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公开(公告)号:CN103243310A
公开(公告)日:2013-08-14
申请号:CN201310051287.6
申请日:2013-02-16
申请人: 诺发系统公司
IPC分类号: C23C16/44
摘要: 一种在衬底表面沉积膜的方法包括将衬底提供至反应室中;从二-叔-丁基二叠氮基硅烷、双(乙基甲基胺基)硅烷、双(二异丙基氨基)硅烷、双(叔-丁酰肼)二乙基硅烷、三(二甲胺基)甲硅烷基叠氮化物、三(二甲胺基)甲硅烷基氨化物、三叠氮乙基硅、二异丙基氨基硅烷、以及六(二甲基胺基)二硅氮烷中选择含硅反应物;在能让含硅反应物被吸附到衬底表面的条件下将处于气相的含硅反应物引入到反应室中;在含硅反应物被吸附到衬底表面上时将处于气相的第二反应物引入反应室,其中在没有事先将含硅反应物清扫出反应室时将第二反应物引入;以及将衬底表面暴露于等离子体以驱动含硅反应物和第二反应物之间的在衬底表面上的反应,从而形成膜。
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公开(公告)号:CN103243310B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201310051287.6
申请日:2013-02-16
申请人: 诺发系统公司
IPC分类号: C23C16/44
摘要: 一种在衬底表面沉积膜的方法包括将衬底提供至反应室中;从二‑叔‑丁基二叠氮基硅烷、双(乙基甲基胺基)硅烷、双(二异丙基氨基)硅烷、双(叔‑丁酰肼)二乙基硅烷、三(二甲胺基)甲硅烷基叠氮化物、三(二甲胺基)甲硅烷基氨化物、三叠氮乙基硅、二异丙基氨基硅烷、以及六(二甲基胺基)二硅氮烷中选择含硅反应物;在能让含硅反应物被吸附到衬底表面的条件下将处于气相的含硅反应物引入到反应室中;在含硅反应物被吸附到衬底表面上时将处于气相的第二反应物引入反应室,其中在没有事先将含硅反应物清扫出反应室时将第二反应物引入;以及将衬底表面暴露于等离子体以驱动含硅反应物和第二反应物之间的在衬底表面上的反应,从而形成膜。
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