公开(公告)号：CN102955381B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201210308821.2

申请日：2012-08-27

申请人： 诺发系统公司

发明人： 罗伊·沙夫维 ,  柯克·奥斯特洛夫斯基 ,  大卫·张 ,  朴俊 ,  巴渝·特迪约斯沃尔 ,  帕特里克·J·洛德

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供了减少硅晶片或其它基片的错位的基于氢气的光刻胶剥离操作的方法和装置。根据各个实施例，基于氢气的光刻胶剥离方法可以采用下述技术中的一种或多种：1）通过使用具有最小过剥离持续时间的短时处理而使得氢气预算最小化，2）提供稀释的氢气，例如，2%‑16%的氢气浓度，3）通过控制处理条件和化学成分而使得材料损耗最小化，4）使用低温脱胶，5）控制植入条件和浓度，以及6）执行一种或多种剥离后通风处理。还提供了适于执行所述光刻胶剥离方法的装置。

公开(公告)号：CN102955381A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210308821.2

申请日：2012-08-27

申请人： 诺发系统公司

发明人： 罗伊·沙夫维 ,  柯克·奥斯特洛夫斯基 ,  大卫·张 ,  朴俊 ,  巴渝·特迪约斯沃尔 ,  帕特里克·J·洛德

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供了减少硅晶片或其它基片的错位的基于氢气的光刻胶剥离操作的方法和装置。根据各个实施例，基于氢气的光刻胶剥离方法可以采用下述技术中的一种或多种：1）通过使用具有最小过剥离持续时间的短时处理而使得氢气预算最小化，2）提供稀释的氢气，例如，2%-16%的氢气浓度，3）通过控制处理条件和化学成分而使得材料损耗最小化，4）使用低温脱胶，5）控制植入条件和浓度，以及6）执行一种或多种剥离后通风处理。还提供了适于执行所述光刻胶剥离方法的装置。