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公开(公告)号:CN101567334B
公开(公告)日:2011-08-17
申请号:CN200810092369.4
申请日:2008-04-24
申请人: 西部数字(弗里蒙特)公司
IPC分类号: H01L21/82 , H01L21/768 , H01L27/22 , H01L23/522 , G11B5/39
CPC分类号: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , Y10T29/49039 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044
摘要: 公开了一种加工隧道式磁阻性(TMR)读传感器的方法。在晶片衬底之上淀积绝缘层,在所述绝缘层之上淀积底部导线。在所述底部导线之上淀积具有多个叠层的分层TMR层。在所述TMR层中定义具有磁条高度的TMR传感器,还在所述TMR层中定义并联电阻器以及第一和第二分流电阻器。在所述TMR传感器之上淀积顶部导线。所述并联电阻器被电连接到所述底部导线和所述顶部导线上。所述第一分流电阻器被电连接到所述底部导线和所述晶片衬底上,所述第二分流电阻器被电连接到所述顶部导线和所述晶片衬底上。
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公开(公告)号:CN100359563C
公开(公告)日:2008-01-02
申请号:CN200410100711.2
申请日:2004-12-10
申请人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号: G11B5/112 , G11B5/1278 , H01F41/32 , Y10T29/49039 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要: 一种具有切口、自动对齐的径屏的垂直写入磁头,用于使从该磁头发射的磁场倾斜。
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公开(公告)号:CN1143794A
公开(公告)日:1997-02-26
申请号:CN96111017.1
申请日:1996-06-07
申请人: 海门科技公司
IPC分类号: G11B5/245
CPC分类号: G11B5/3967 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , Y10T29/49034 , Y10T29/49039 , Y10T29/49043 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49067
摘要: 披露了一种制造可逆磁阻磁头的方法。该方法包括制造一个写部分,它包括位于有槽的基片(54)内的底极(56)。底极被填充铜线圈(64)和聚合物(58)。在聚合物部分上制造写间隙(64A),极尖(72)以及顶极(67)。顶极的顶面被弄成平面,并在顶极上制造底屏蔽(74),从而形成基本平滑的平面,在其上可以放置读部分。在写部分的顶上制造读部分,它包括第一读间隙(78),磁阻元件(80),第二读间隙(84)以及屏蔽(86)。
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公开(公告)号:CN102054483A
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN201010536310.7
申请日:2010-11-03
申请人: 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC分类号: G11B5/39
CPC分类号: G11B5/3163 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3909 , Y10T29/49039 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要: 本文涉及通过图案化的晶片退火改善读取头稳定性和写入头盖写性能的方法。公开了制造穿隧磁阻(TMR)读取头的方法。本发明提供包括至少一个铁磁层和至少一个非磁性绝缘层的TMR结构。在所述TMR结构上进行第一热退火工艺。在所述TMR结构上进行读取头图案限定工艺以得到图案化的TMR读取头。在所述图案化的TMR结构上进行第二热退火工艺。
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公开(公告)号:CN101567334A
公开(公告)日:2009-10-28
申请号:CN200810092369.4
申请日:2008-04-24
申请人: 西部数字(弗里蒙特)公司
IPC分类号: H01L21/82 , H01L21/768 , H01L27/22 , H01L23/522 , G11B5/39
CPC分类号: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3906 , Y10T29/49039 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044
摘要: 公开了一种加工隧道式磁阻性(TMR)读传感器的方法。在晶片衬底之上淀积绝缘层,在所述绝缘层之上淀积底部导线。在所述底部导线之上淀积具有多个叠层的分层TMR层。在所述TMR层中定义具有磁条高度的TMR传感器,还在所述TMR层中定义并联电阻器以及第一和第二分流电阻器。在所述TMR传感器之上淀积顶部导线。所述并联电阻器被电连接到所述底部导线和所述顶部导线上。所述第一分流电阻器被电连接到所述底部导线和所述晶片衬底上,所述第二分流电阻器被电连接到所述顶部导线和所述晶片衬底上。
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公开(公告)号:CN101258541A
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN200680027836.4
申请日:2006-07-24
申请人: 飞思卡尔半导体公司
发明人: 郑永瑞 , 罗伯特·W·贝尔德 , 格雷戈里·W·格里恩凯维希
IPC分类号: G11B5/127
