公开(公告)号：CN101567334B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200810092369.4

申请日：2008-04-24

申请人： 西部数字(弗里蒙特)公司

发明人： C·尚 ,  Y-F·李 ,  Y·胡 ,  Y·申

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/22 ,  H01L23/522 ,  G11B5/39

CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3906 ,  Y10T29/49039 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044

摘要： 公开了一种加工隧道式磁阻性(TMR)读传感器的方法。在晶片衬底之上淀积绝缘层，在所述绝缘层之上淀积底部导线。在所述底部导线之上淀积具有多个叠层的分层TMR层。在所述TMR层中定义具有磁条高度的TMR传感器，还在所述TMR层中定义并联电阻器以及第一和第二分流电阻器。在所述TMR传感器之上淀积顶部导线。所述并联电阻器被电连接到所述底部导线和所述顶部导线上。所述第一分流电阻器被电连接到所述底部导线和所述晶片衬底上，所述第二分流电阻器被电连接到所述顶部导线和所述晶片衬底上。

公开(公告)号：CN101567334A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200810092369.4

申请日：2008-04-24

申请人： 西部数字(弗里蒙特)公司

发明人： C·尚 ,  Y-F·李 ,  Y·胡 ,  Y·申

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/22 ,  H01L23/522 ,  G11B5/39

CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3906 ,  Y10T29/49039 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044

摘要： 公开了一种加工隧道式磁阻性(TMR)读传感器的方法。在晶片衬底之上淀积绝缘层，在所述绝缘层之上淀积底部导线。在所述底部导线之上淀积具有多个叠层的分层TMR层。在所述TMR层中定义具有磁条高度的TMR传感器，还在所述TMR层中定义并联电阻器以及第一和第二分流电阻器。在所述TMR传感器之上淀积顶部导线。所述并联电阻器被电连接到所述底部导线和所述顶部导线上。所述第一分流电阻器被电连接到所述底部导线和所述晶片衬底上，所述第二分流电阻器被电连接到所述顶部导线和所述晶片衬底上。