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公开(公告)号:CN1721580A
公开(公告)日:2006-01-18
申请号:CN200510081363.3
申请日:2005-06-28
Applicant: 西门子公司
Inventor: 厄休斯·克鲁格 , 丹尼尔·科特维尔耶西 , 拉尔夫·赖歇 , 简·斯坦巴克 , 加布里埃尔·温克勒
IPC: C25F5/00
Abstract: 承受工作负荷的构件往往可以通过酸处理重新投入使用。构件在酸内保持的持续时间迄今凭经验确定,从而没有考虑个性化的要求。按本发明的处理构件表面的方法建议,在构件上至少重复施加一测量电压(33),由此形成一流动电流I(t),该电流随时间的变化过程表示表面处理的状态并被用来判定是否终止或中断所述酸处理。
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公开(公告)号:CN1456704A
公开(公告)日:2003-11-19
申请号:CN03123484.4
申请日:2003-05-09
Applicant: 西门子公司
Abstract: 根据现有技术,在镀膜处理期间确定膜层厚度花费很大。其中,为了检查膜层厚度,必须切割参考样本并由此破坏参考样本。只有当参考样本具有所期望的膜层厚度时,才能采用与参考样本一起镀膜的元件。按照本发明的一种用于确定膜层厚度的方法允许在镀膜处理期间就地确定膜层厚度,其中,采用了一个传感器,该传感器通过镀膜过程以典型方式按获得各膜层的厚度改变所测量的电特性。
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公开(公告)号:CN100594260C
公开(公告)日:2010-03-17
申请号:CN200510065204.4
申请日:2005-04-14
Applicant: 西门子公司
IPC: C23C16/448 , C23C16/06 , C23C16/22
CPC classification number: F01D5/186 , C23C18/08 , C23C18/1208 , C23C18/1233 , C23C18/127 , C23C18/1283 , F01D5/005 , F05D2230/30 , Y02T50/67 , Y02T50/676 , Y10T428/12535
Abstract: 本发明公开了一种用于对带有一空腔(4)的一构件(1)的内表面敷设涂层的方法,而按照现有技术常常无法获得均匀的涂层。按照本发明,将一涂层材料与一基材混合并将它们填入到所述空腔(4)中,其中,所述基材在涂层材料的汽化温度下分解或在尚未达到该汽化温度时就已分解,以及,所述涂层材料经过气相沉淀到所述构件(1)上。
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公开(公告)号:CN1729313A
公开(公告)日:2006-02-01
申请号:CN200380106919.9
申请日:2003-12-01
Applicant: 西门子公司
Abstract: 本发明涉及一种用于填充一表面上的材料断口的方法和装置。在按照现有技术的方法中,为了填充材料断口,基底通常受到高作业温度以及类型不同的填料的不利影响。按照本发明的方法可以在低温下实施以及在不采用不同类型材料的情况下实现彻底填充材料断口,并因此克服上述缺点。
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公开(公告)号:CN1784509A
公开(公告)日:2006-06-07
申请号:CN200480011891.5
申请日:2004-04-08
Applicant: 西门子公司
Inventor: 厄萨斯·克鲁格 , 丹尼尔·科尔特维利西 , 拉尔夫·赖歇 , 简·斯坦巴克 , 加布里埃尔·温克勒
CPC classification number: C25F5/00
Abstract: 工作中承受应力的构件常常通过酸处理被重新利用。所述构件在酸中停留的时间迄今为止按标准确定,这使得个别的应力承受情况不能得到充分考虑。按照本发明的用于去除一个构件上的涂层的方法为此建议,至少反复将一个测量电压施加在所述构件上,由此形成一个流动的测量电流(I),该电流随时间的变化曲线(I(t))描述所述去除涂层过程的状况,并被用于判断何时终止或中断所述酸处理。
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公开(公告)号:CN100545311C
公开(公告)日:2009-09-30
申请号:CN200480011891.5
申请日:2004-04-08
Applicant: 西门子公司
Inventor: 厄萨斯·克鲁格 , 丹尼尔·科尔特维利西 , 拉尔夫·赖歇 , 简·斯坦巴克 , 加布里埃尔·温克勒
CPC classification number: C25F5/00
Abstract: 工作中承受应力的构件常常通过酸处理被重新利用。所述构件在酸中停留的时间迄今为止按标准确定,这使得个别的应力承受情况不能得到充分考虑。按照本发明的用于去除一个构件上的涂层的方法为此建议,至少反复将一个测量电压施加在所述构件上,由此形成一个流动的测量电流(I),该电流随时间的变化曲线(I(t))描述所述去除涂层过程的状况,并被用于判断何时终止或中断所述酸处理。
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公开(公告)号:CN101218373A
公开(公告)日:2008-07-09
申请号:CN200680024592.4
申请日:2006-07-03
Applicant: 西门子公司
Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底(100)上生产具有纳米颗粒(40)的层(110)的方法。本发明的目的在于提供一种用于生产包含纳米颗粒的层的方法,该方法可以特别简单地实施,尽管如此在待生产的层的结构和组成上还是可以提供非常大的灵活性。该目的根据本发明这样地实现,即在第一处理室(10)中释放纳米颗粒(40)并且生成纳米颗粒流(50),该纳米颗粒流(50)被输送到第二处理室(80)中,并且纳米颗粒(40)在第二处理室(80)中被沉积在衬底(100)上。
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