公开(公告)号：CN109785895B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201910080160.4

申请日：2019-01-28

申请人： 西安紫光国芯半导体股份有限公司

发明人： 吕晶 ,  周小锋 ,  江喜平

IPC分类号： G11C29/42 ,  G11C29/44

摘要： 本发明提供了纠正NAND Flash中多比特错误的ECC装置和方法。该装置和方法通过将待处理数据进行空间变换，将数据从一维变换到二维空间，把数据位的错误分散到多个编码单元中，然后分别对行和列的维度上分别进行Hamming编码，将行ECC编码和列ECC编码以及数据一起保存在NAND Flash中。在数据读取时，将数据再次变换到二维空间，利用行ECC编码/列ECC编码分别进行校验，用列ECC校验成功的数据更新行数据，实现多比特纠错的目的。