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公开(公告)号：CN117294139A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311290118.8
申请日：2023-10-08
申请人： 西安航天民芯科技有限公司
IPC分类号： H02M3/07
摘要： 本发明公开了一种应用于电池管理芯片的负电压电荷泵电路，包括第一P型MOS管、第二P型MOS管、第三P型MOS管、第四P型MOS管、第五N型MOS管、第六N型MOS管、第七N型MOS管、第八N型MOS管。本发明提供的负电压电荷泵电路，由2路非交叠时钟信号，CLK1和CLK1D以及CLK2和CLK2D来控制负电压电荷泵单元输出节点的电荷，使负电压电荷泵单元的输出端实现建立快速可靠的负电压。
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公开(公告)号：CN117270620A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311552840.4
申请日：2023-11-21
申请人： 西安航天民芯科技有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明属于一种供压电路，针对现有带隙基准电路产生的基准电压和温度系数容易随着工艺的偏差而变化，且传统一阶温度补偿基准电路的温度系数较高，以及现有的齐纳电路作为补偿基准时，输出的基准电压精度较差的技术问题，提供一种二阶曲率补偿齐纳基准供压电路，未使用带隙基准结构，稳定性好，一阶基准电压随时间的变化仍然能保持优秀的稳定性。齐纳供电电路能够提供使齐纳二极管击穿的反向击穿电压，并提高启动速度。采用曲率补偿电路进行温度补偿，输出的二阶曲率补偿基准电压稳定性更好。另外，电阻修调网络能够应对工艺制造的偏差，通过修调既可以得到最佳的温度曲线，也可以在工艺有偏差时将齐纳基准电路中的齐纳二极管修调到理想状态。
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公开(公告)号：CN109521829A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811596082.5
申请日：2018-12-25
申请人： 西安航天民芯科技有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供一种具有全温段高阶温度补偿的电压基准源电路，其特征在于，包括PTAT产生电路模块、非线性负温系数电流产生电路模块、比例叠加输出电路模块、偏置电路模块、高温段温度补偿电路模块和低温段温度补偿电路模块，本发明提供的基准电压源采用多种方式的温度补偿方式对基准进行补偿，大大提高了基准的温度特性。
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公开(公告)号：CN114759907A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210406152.6
申请日：2022-04-18
申请人： 西安航天民芯科技有限公司
摘要： 本发明属于集成电路领域，公开了一种应用于隔离通信的极性脉冲调制解调电路，包括第一延时电路、第二延时电路、与门、非门、脉冲驱动电路、变压器、脉冲检测电路以及SR触发器；与门的第一输入端与第一延时电路输出端连接，第二输入端用于输入数字信号，输出端与脉冲驱动电路连接；非门的第一输入端与第二延时电路输出端连接，第二输入端用于输入输入信号，输出端与脉冲驱动电路连接；变压器的原边与脉冲驱动电路连接，副边依次与脉冲检测电路和SR触发器连接。通过延时电路具有稳定的延迟时间的特性，保证传输的脉冲信号的脉冲宽度的确定性，继而通过脉冲驱动电路控制脉冲信号的脉冲幅值，可保证脉冲信号在典型双绞线中实现长的通信距离。
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公开(公告)号：CN111026222A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911316730.1
申请日：2019-12-19
申请人： 西安航天民芯科技有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种基于开关电容的电压基准源电路，包括三极晶体管结电压VBE产生电路、开关电容电路、输出缓冲级电路。本发明基于开关电容的基准电压电路结构采用带有输入失调补偿电路的开关电容放大器来减小运算放大器输入失调电压对温度系数的影响,同时由于运算放大器失调电压和增益对电路整体性能的影响程度比常规基准降低，从而简化了运算放大器的设计难度，通常采用常规的运算放大器结构已能满足高性能的要求。
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公开(公告)号：CN109521829B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201811596082.5
申请日：2018-12-25
申请人： 西安航天民芯科技有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供一种具有全温段高阶温度补偿的电压基准源电路，其特征在于，包括PTAT产生电路模块、非线性负温系数电流产生电路模块、比例叠加输出电路模块、偏置电路模块、高温段温度补偿电路模块和低温段温度补偿电路模块，本发明提供的基准电压源采用多种方式的温度补偿方式对基准进行补偿，大大提高了基准的温度特性。
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公开(公告)号：CN117472140A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311763308.7
申请日：2023-12-21
申请人： 西安航天民芯科技有限公司
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明提供了一种带隙基准电路，属于模拟集成电路领域，电流注入模块的启动电路的输入端与电源AVDD连接；晶体管M13的漏极与启动电路的输出端连接，源极与节点Vbgr连接，栅极与电流偏置Ibp的引脚连接；晶体管M14的栅极和漏极均与电流偏置Ibp的引脚连接；电平抬升模块的输入端节点VI通过节点Vbgr与晶体管M13连接，电平抬升模块还通过节点D与启动电路连接；带隙基准核心模块输入端与节点VO连接，带隙基准核心模块还与节点Vbgr与电流注入模块及电平抬升模块均连接；曲率电流补偿电路的输入端节点VPTAT与带隙基准核心模块连接。本发明能够向带隙基准核心模块注入大电流，使电路摆脱零电流。
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公开(公告)号：CN114726360A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210536638.1
申请日：2022-05-17
申请人： 西安航天民芯科技有限公司
IPC分类号： H03K19/0185
摘要： 本发明公开了一种应用于电池管理的高压电平转换电路，电路结构为一个三级运放电路，第一N型MOS管MN1、第二N型MOS管MN2为运放第一级输入对管，第一P型MOS管MP1、第二P型MOS管MP2为运放第一级负载管，第三P型MOS管MP3、第一P型LDMOS管DP1、第二N型LDMOS管DN2、第三电阻R3、第四电阻R4和第五N型MOS管MN5构成运放第二级电路，其中第三P型MOS管MP3为运放第二级输入管。第六N型MOS管MN6、第三N型LDMOS管DN3、第八电阻R8和第七电阻R7构成运放第三级电路，其中第六N型MOS管MN6为运放第三级输入管。实现单节锂电池的电压信息采集和单向的电压转换。
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