-
公开(公告)号：CN115342909A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110538797.0
申请日：2021-05-15
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及高功率激光空域分布测试领域，主要涉及一种在线激光光斑分布测试系统，尤其是涉及一种基于光纤侧面编码阵列的单脉冲激光光斑分布测试技术，光纤侧面编码阵列空间采样接收脉冲激光信号，将单脉冲激光光斑的空域分布转换为时域编码脉冲激光信号序列，光电探测器接收脉冲激光信号序列，示波器测量输出数字脉冲激光信号序列，计算机软件解码获得激光光斑的空域分布。
-
公开(公告)号：CN115149398A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210763515.1
申请日：2022-06-30
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/028 , H01S5/0225
摘要： 本发明提供了一种基于腔面膜的边发射半导体激光器，用以解决常规镀膜后的半导体激光器光束质量差以及其后续使用多个光学元件产生的“回光”导致半导体激光器芯片可靠性低的技术问题。本发明提供的一种基于腔面膜的边发射半导体激光器，包括激光器基体、设置在激光器基体入光腔面上的高反膜和设置在激光器基体出光腔面上的增透膜；增透膜上设置有多个等宽等厚的凸起膜层，多个凸起膜层之间等距设置；凸起膜层宽度a取值范围为0.1λ～10λ，相邻两个凸起膜层的距离b取值范围为0.1λ～10λ，凸起膜层厚度d取值范围为0.1λ～5λ，其中，λ为激光器的出射波长。本发明还提供了另外两种不同结构的增透膜。
-
公开(公告)号：CN114400496A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111582518.7
申请日：2021-12-22
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体激光器阵列巴条制作方法及半导体激光器阵列巴条，主要解决现有激光器阵列巴条存在光束质量较差以及容易烧毁的问题。该方法在外延晶体表面层进行刻蚀，形成表面脊条结构，脊条宽度控制在1‑5微米，两脊之间间距大于5微米，以上设置不仅提高了阵列巴条的功率，而且使其光束质量远超宽条单管器件的光束质量，同时本发明方法在巴条边缘形成多次台阶，并覆盖绝缘层氧化膜层，此台阶及绝缘介质层避免了焊料溢出引发的微短路而导致器件烧毁的问题。
-
公开(公告)号：CN114400505B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202111582516.8
申请日：2021-12-22
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种用于多波长边发射半导体激光器的外延结构，主要解决现有多波长激光器光路复杂、结构复杂以及成本较高的问题。该外延结构包括由下至上依次设置的N型衬底、出射波长为λ1的量子阱单元、第一陷阱隧道结、出射波长为λ2的量子阱单元、第二陷阱隧道结、出射波长为λ3的量子阱单元和P型接触层；第一陷阱隧道结用于调制出射波长为λ1的量子阱单元、出射波长为λ2的量子阱单元激射的光场；第二陷阱隧道结用于调制出射波长为λ2的量子阱单元、出射波长为λ3的量子阱单元激射的光场；第一陷阱隧道结和第二陷阱隧道结均包括由下至上依次设置的P型陷阱层、P型重掺杂层、N型重掺杂层和N型陷阱层。
-
公开(公告)号：CN116031341A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211644694.3
申请日：2022-12-20
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种砷化镓基超辐射发光二极管及其制备方法，主要解决现有砷化镓基超辐射发光二极管采用腔面镀抗反射膜结合非泵浦吸收区以及弯曲波导、倾斜波导、锥形波导等技术来抑制谐振腔内的光振荡时，仍然会存在谐振增益，对其自身的功率等性能造成负面影响的技术问题。包括衬底层、设置于衬底层上的外延层、设置于外延层上的金属层；所述金属层为直线型结构；所述衬底层和外延层的出光面和背光面相互平行设置，出光面和背光面均沿背光面至出光面方向倾斜设置，定义出光面和背光面与水平方向所成钝角为倾斜角α，α的取值为100°～110°；所述出光面镀AR反射膜，反射率为0.5‑50％；所述背光面镀HR反射膜，反射率大于90％。
-
公开(公告)号：CN114486200B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202210107446.9
申请日：2022-01-28
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体激光器偏振测试方法及测试系统，主要解决现有偏振度的测试方法存在可靠性较低、测试成本较高以及无法确定准直光路是否与偏振分束棱镜处于有效夹角内的问题。该测试系统包括六维调节台、准直透镜、偏振分束棱镜、刻度调节板、功率探测装置、第一滑轨和第二滑轨；半导体激光器设置在安装在六维调节台上；准直透镜、偏振分束棱镜、功率探测装置和刻度调节板依次设置在半导体激光器的出射光路上；准直透镜对半导体激光器快轴慢轴进行光束准直；偏振分束棱镜设置在第一滑轨上；功率探测装置用于获取通过准直透镜和偏振分束棱镜激光束的光功率；刻度调节板设置在第二滑轨上。
-
公开(公告)号：CN114486200A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210107446.9
申请日：2022-01-28
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种半导体激光器偏振测试方法及测试系统，主要解决现有偏振度的测试方法存在可靠性较低、测试成本较高以及无法确定准直光路是否与偏振分束棱镜处于有效夹角内的问题。该测试系统包括六维调节台、准直透镜、偏振分束棱镜、刻度调节板、功率探测装置、第一滑轨和第二滑轨；半导体激光器设置在安装在六维调节台上；准直透镜、偏振分束棱镜、功率探测装置和刻度调节板依次设置在半导体激光器的出射光路上；准直透镜对半导体激光器快轴慢轴进行光束准直；偏振分束棱镜设置在第一滑轨上；功率探测装置用于获取通过准直透镜和偏振分束棱镜激光束的光功率；刻度调节板设置在第二滑轨上。
-
公开(公告)号：CN114400505A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111582516.8
申请日：2021-12-22
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种用于多波长边发射半导体激光器的外延结构，主要解决现有多波长激光器光路复杂、结构复杂以及成本较高的问题。该外延结构包括由下至上依次设置的N型衬底、出射波长为λ1的量子阱单元、第一陷阱隧道结、出射波长为λ2的量子阱单元、第二陷阱隧道结、出射波长为λ3的量子阱单元和P型接触层；第一陷阱隧道结用于调制出射波长为λ1的量子阱单元、出射波长为λ2的量子阱单元激射的光场；第二陷阱隧道结用于调制出射波长为λ2的量子阱单元、出射波长为λ3的量子阱单元激射的光场；第一陷阱隧道结和第二陷阱隧道结均包括由下至上依次设置的P型陷阱层、P型重掺杂层、N型重掺杂层和N型陷阱层。
-
公开(公告)号：CN115149400A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210771525.X
申请日：2022-06-30
申请人： 西安立芯光电科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种多波长半导体激光器芯片及其制作方法，用以解决现有多波长激光器光路复杂、结构复杂以及成本较高的技术问题。本发明的制作方法包括选取设置有至少两个量子阱单元的N型衬底；在N型衬底上部刻蚀形成相应的脊波导；淀积绝缘薄膜；在脊波导上分别刻蚀开孔；沉积P型金属层，形成相应数量的P电极；对N型衬底的底部进行减薄抛光；沉积N型金属层，形成N电极，多波长半导体激光器芯片制作完成。本发明提供的一种多波长半导体激光器芯片包括生长了至少两个量子阱单元的N型衬底；N型衬底底部沉积有N电极；N型衬底上部刻蚀形成有与量子阱单元数量相同的多个脊波导；每个脊波导上部沉积有相应的P电极。
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
9 条记录 (耗时 0.033 秒)
