公开(公告)号：CN114171866A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111363252.7

申请日：2021-11-17

申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

发明人： 刘晓贤 ,  刘诺 ,  朱樟明 ,  范晨晖 ,  张涛 ,  刘阳 ,  卢启军

IPC分类号： H01P1/208

摘要： 本发明涉及一种玻璃基超宽阻带微波滤波器及双工器，微波滤波器包括依次层叠的第一金属层、介质层和第二金属层，其中，所述第一金属层的侧壁设置有输入端口和输出端口，所述第一金属层上开设有耦合凹槽；所述介质层中贯穿有多个导体柱，所述多个导体柱与所述第一金属层、所述第二金属层形成第一阶谐振腔、第二阶谐振腔、第三阶谐振腔和第四阶谐振腔；所述第二金属层上开设有第一矩形窗口、第二矩形窗口、第三矩形窗口和第四矩形窗口。该滤波器在第二阶谐振腔R2和第三阶谐振腔R3之间引入耦合凹槽，产生了电耦合，使得滤波器采用单层的结构就能实现滤波，从而无需采用双层键合的方式，制备工艺简单，得到的滤波器厚度较薄。

公开(公告)号：CN114171866B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202111363252.7

申请日：2021-11-17

申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

发明人： 刘晓贤 ,  刘诺 ,  朱樟明 ,  范晨晖 ,  张涛 ,  刘阳 ,  卢启军

IPC分类号： H01P1/208

摘要： 本发明涉及一种玻璃基超宽阻带微波滤波器及双工器，微波滤波器包括依次层叠的第一金属层、介质层和第二金属层，其中，所述第一金属层的侧壁设置有输入端口和输出端口，所述第一金属层上开设有耦合凹槽；所述介质层中贯穿有多个导体柱，所述多个导体柱与所述第一金属层、所述第二金属层形成第一阶谐振腔、第二阶谐振腔、第三阶谐振腔和第四阶谐振腔；所述第二金属层上开设有第一矩形窗口、第二矩形窗口、第三矩形窗口和第四矩形窗口。该滤波器在第二阶谐振腔R2和第三阶谐振腔R3之间引入耦合凹槽，产生了电耦合，使得滤波器采用单层的结构就能实现滤波，从而无需采用双层键合的方式，制备工艺简单，得到的滤波器厚度较薄。

公开(公告)号：CN114171876B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202111363254.6

申请日：2021-11-17

申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

发明人： 刘晓贤 ,  范晨晖 ,  朱樟明 ,  刘诺 ,  张涛 ,  刘阳 ,  卢启军

IPC分类号： H01P5/16

摘要： 本发明涉及一种Ka波段宽阻带滤波功分器，包括依次层叠的第一金属层、介质层和第二金属层，第一金属层的侧壁上设置有输入耦合线、第一输出耦合线和第二输出耦合线，第一金属层的中间开设有S型凹槽；介质层中贯穿有多个导体柱，多个导体柱与第一金属层、第二金属层形成第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔和第五谐振腔。该滤波功分器的输入耦合线和输出耦合线深入到谐振腔的内部，采用输入输出深馈线的结构实现电耦合，与第二谐振腔、第三谐振腔之间利用S型凹槽结构实现的电耦合，共同构成了滤波器合理的耦合矩阵，并利用各个寄生电磁模式的分布特点实现了对高次模腔间耦合的有效抑制，实现了优秀的滤波功分器带外抑制特性。

公开(公告)号：CN114171876A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111363254.6

申请日：2021-11-17

申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

发明人： 刘晓贤 ,  范晨晖 ,  朱樟明 ,  刘诺 ,  张涛 ,  刘阳 ,  卢启军

IPC分类号： H01P5/16

摘要： 本发明涉及一种Ka波段宽阻带滤波功分器，包括依次层叠的第一金属层、介质层和第二金属层，第一金属层的侧壁上设置有输入耦合线、第一输出耦合线和第二输出耦合线，第一金属层的中间开设有S型凹槽；介质层中贯穿有多个导体柱，多个导体柱与第一金属层、第二金属层形成第一谐振腔、第二谐振腔、第三谐振腔、第四谐振腔和第五谐振腔。该滤波功分器的输入耦合线和输出耦合线深入到谐振腔的内部，采用输入输出深馈线的结构实现电耦合，与第二谐振腔、第三谐振腔之间利用S型凹槽结构实现的电耦合，共同构成了滤波器合理的耦合矩阵，并利用各个寄生电磁模式的分布特点实现了对高次模腔间耦合的有效抑制，实现了优秀的滤波功分器带外抑制特性。