公开(公告)号：CN105401125B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201510932728.2

申请日：2015-12-15

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 匡友元

IPC分类号： C23C14/04 ,  C23C14/24 ,  C23C14/50 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L51/56 ,  C23C14/24 ,  C23C14/243 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  C23C14/542 ,  C23C14/545 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0031 ,  H01L2251/558

摘要： 本发明提出了一种用于有机电激光显示的基板的蒸镀方法和蒸镀装置。该蒸镀方法包括以下步骤：步骤一，调整用于支撑基板的支撑组件与坩埚平台之间的距离，步骤二，调整设置在所述坩埚平台上的所述坩埚的开口方向，步骤三，将需要蒸镀的基板设置在支撑组件上，并使设置在所述坩埚内的蒸镀源挥发附着在所述基板的表面上。该蒸镀方法和该蒸镀装置有助于提高OLED装置的发光效率。

公开(公告)号：CN107385408A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710605307.8

申请日：2017-07-24

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 苏志玮

IPC分类号： C23C14/54 ,  C23C14/24

CPC分类号： C23C14/545 ,  C23C14/24

摘要： 本发明提供一种膜厚测试装置及方法、蒸镀设备。膜厚测试装置对应于一个工艺腔室，该膜厚测试装置包括驱动单元、传送单元和测试单元,驱动单元与传送单元连接，测试单元与传送单元连接；驱动单元用于驱动传送单元向靠近或远离工艺腔室的方向移动；传送单元用于当传送单元向靠近工艺腔室的方向移动时带动测试单元进入对应的工艺腔室中以使测试单元在对应的工艺腔室中进行测试膜的蒸镀，以及当传动单元向远离工艺腔室的方向移动时带动测试单元退出对应的工艺腔室。本发明优化了生产排程，节省了膜厚测试时间，增加了生产产能，节省了膜材料的消耗以及降低了蒸发源堵孔的风险，从而提高了连续生产时的生产可靠度。

公开(公告)号：CN106463625A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580023234.0

申请日：2015-04-10

申请人： 学校法人冲绳科学技术大学院大学学园

发明人： 戚亚冰 ,  大野路易斯胜也 ,  王生浩

IPC分类号： H01L51/44 ,  C23C14/06 ,  H01L51/48

CPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  C23C14/545 ,  C23C14/548 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  Y02E10/549

摘要： 提供了一种用于制造用于太阳能电池应用的钙钛矿膜的系统和方法，该系统包括：壳体，其用作真空室；基板台，其联接至壳体的顶部；第一蒸发器单元，其联接至壳体的底部并且构造为生成BX2(金属卤化物材料)蒸汽；第二蒸发器单元，其联接至壳体并且构造为生成AX(有机材料)蒸汽；以及流动控制单元，其联接至壳体，用于控制AX蒸汽的循环。第一蒸发器单元的水平截面形状的尺寸、基板台的水平截面形状的尺寸以及两个水平截面形状之间沿水平方向的相对位置构造为最大化两个水平截面形状之间的重叠。

公开(公告)号：CN105624636A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610139974.7

申请日：2016-03-11

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥京东方光电科技有限公司

发明人： 井杨坤

IPC分类号： C23C14/54 ,  C23C14/34

CPC分类号： C23C14/541 ,  C23C14/34 ,  C23C14/545

摘要： 本发明实施例提供了一种溅射成膜的参数调节方法及系统，涉及显示技术领域，采用该调节方法可提高由衬底基板和沉积在该衬底基板上的溅射沉积的膜层构成的柔性基板的表面平整度、降低柔性基板的整体形变量、提高了柔性基板的可弯曲性能。该调节方法包括：对衬底基板上不同区域的结晶成核温度差异量、不同区域的成膜厚度变化量和衬底基板的形变量中的至少一个变量进行监控；若监控的变量超出该变量的阈值，则调节溅射设备的参数，以降低监控的变量。用于溅射过程中的参数调节。

公开(公告)号：CN105603378A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201610005253.7

申请日：2016-01-05

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 张峰杰 ,  郭书鹏 ,  刘晓云

IPC分类号： C23C14/54

CPC分类号： G01B11/0683 ,  C23C14/542 ,  C23C14/545 ,  G01B21/08

摘要： 本发明涉及一种测量工具，用于测量大尺寸基板上的特定位置处的镀膜厚度。所述测量工具包括测量部件，所述测量部件用于将基板的至少一个取样基片固定在测量部件的特定位置上，所述测量部件能够连接在掩膜的边框上，所述测量部件具有至少一个测量表面，所述至少一个取样基片可定位在所述测量表面上，其中，所述测量表面具有刻度以标示所述至少一个取样基片的规定位置，所述规定位置对应于大尺寸基板上的测量点位置。本发明还涉及一种利用上述测量工具测量大尺寸基板的镀膜厚度的方法。

公开(公告)号：CN104093877A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201280069168.7

