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公开(公告)号：CN111668101B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202010496654.3
申请日：2020-06-03
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/20 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，其中，所述增强型氮化镓高电子迁移率晶体管包括：晶圆，设置在所述晶圆上的源电极和漏电极，设置在所述晶圆上且位于所述源电极和所述漏电极之间的栅电极；其中，所述晶圆包括氮化镓外延结构；所述晶圆内设有一非晶材料区域，所述非晶材料区域位于所述栅电极下面。本发明提供的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管通过对栅电极下面的部分势垒层进行离子注入，破坏晶格结构，形成非晶材料，从而对栅电极下面的二维电子气形成耗尽，以实现增强型晶体管的设计，其结构简单，工艺过程易于控制，成本较低，且器件可靠性高。
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公开(公告)号：CN110161724A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910267102.2
申请日：2019-04-03
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G02F1/03
摘要： 本发明公开了一种电光调制器、电光调制器的调制方法及制备方法，其中，一种电光调制器，包括：衬底层1；夹层结构层，位于所述衬底层1上，所述夹层结构层自下而上依次包括第一石墨烯层2、硅层3和第二石墨烯层4；包层5，位于所述夹层结构层上；纳米线6，内嵌于所述包层5，且所述纳米线6与所述夹层结构之间有间隙。本发明根据在所述电光调制器的第二石墨烯层4和包层5的连接处外加电压得到光传播长度，通过所述光传播长度与所述电光调制器的长度关系进行输出调制，即通过控制所述外加电压实现最终的调制，使得其调制深度接近于100％。
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公开(公告)号：CN111443504B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010176198.4
申请日：2020-03-13
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种中红外电压可调节滤波器及其制备方法、滤波方法，该中红外电压可调节滤波器包括衬底层；夹层结构层，位于所述衬底层上，其中，所述夹层结构层自下而上依次包括第一石墨烯层、六方氮化硼层和第二石墨烯层，所述第一石墨烯层的一端具有第一延伸部，所述第一延伸部表面镀有第一金属膜，所述第二石墨烯层的一端具有第二延伸部，所述第二延伸部的表面镀有第二金属膜；包层，位于所述夹层结构层上。该中红外电压可调节滤波器可以在中红外波段进行滤波，滤除空间中的噪声信号等干扰信号，允许中红外波段中的一部分波通过，避免了干扰信号对信息传递产生不利影响。
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公开(公告)号：CN111969046A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010683068.X
申请日：2020-07-15
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明涉及一种高线性度增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及制备方法，高线性度增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，包括：晶圆，晶圆包括三族氮化物异质结，异质结界面形成二维电子气；位于晶圆上两端的源电极和漏电极；栅电极，设置在晶圆上，且位于源电极和漏电极之间；若干p型三族氮化物区，间隔设置在三族氮化物异质结内，且位于栅电极的下方，若干p型三族氮化物区与三族氮化物异质结形成纳米沟道带状结构。本发明的晶体管，在栅电极下设置有纳米沟道带状结构，实现了p型三族氮化物区对三族氮化物异质结的二维电子气的耗尽，形成了增强型的氮化镓高电子迁移率晶体管，而且提高了晶体管的跨导曲线的平坦度和线性度。
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公开(公告)号：CN111736367B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202010484876.3
申请日：2020-06-01
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了提供一种基于石墨烯的相位调制器、调制方法及制备方法，该相位调制器，包括：自下而上设置于基板上的衬底层、夹层结构和金属层，其中，所述夹层结构自下而上依次包含下约束层、石墨烯层和上约束层；所述石墨烯层的部分表面具有金属薄膜，用于作为外加电压的接地端。衬底层为二氧化硅层；上约束层和下约束层分别为硅层。金属层为铝层。本发明利用石墨烯的电光可调特性，在入射光波长为1550nm时实现对相位的调节，且相位调制器的尺寸较小，有利于实现光电器件小尺寸，高集成的目标。
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公开(公告)号：CN111443504A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010176198.4
申请日：2020-03-13
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种中红外电压可调节滤波器及其制备方法、滤波方法，该中红外电压可调节滤波器包括衬底层；夹层结构层，位于所述衬底层上，其中，所述夹层结构层自下而上依次包括第一石墨烯层、六方氮化硼层和第二石墨烯层，所述第一石墨烯层的一端具有第一延伸部，所述第一延伸部表面镀有第一金属膜，所述第二石墨烯层的一端具有第二延伸部，所述第二延伸部的表面镀有第二金属膜；包层，位于所述夹层结构层上。该中红外电压可调节滤波器可以在中红外波段进行滤波，滤除空间中的噪声信号等干扰信号，允许中红外波段中的一部分波通过，避免了干扰信号对信息传递产生不利影响。
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公开(公告)号：CN110161724B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910267102.2
申请日：2019-04-03
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G02F1/03
摘要： 本发明公开了一种电光调制器、电光调制器的调制方法及制备方法，其中，一种电光调制器，包括：衬底层1；夹层结构层，位于所述衬底层1上，所述夹层结构层自下而上依次包括第一石墨烯层2、硅层3和第二石墨烯层4；包层5，位于所述夹层结构层上；纳米线6，内嵌于所述包层5，且所述纳米线6与所述夹层结构之间有间隙。本发明根据在所述电光调制器的第二石墨烯层4和包层5的连接处外加电压得到光传播长度，通过所述光传播长度与所述电光调制器的长度关系进行输出调制，即通过控制所述外加电压实现最终的调制，使得其调制深度接近于100％。
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公开(公告)号：CN111736367A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010484876.3
申请日：2020-06-01
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了提供一种基于石墨烯的相位调制器、调制方法及制备方法，该相位调制器，包括：自下而上设置于基板上的衬底层、夹层结构和金属层，其中，所述夹层结构自下而上依次包含下约束层、石墨烯层和上约束层；所述石墨烯层的部分表面具有金属薄膜，用于作为外加电压的接地端。衬底层为二氧化硅层；上约束层和下约束层分别为硅层。金属层为铝层。本发明利用石墨烯的电光可调特性，在入射光波长为1550nm时实现对相位的调节，且相位调制器的尺寸较小，有利于实现光电器件小尺寸，高集成的目标。
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公开(公告)号：CN111668101A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010496654.3
申请日：2020-06-03
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/20 , H01L29/06
摘要： 本发明公开了一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，其中，所述增强型氮化镓高电子迁移率晶体管包括：晶圆，设置在所述晶圆上的源电极和漏电极，设置在所述晶圆上且位于所述源电极和所述漏电极之间的栅电极；其中，所述晶圆包括氮化镓外延结构；所述晶圆内设有一非晶材料区域，所述非晶材料区域位于所述栅电极下面。本发明提供的增强型氮化镓高电子迁移率晶体管通过对栅电极下面的部分势垒层进行离子注入，破坏晶格结构，形成非晶材料，从而对栅电极下面的二维电子气形成耗尽，以实现增强型晶体管的设计，其结构简单，工艺过程易于控制，成本较低，且器件可靠性高。
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