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公开(公告)号：CN119049971A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411166944.6
申请日：2024-08-23
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种增强型GaN HEMT器件的制备方法，包括在衬底层表面依次生长缓冲层、沟道层、势垒层以及p‑GaN帽层，得到外延结构，沟道层与势垒层形成异质结，沟道层与势垒层形成异质结的界面形成二维电子气作为导电沟道；对部分p‑GaN帽层进行电子束辐照，激活其中的Mg杂质，得到P型GaN栅；在P型GaN栅上制备栅金属电极，二维电子气导电沟道受到P型GaN栅和栅金属电极调控；本发明通过电子束选择性激活p‑GaN帽层制备得到p型GaN栅，有效减少常规增强型GaN HEMT器件制造过程中刻蚀损伤对二维电子气密度和器件动态特性的影响，有利于提高器件的饱和电流，减小器件的动态导通电阻，增强器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN119029026A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411125714.5
申请日：2024-08-16
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种p型帽层场板高电子迁移率晶体管，包括依次设置的衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层、p型帽层和栅金属电极，其中，所述沟道层、所述势垒层为三族氮化物半导体材料；在沟道层上位于势垒层两侧设置源电极和漏电极，源电极和漏电极与所述势垒层形成欧姆接触；所述栅金属电极与p型帽层形成欧姆接触或者肖特基接触；所述沟道层与所述势垒层的异质结表面形成二维电子气作为导电沟道，并受到所述p型帽层和所述栅金属电极调控；所述p型帽层在靠近漏电极一侧具有锯齿状结构，以抑制沟道层中的电场尖峰，提高器件击穿电压。本发明能够克服传统器件边缘处的电场尖峰问题，降低边缘电场，提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN115295539B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202210958856.4
申请日：2022-08-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多层掺杂Al1‑xScxN的铁电薄膜存储器及其制备方法，包括自下而上依次布置的硅衬底层、TiN下电极层、Sc掺杂浓度为12.5％的Al0.875Sc0.125N下缓冲层、Sc掺杂浓度为25％的Al0.75Sc0.25N铁电材料层、Sc掺杂浓度为12.5％的Al0.875Sc0.125N上缓冲层、TiN上电极层；所述TiN下电极层与TiN上电极层厚度均为30纳米，Al0.875Sc0.125N缓冲层厚度均为10纳米，Al0.75Sc0.25N铁电材料层厚度为80纳米。本发明不仅有利于材料的高质量生长，同时提高了器件的耐压性，其工作时的稳定性与可靠性得以保障。可以进一步简化现有铁电存储器制作工艺，操作安全简单，生产成本得以降低。
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公开(公告)号：CN118943215A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410982916.5
申请日：2024-07-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/109 , H01L31/18 , G01J1/42 , C23C14/24 , C23C14/08 , C23C14/54 , G01J1/44
Abstract: 本发明属于半导体薄膜及器件制备技术领域，具体涉及厚度可调控的氧化镓‑二氧化碲PN结及其热蒸发制备方法与应用，包括如下步骤：选用氧化镓作为蒸发源，将衬底置于真空蒸镀设备中蒸镀氧化镓薄膜；再选用二氧化碲作为蒸发源，在氧化镓薄膜上蒸镀二氧化碲薄膜；最后在薄膜上蒸镀金属电极，可以得到平行堆叠型或十字交叉型的氧化镓‑二氧化碲PN结器件。本发明的优点是可以在任何基板上低成本实现大面积半导体薄膜的制备；薄膜厚度可控。相比单沟道器件探测器，PN结探测器具有高灵敏性和响应度、高光暗电流比、低功耗、高灵敏性和抗电压浪涌的特点，在高性能日盲紫外探测器领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN115188928B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202210882010.7
申请日：2022-07-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 一种氮掺杂的MXene硫正极的制备方法，制备Ti3C2Tx MXene，并将其与氨基酸溶液加热反应，其表面的羟基与氨基酸分子的羧基发生酯化反应，真空抽滤得到氨基酸修饰的自支撑复合材料；将该材料在惰性气体氛围下热处理，得到氮掺杂Ti3C2Tx MXene复合基底；最后在该复合基底上沉积硫单质，得到氮掺杂的MXene硫正极。本发明能有效避免后续加工过程中氨基酸和Ti3C2TxMXene的分离，同时避免Ti3C2Tx MXene层间再次堆叠，且制作工艺简单、环保。本发明通过热处理得到氮掺杂的Ti3C2Tx MXene复合基底，可提高氮原子在复合基底上的数量，高效锚定并活化多硫化锂，有效避免“穿梭效应”，提高电池循环的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115424940B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202211026540.8
