公开(公告)号：CN117812863A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311854949.3

申请日：2023-12-29

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 陈伟伟 ,  杨飞 ,  殷康 ,  胡宽 ,  夏维娟 ,  张立 ,  王程

IPC: H05K5/02 ,  H03F3/189 ,  H03F3/20 ,  H05K5/06 ,  H05K5/00

Abstract: 本发明涉及一种气密封装的高频固态功放装置，包括：底座、管壳、盖板、隔墙、低频引线以及高频引线；其中，管壳为矩形块，在其内部沿轴线方向开有一矩形通孔，底座将矩形通孔封闭；在管壳内部与矩形通孔垂直方向开有两个工字型盲孔；高频引线包括第一高频引线、第二高频引线、第三高频引线；低频引线穿过管壳，为驱动放大单元、功率放大单元供电；隔墙置于矩形通孔中间位置，将管壳内部分为前后两个腔体；前腔体中设置第一介质片、第二介质片、第一热沉、第一衰减单元以及驱动放大单元。本发明实现了对信号的放大及管壳内部的气密封装。

公开(公告)号：CN113539838A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110593216.3

申请日：2021-05-28

Applicant: 西安空间无线电技术研究所

Inventor： 杨章 ,  安笑笑 ,  朱光耀 ,  杨飞 ,  陈伟伟 ,  王程 ,  杨阳

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明涉及一种星载固态功放大功率微波器件散热方法，具体步骤包括：载体选择：将半导体器件待焊接在载体上，选用热导率高于440w/mk的载体材料；载体材料加工及表面处理：将载体材料加工为大尺寸的板状结构，确保载体表面凹坑或压痕深度不超过0.03mm，表面毛刺或凸起高度不超过0.03mm；载体表面分别镀镍及银；将半导体器件焊接在载体上，通过X光机检查载体组件焊接面质量，使焊接面的空洞率不大于30％。本发明选用热导率高于440w/mk的载体材料，在焊接过程控制焊接面的空洞率不大于30％，提高了大功率半导体微波器件热传导路径上的热导率，从而降低了半导体器件的工作结温。