磁分析模型进行折痕分析,得到相位误差量;利用相位误差量对初始天线阵列的相位进行误差修正,得到修正后的天线阵列;该方法实现了通过分析折痕影响关系,为后续电性能较优的反射阵天线设计提供理论依据和指导。

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