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公开(公告)号：CN110004429B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201811491805.5
申请日：2013-03-27
申请人： 诺发系统公司
IPC分类号： C23C16/04 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L21/321 , H01L21/3213
摘要： 本发明描述了以钨来填充特征的方法以及相关系统和设备。这些方法包括由里朝外填充技术以及特征内的保形沉积。由里朝外填充技术可包括在特征内的蚀刻过的钨层上的选择性沉积。根据各种实施例可使用保形与非保形蚀刻技术。本发明所述的这些方法可用于填充例如钨通孔的垂直特征、以及例如垂直NAND(VNAND)字线的水平特征。应用的实例包括逻辑和内存接点填充、DRAM埋入式字线填充、垂直集成内存栅极/字线填充以及具有硅通孔(TSVs)的3‑D集成。
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公开(公告)号：CN102955381B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201210308821.2
申请日：2012-08-27
申请人： 诺发系统公司
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/311 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了减少硅晶片或其它基片的错位的基于氢气的光刻胶剥离操作的方法和装置。根据各个实施例，基于氢气的光刻胶剥离方法可以采用下述技术中的一种或多种：1）通过使用具有最小过剥离持续时间的短时处理而使得氢气预算最小化，2）提供稀释的氢气，例如，2%‑16%的氢气浓度，3）通过控制处理条件和化学成分而使得材料损耗最小化，4）使用低温脱胶，5）控制植入条件和浓度，以及6）执行一种或多种剥离后通风处理。还提供了适于执行所述光刻胶剥离方法的装置。
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公开(公告)号：CN107012495B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201710089748.7
申请日：2012-09-12
申请人： 诺发系统公司
发明人： 何志安 , 冯敬斌 , 尚蒂纳特·古艾迪 , 弗雷德里克·D·威尔莫特
摘要： 本申请公开了一种用于在夹盘组件中进行电镀期间与晶片啮合以及在电镀期间向该晶片提供电流的杯。该杯可包括弹性密封件，其设置在所述杯上并被配置成在电镀期间与所述晶片啮合，其中一旦啮合，所述弹性密封件基本上将电镀液从所述晶片的周边区域排除，并且其中所述弹性密封件和所述杯是环形的，并且包括一个或多个接触元件，其用于在电镀期间向所述晶片供应电流，该一个或多个接触元件被连接至所述杯上并且从设置在所述弹性密封件上的金属带朝向该杯的中心向内延伸。该杯的凹口区域可具有在该杯的底表面的一部分上的突出物或者绝缘部分，其中该凹口区域与所述晶片内的凹口对齐。
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公开(公告)号：CN105821394B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201610297292.9
申请日：2013-06-17
申请人： 诺发系统公司
发明人： 拉梅什·钱德拉塞卡拉 , 夏春光 , 卡尔·F·利泽 , 达明·斯莱文 , 托马斯·G·朱厄尔
IPC分类号： C23C16/455 , F16K27/00
摘要： 本发明提供了一种用于原子层沉积和化学气相沉积反应器的使用点阀歧管(POU阀歧管)，其允许多个前体通过共同的出口被输送到半导体处理室。该歧管可具有多个前体入口和清除气体入口。该歧管可配置成使得当清除气体按照路线通过该歧管时歧管中存在零死角，并且可以提供POU阀两侧交替的安装位置。一个或多个内部流动路径容积可包括弯头特征。
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公开(公告)号：CN103247525B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201310049856.3
申请日：2013-02-07
申请人： 诺发系统公司
发明人： 卫斯理·P·格拉夫
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 一种在光刻工艺中蚀刻或者除去低介电常数膜上的有机硬掩膜的方法。该方法包括提供电介质膜，该电介质膜的上方具有待除去的有机硬掩膜，该电介质膜具有不大于约4.0的介电常数，在所述有机硬掩膜的上方引入可电离气体，该可电离气体包括氢气和氧化性气体的混合物，以及对该混合物施加能量以形成该混合物的等离子体。该方法还包括在所述有机硬掩膜的温度超过200℃时，用该等离子体接触所述有机硬掩膜以除去该有机硬掩膜而不实质性损害下面的衬底。
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公开(公告)号：CN106884157A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201611008058.6
申请日：2012-03-02
申请人： 诺发系统公司
发明人： 穆罕默德·萨布里 , 拉姆吉斯汗·拉奥·林加帕里 , 卡尔·F·利泽
