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公开(公告)号：CN114560886A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210187151.7
申请日：2022-02-28
申请人： 许昌学院
IPC分类号： C07F7/10 , C23C16/18 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种如式(I)所示的氨基吡啶基Ni(II)化合物，该化合物可以用作化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)的前驱体，通过CVD/ALD工艺制备出Ni基薄膜。本发明信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物的方法简便，条件温和，大大降低了前驱体材料的合成成本；并且有较好的溶解性，良好的挥发性和热稳定性，良好的成膜性能，可形成良好的CVD Ni薄膜。
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公开(公告)号：CN113717233B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202111171426.X
申请日：2021-10-08
申请人： 许昌学院
IPC分类号： C07F15/06 , C23C16/18 , C23C16/44 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种信息存储材料用氨基吡啶基氯化Co(II)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种新型的信息存储材料用氨基吡啶基氯化Co(II)化合物，合成方法简单、合成条件温和。该氨基吡啶基氯化Co(II)化合物具有良好的耐空气水分稳定性，有良好的挥发性和热稳定性，具有良好的成膜性能。本发明以氨基吡啶基氯化Co(II)化合物作为CVD/ALD的前驱体，通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)工艺，制备Co基薄膜如Co金属薄膜等，大大降低了前驱体材料的成本；该前驱体材料所具有的良好耐空气水分稳定性使得前驱体材料操作性、运输、输送以及加工过程变得简单易操作。
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公开(公告)号：CN114875390A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210486755.1
申请日：2022-05-06
申请人： 许昌学院
IPC分类号： C23C16/515 , C23C16/30 , C23C16/455
摘要： 本发明提供一种原子层沉积技术生长SnSx薄膜的方法，属于纳米材料制备技术领域。包括以下步骤：将衬底置于反应腔中，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Sn源进行沉积，得到沉积有Sn源的衬底，所述Sn源为Sn(acac)2；(2)向体系中充入惰性气体进行吹扫；(3)将硫醇作为硫源以脉冲形式通入反应腔，与沉积在衬底上的Sn源进行反应，得到纳米SnSx薄膜；(4)向体系中充入惰性气体吹扫，完成一个ALD循环，将上述循环过程重复多次，即可得到一定厚度的SnSx薄膜。本发明可以在衬底上沉积形成保型性较好的含SnSx沉积层。
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公开(公告)号：CN114560886B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210187151.7
申请日：2022-02-28
申请人： 许昌学院
IPC分类号： C07F7/10 , C23C16/18 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种如式(I)所示的氨基吡啶基Ni(II)化合物，该化合物可以用作化学气相沉积(CVD)/原子层沉积(ALD)的前驱体，通过CVD/ALD工艺制备出Ni基薄膜。本发明信息存储材料用前驱体氨基吡啶基Ni(II)化合物的方法简便，条件温和，大大降低了前驱体材料的合成成本；并且有较好的溶解性，良好的挥发性和热稳定性，良好的成膜性能，可形成良好的CVD Ni薄膜。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN113717233A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111171426.X
申请日：2021-10-08
申请人： 许昌学院
IPC分类号： C07F15/06 , C23C16/18 , C23C16/44 , C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种信息存储材料用氨基吡啶基氯化Co(II)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种新型的信息存储材料用氨基吡啶基氯化Co(II)化合物，合成方法简单、合成条件温和。该氨基吡啶基氯化Co(II)化合物具有良好的耐空气水分稳定性，有良好的挥发性和热稳定性，具有良好的成膜性能。本发明以氨基吡啶基氯化Co(II)化合物作为CVD/ALD的前驱体，通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)工艺，制备Co基薄膜如Co金属薄膜等，大大降低了前驱体材料的成本；该前驱体材料所具有的良好耐空气水分稳定性使得前驱体材料操作性、运输、输送以及加工过程变得简单易操作。
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