公开(公告)号：CN118540972A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410309316.2

申请日：2024-03-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡显刚 ,  李秉晟 ,  林珍华 ,  常晶晶

IPC: H10K39/15 ,  H10K30/50 ,  H10K30/15 ,  H10K30/82 ,  H10K71/00

Abstract: 一种基于碳纳米管电极的钙钛矿‑碳纳米管\硅异质结四端式叠层电池及其制备方法，四端式叠层电池结构包括由下而上堆叠而成的碳纳米管\硅异质结底电池和钙钛矿顶电池，方法：制备碳纳米管\硅异质结底电池，其由下而上包括金属电极、N型硅、第一碳纳米管层和透明绝缘层；制备钙钛矿顶电池，其由下而上包括第二碳纳米管层、钙钛矿吸收层、电子传输层和导电玻璃；将钙钛矿顶电池压印在碳纳米管\硅异质结底电池上，形成钙钛矿‑碳纳米管\硅异质结四端叠层太阳能电池；本发明采用碳纳米管薄膜替代传统的金属电极和空穴传输层，可以显著改善钙钛矿‑碳纳米管\硅异质结叠层电池的性能，极大的简化了工艺和降低了成本，并扩展太阳能电池的应用范围。

公开(公告)号：CN118215314A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410309306.9

申请日：2024-03-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 胡显刚 ,  李秉晟 ,  林珍华 ,  常晶晶

IPC: H10K39/15 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00

Abstract: 一种钙钛矿‑碳纳米管\硅异质结两端式叠层电池及其制备方法，该叠层电池结构由下至上依次包括：第一碳纳米管层、钙钛矿吸光层、电子传输层、复合层、第二碳纳米管层、N型硅层和金属电极；制备方法：制备碳纳米管\硅异质结底电池，包括从下至上的第一碳纳米管、N型硅层和金属电极；在第一碳纳米管层表面制备复合层；在复合层表面制备钙钛矿顶电池，包括从上至下的电子传输层、钙钛矿吸光层和第二碳纳米管层；本发明采用碳纳米管\硅异质结太阳能电池作为底电池，基于碳纳米管电极的无空穴传输层的钙钛矿太阳能电池作为顶电池，能够简化两端式叠层器件的结构和制备过程，制备的叠层电池具有高稳定、低成本和客观的转换效率。