申请日：2012-09-11

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 垣内良平 ,  山本悟

IPC分类号： C23C14/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC分类号： C23C14/543 ,  C23C14/243 ,  C23C14/50 ,  C23C14/545 ,  H01L51/001 ,  H01L51/56

摘要： 本发明提供一种在通过邻近蒸镀进行的蒸镀中、能够利用传感器检测成膜速率的蒸镀用坩埚、蒸镀装置以及蒸镀方法。本发明的坩埚具有：收容部，其用于收容蒸镀源；第1引导通路，其用于将自蒸镀源放出的气化材料朝向被处理基板引导；壁部，其用于划分第1引导通路；第2引导通路，其自第1引导通路的中途部分支，并且贯穿该壁部而与外部连通。

公开(公告)号：CN103572215A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310325675.9

申请日：2013-07-30

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 朱星中 ,  车裕敏 ,  朴锡焕

IPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/54

CPC分类号： B05B12/00 ,  C23C14/04 ,  C23C14/545

摘要： 本发明的蒸镀装置包括：多个蒸镀源，喷射蒸镀物质；基板固定部，将基板固定为与蒸镀源面对；蒸镀源挡板，布置在蒸镀源的一侧，并可开闭各个蒸镀源的入口；主挡板，布置在蒸镀源和固定于基板固定部的基板之间，并构成为使蒸镀物质的一部分穿过而蒸镀到基板。根据本发明的实施例，可有效率地掌握存在问题的蒸镀源而均匀地调整多个蒸镀源的蒸镀量。而且，通过准确地掌握存在问题的蒸镀源，可减少材料的损失。

公开(公告)号：CN101802251B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200880107821.8

申请日：2008-09-17

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 深尾万里 ,  木村孔

IPC分类号： C23C14/24 ,  G01B17/02

CPC分类号： C23C14/545 ,  C23C14/546 ,  G01B17/02

摘要： 本发明涉及薄膜形成装置、膜厚测定方法、膜厚传感器。本申请中提供一种即使产生剥落也能够测定正确的膜厚的技术。根据当前时刻(a0)处的膜厚传感器(15)的共振频率(f0)和紧前的过去时刻(a1)的共振频率(f1)的值算出差频(Δf0)，根据与其符号或基准值的比较结果判断有无剥落。在发生剥落的情况下，在根据在将来时刻(ax)测定的共振频率(fx)求出的增加膜厚值(T)上加上剥落的膜厚(Δt0)，求出修正膜厚值(T’)，换算为成膜对象物(18)的膜厚，与目标值进行比较，判断成膜结束。即使在膜厚传感器(15)上产生剥落，也能够求出成膜对象物(18)表面的薄膜的正确的膜厚值。

公开(公告)号：CN102719794A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201210186855.9

申请日：2008-02-27

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 生田浩之 ,  吹上纪明

IPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/54

CPC分类号： C23C14/545 ,  C23C14/228 ,  C23C14/246 ,  C23C14/56 ,  H01L51/001

摘要： 本发明提供一种具有控制装置的蒸镀装置，蒸镀装置（100）利用在蒸镀源（110）中气化后的成膜材料对基板（G）进行成膜处理，控制装置（700）的存储部（710）存储表示成膜速度与载气流量之间的关系的多个表格。表格选择部（750）基于工艺条件，从存储于存储部（710）中的多个表格中选择期望的表格。成膜控制器（200）基于从用于检测成膜材料的气化速度的QCM（180）中输出的信号，求出在基板G上的成膜速度。载气调整部（760）使用存储于存储部（710）中的表格所示的表示成膜速度与载气流量的关系的数据，与利用成膜控制器（200）求出的成膜速度与作为目标的成膜速度的偏差对应地，为了获得期望的成膜速度而调整载气流量。

公开(公告)号：CN101622373B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200880007035.0

申请日：2008-02-27

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 生田浩之 ,  吹上纪明

IPC分类号： C23C14/24 ,  H05B33/10 ,  H01L51/50

CPC分类号： C23C14/545 ,  C23C14/228 ,  C23C14/246 ,  C23C14/56 ,  H01L51/001

摘要： 本发明提供一种蒸镀装置的控制装置，是利用在蒸镀源(110)中气化后的成膜材料对基板(G)进行成膜处理的蒸镀装置(100)的控制装置(700)，控制装置(700)的存储部(710)存储表示成膜速度与载气流量之间的关系的多个表格。表格选择部(750)基于工艺条件，从存储于存储部(710)中的多个表格中选择期望的表格。成膜控制器(200)基于从用于检测成膜材料的气化速度的QCM(180)中输出的信号，求出在基板G上的成膜速度。载气调整部(760)使用存储于存储部(710)中的表格所示的表示成膜速度与载气流量的关系的数据，与利用成膜控制器(200)求出的成膜速度与作为目标的成膜速度的偏差对应地，为了获得期望的成膜速度而调整载气流量。