申请日：2022-08-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L21/46 , H01L21/02 , C01B32/194
Abstract: 一种表面P型氧化镓的制备方法，在衬底上生长氧化镓层，然后通过表面功能化生长制备单层极性氢氟化石墨烯，最后采用转印聚合物对极性氢氟化石墨烯进行二次转移调整方向之后，转移到氧化镓层上，构建形成氧化镓/极性氢氟化石墨烯异质结界面，利用异质结界面强烈的电荷转移获得无晶格受损的表面P型氧化镓。本发明摒弃了传统的离子掺杂工艺，采用异质工程转移自对准工艺制备表面P型氧化镓，降低了成本，简化了工艺。本发明通过界面电荷转移效率实现氧化镓表面的电子抽取和空穴注入，不会阻碍载流子的输运特性。本发明通过异质工程制备的P型氧化镓，通过界面强烈的电荷转移实现，对氧化镓表面进行有效的空穴注入，从而实现更加有效的P型氧化镓。
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公开(公告)号：CN118198171A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410144376.3
申请日：2024-02-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种AlN/Al1‑xScxN异质结日盲探测器及其制备方法，使用铁电性能更佳的Al1‑xScxN铁电材料与AlN形成异质结，既能保证与AlN的最小晶格失配，又能保证铁电层的高质量生长。器件耗尽区的宽度与内置电场的强度变得可由去极化场来调节，充分促进了光生载流子的分离。其次使用较薄的AlN层能够有效提高内建电场强度与2DEG浓度，进而增加光生电子迁移率，且在外电场施加下呈现更好的铁电性，使器件在工作时探测更为精准、响应度和响应速率更高。同时本发明提出了所述AlN/Al1‑xScxN异质结日盲探测器的制备方法，能与现有CMOS工艺兼容，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN117135933A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311078856.6
申请日：2023-08-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H10B63/00 , H10N70/20 , H10N70/00 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C14/30 , C23C14/16 , C23C14/18
Abstract: 本发明公开了一种深紫外感存算一体单极性忆阻器及其制备方法。主要解决现有技术对深紫外波段的灵敏度低、可靠性不高且不便数字集成的问题。其自下而上包括：衬底(1)、底电极(2)、光电忆阻功能层(3)和顶电极(4)。所述光电忆阻功能层，采用宽禁带半导体材料Ga2O3，其厚度为20nm～30nm，以使器件的阻变特性表现为单极性，提高器件的灵敏度、阻变特性和可靠性；所述顶电极，采用的金属材料Ag，其厚度为100nm～150nm，以配合Ga2O3材料进一步提高器件的阻变特性。本发明对深紫外光具有很强的光响应，热稳定性好，能兼容CMOS工艺，且具有出色的阻变性能，便于大规模集成，可用于深紫外光的感存算一体化。
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公开(公告)号：CN116995114A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310923405.1
申请日：2023-07-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于Ga2O3/AlScN异质结的自驱动日盲探测器及制备方法，该自驱动日盲探测器采用新兴的铁电材料AlScN与Ga2O3构成的异质结，通过铁电侧的去极化场调节内置电场的强度及半导体侧的耗尽区宽度，促进光生载流子的分离，提升了Ga2O3异质结自驱动日盲探测器的响应度和响应速率。由于AlScN有着与大多数铁电材料不同的高电导率，使得器件性能不会受到电导率的限制。本发明使用的AlScN材料的带隙与Ga2O3接近，使得该自驱动日盲探测器不会对日盲波段外的光信号进行响应，提升了该自驱动日盲探测器的探测精度，避免了无关的光信号的干扰。
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公开(公告)号：CN116801704A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310951315.3
申请日：2023-07-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种AlBN基铁电隧道结器件及其制备方法，主要解决现有器件无法平衡存储性能以及进行非破坏性读取，导致器件性能不佳的问题。主要结构为金属/铁电/绝缘体/半导体叠层结构，从下至上包括重掺杂P型Si衬底以及依次生长沉积的SiO2绝缘层、AlBN铁电层和钛/金顶电极；其中AlBN铁电层为厚度小于5nm的AlBN薄膜，钛/金顶电极是钛层位于金层下的两层结构，钛层直接接触AlBN铁电层。本发明利用AlBN材料的高极化强度和铁电特性的优势调节肖特基势垒形成高阻态和低阻态，能够进一步压缩器件尺寸，并提升存储性能和可擦写次数，在铁电隧道结存储器方面具备广阔的应用前景。
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