CPC分类号: G01R33/06 , H01L43/12 , Y10T29/49032 , Y10T29/49034 , Y10T29/49036 , Y10T29/49039 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044
摘要: 提供用于感应物理参数的方法和设备。设备(30)包括磁性隧道结(MTJ)[32]以及磁场源(34),该磁场源的磁场(35)覆盖MTJ且其与MTJ的接近度响应于传感器输入而变化。至少在远离MTJ的MFS的面上提供磁屏蔽(33)。MTJ包括由电介质(37)分开的第一和第二磁性电极(36,38),该电介质构造成允许在该两个电极之间的显著隧穿导通。第一磁性区域使得其自旋轴固定而第二磁性电极使得其自旋轴自由。磁场源取向为相较于第一磁性电极更靠近第二磁性电极。通过提供多个电连接的传感器来扩展总体的传感器动态范围,这些传感器接收相同的输入但是具有各自不同的响应曲线,且期望但是不必需地形成在相同的基底上。
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公开(公告)号:CN1146867C
公开(公告)日:2004-04-21
申请号:CN96111017.1
申请日:1996-06-07
申请人: 西加特技术有限责任公司
IPC分类号: G11B5/39
CPC分类号: G11B5/3967 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , Y10T29/49034 , Y10T29/49039 , Y10T29/49043 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49067
摘要: 披露了一种制造逆磁电阻磁头的方法。该方法包括制造一个写部分,它包括位于有槽的基片(54)内的底极(56)。底极被填充铜线圈(64)和聚合物(58)。在聚合物部分上制造写间隙(64A),极尖(72)以及顶极(67)。顶极的顶面被弄成平面,并在顶极上制造底屏蔽(74),从而形成基本平滑的平面,在其上可以放置读部分。在写部分的顶上制造读部分,它包括第一读间隙(78),磁阻元件(80),第二读间隙(84)以及屏蔽(86)。
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公开(公告)号:CN102054483B
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201010536310.7
申请日:2010-11-03
申请人: 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC分类号: G11B5/39
CPC分类号: G11B5/3163 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3909 , Y10T29/49039 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要: 本文涉及通过图案化的晶片退火改善读取头稳定性和写入头盖写性能的方法。公开了制造穿隧磁阻(TMR)读取头的方法。本发明提供包括至少一个铁磁层和至少一个非磁性绝缘层的TMR结构。在所述TMR结构上进行第一热退火工艺。在所述TMR结构上进行读取头图案限定工艺以得到图案化的TMR读取头。在所述图案化的TMR结构上进行第二热退火工艺。
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公开(公告)号:CN101937685B
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201010216900.1
申请日:2010-06-24
申请人: 西部数据(弗里蒙特)公司
IPC分类号: G11B5/39
CPC分类号: G11B5/127 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , F27D7/06 , F27D19/00 , G01R33/098 , G11B5/3109 , G11B5/3163 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F41/303 , H01F41/307 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T29/49039 , Y10T29/49041 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要: 本发明描述了一种提供磁记录换能器的方法和系统。该方法和系统包括为磁性元件提供被钉扎层。一方面,提供了磁性元件的隧道势垒层的一部分。在提供该部分隧道势垒层后退火磁记录换能器。退火温度高于室温。在退火后提供隧道势垒层的剩余部分。另一方面,在退火磁换能器之前,磁换能器被转移至高真空退火装置。在该方面,可以在提供隧道势垒的任意部分之前或在提供隧道势垒的至少一部分之后退火磁换能器。退火在高真空退火装置中执行。还提供了磁性元件的自由层。
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公开(公告)号:CN101025922A
公开(公告)日:2007-08-29
申请号:CN200610142002.X
申请日:2006-10-08
申请人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号: G11B5/3116 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3136 , G11B5/3163 , G11B5/3967 , H01F41/041 , Y10T29/49039 , Y10T29/49043 , Y10T29/49062 , Y10T29/49064 , Y10T428/1121
摘要: 本发明涉及具有自对准线圈的记录头。在本发明一实施例中,写头包括:第一极P1;P1基座;镀在所述第一极P1上的第一背间隙层,留下所述P1基座与所述第一背间隙层之间的区域用于镀线圈;应用在所述P1基座和所述第一背间隙层以及所述P1基座与所述第一背间隙层之间的区域上的第一绝缘层。该写头还包括:线圈,至少部分地构图在所述P1基座和所述第一背间隙层以及所述P1基座与所述第一背间隙层之间的区域上,铜镀在所述线圈图案中;以及第二绝缘层,应用来填充所述线圈匝之间的所述空间。所得结构通过化学机械抛光被平坦化。
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