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明提供用于衬底处理喷淋头的混合型陶瓷花盘的各种实施方案。混合型陶瓷喷淋头花盘可包括嵌入于该花盘的陶瓷材料内的电极以及穿孔图案。该电极可是相对于穿孔完全封装于该陶瓷材料内。在某些实施方案中，加热器元件也可嵌入于该混合型陶瓷喷淋头花盘内。在使用期间，DC电压源可与该混合型陶瓷喷淋头花盘电气连接。混合型陶瓷花盘可容易地从衬底处理喷淋头拆卸以便易于清洁及花盘更换。
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公开(公告)号：CN103243310B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310051287.6
申请日：2013-02-16
申请人： 诺发系统公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 一种在衬底表面沉积膜的方法包括将衬底提供至反应室中；从二‑叔‑丁基二叠氮基硅烷、双（乙基甲基胺基）硅烷、双（二异丙基氨基）硅烷、双（叔‑丁酰肼）二乙基硅烷、三（二甲胺基）甲硅烷基叠氮化物、三（二甲胺基）甲硅烷基氨化物、三叠氮乙基硅、二异丙基氨基硅烷、以及六（二甲基胺基）二硅氮烷中选择含硅反应物；在能让含硅反应物被吸附到衬底表面的条件下将处于气相的含硅反应物引入到反应室中；在含硅反应物被吸附到衬底表面上时将处于气相的第二反应物引入反应室，其中在没有事先将含硅反应物清扫出反应室时将第二反应物引入；以及将衬底表面暴露于等离子体以驱动含硅反应物和第二反应物之间的在衬底表面上的反应，从而形成膜。
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公开(公告)号：CN104272440B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380022648.2
申请日：2013-03-20
申请人： 诺发系统公司
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/76877 , C23C16/045 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/321 , H01L21/76862 , H01L21/76874 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L27/1052 , H01L27/10891
摘要： 本发明描述了用钨填充特征的方法，以及相关的系统和装置，其涉及钨核化的抑制。在一些实施方式中，所述方法涉及沿特征轮廓的选择性抑制。选择性抑制钨核化的方法可包括使所述特征暴露于直接或远程等离子体。在某些实施方式中，可在选择性抑制期间对衬底施加偏置。可将包括偏置功率、暴露时间、等离子体功率、工艺压力和等离子体化学品的工艺参数用于调节抑制轮廓。本文所述的方法可用于填充垂直特征，诸如钨通孔，以及水平特征诸如垂直NAND(VNANA)字元线。所述方法可用于共形填充和由下向上/由内向外的填充。应用的实例包括逻辑和存储接触填充、DRAM埋入式字元线填充、垂直集成存储栅极/字元线填充、以及使用通过硅穿孔(TSV)的3-D集成。
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公开(公告)号：CN103582932B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201280027241.4
申请日：2012-06-01
申请人： 诺发系统公司
CPC分类号： H01L21/76834 , H01L21/02068 , H01L21/28556 , H01L21/76829 , H01L21/76849 , H01L21/7685 , H01L21/76856 , H01L21/76883
摘要： 公开的方法用与硅结合的金属层或含金属化合物层覆盖铜线的暴露表面。在一些情况下，金属或含金属化合物形成原子层。在一些实施例中，方法涉及将铜表面首先暴露于含金属前体以形成吸收前体或金属原子的原子层，这可通过例如钉扎处理被任选地转变成氧化物、氮化物、碳化物等。随后的暴露于含硅前体可通过或不通过金属原子转变来进行。
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公开(公告)号：CN106024569A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610428220.3
申请日：2013-10-09
申请人： 诺发系统公司
发明人： 乔治·托马斯 , 班亚·翁森纳库姆 , 弗朗西斯科·J·华雷斯
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H03H7/40 , H05H2001/4607 , H05H2001/4645 , H05H2001/4682
摘要： 本发明涉及用于电感耦合等离子体系统的混合阻抗匹配。在一方面，一种系统包括被配置为产生并调谐供给信号的频率的发生器。该系统还包括自动匹配网络，该自动匹配网络被配置成接收该供给信号并产生用于给等离子体系统提供功率的阻抗匹配信号。在一些实施方式中，在阻抗匹配操作的第一阶段的过程中，该发生器被配置为调谐该供给信号的频率，直到该发生器确认使该发生器的电抗和该发生器上的负载的电抗最佳匹配的频率。在一些实施方式中，在该阻抗匹配操作的第二阶段的过程中，该自动匹配网络被配置为调谐该自动匹配网络内的调谐元件直到该自动匹配网络确认该调谐元件的使该发生器的电阻和该发生器上的负载的电阻最佳匹配的调谐。
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