公开(公告)号：CN101404834B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200810232210.8

申请日：2008-11-10

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 郝跃 ,  李志明 ,  张进诚 ,  白俊春

IPC分类号： H05B6/02 ,  H05B6/36

摘要： 本发明公开了一种电磁加热装置，主要解决半导体衬底加热不均匀问题。该装置包括发热体和线圈，线圈(5)缠绕在发热体(1)的外部，发热体(1)上开有环形槽(6)，以改变热传导方向。当线圈中通入交变电流时，发热体上的环形槽(6)将发热体因感应产生的热量分成两部分，其中位于槽上方的一部分热量直接对发热体上表面或放于其上的衬底边缘附近进行加热；位于槽下方的另一部分热量由于槽的阻断，则沿槽的下部分绕过而传至发热体的中心附近，以提高发热体上表面温度分布的均匀性，使被加热的衬底(4)均匀受热，本发明可用于MOCVD反应室内获得均匀的淀积膜层。

公开(公告)号：CN101404834A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810232210.8

申请日：2008-11-10

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 郝跃 ,  李志明 ,  张进诚 ,  白俊春

IPC分类号： H05B6/02 ,  H05B6/36

摘要： 本发明公开了一种电磁加热装置，主要解决半导体衬底加热不均匀问题。该装置包括发热体和线圈，线圈(5)缠绕在发热体(1)的外部，发热体(1)上开有环形槽(6)，以改变热传导方向。当线圈中通入交变电流时，发热体上的环形槽(6)将发热体因感应产生的热量分成两部分，其中位于槽上方的一部分热量直接对发热体上表面或放于其上的衬底边缘附近进行加热；位于槽下方的另一部分热量由于槽的阻断，则沿槽的下部分绕过而传至发热体的中心附近，以提高发热体上表面温度分布的均匀性，使被加热的衬底(4)均匀受热，本发明可用于MOCVD反应室内获得均匀的淀积膜层。