用于制造构件的方法和构件

    公开(公告)号:CN105980293A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201580006575.7

    申请日:2015-02-11

    CPC classification number: B81C1/00333 B81B7/0064 B81C1/00301

    Abstract: 本发明涉及一种用于制造构件的方法,首先制造第一层复合体,其包括由导电材料制成的第一基底和至少一个构造在第一基底中并且填充有绝缘材料的沟槽,第一基底的第一区域至少在第一基底的第一表面上通过沟槽侧向与第一基底的其它区域电绝缘。接着制造第二层复合体,其包括第一层复合体和结构层。所述结构层具有构件的活动结构并且至少在第一区域中是导电的,结构层的第一区域在第一基底的第一区域中邻接第一基底的第一表面并且与之导电连接。然后,在第一基底的第二表面上——第二表面与第一表面相对置——在第一基底的第一区域中制出第一导电接触面,第一基底的第一区域在第一基底的第二表面上通过沟槽侧向与第一基底的其它区域电绝缘。借助该方法实现这样的构件,在其中借助第一基底的第一区域和第一接触面实现与结构层第一区域的电连接。

    用于优化科里奥利陀螺仪的接通时间的方法以及适用于此的科里奥利陀螺仪

    公开(公告)号:CN106104205B

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201580013817.5

    申请日:2015-01-27

    CPC classification number: G01C25/005 G01C19/5726

    Abstract: 本发明涉及一种用于优化具有质量系统(100)的科里奥利陀螺仪(1)的接通时间的方法,该质量系统能够平行于第一轴(x)被激发科里奥利陀螺仪(1)的激振,其中,该质量系统的基于科里奥利力的、沿垂直于第一轴(x)的第二轴(y)的位移能够借助科里奥利陀螺仪的输出信号检验,该方法包括检测定义的时间点上的科里奥利陀螺仪的激振的振幅(A),检测定义的时间点(ti)上的科里奥利陀螺仪的输出信号(S),以及通过将测得的输出信号(S)乘以科里奥利陀螺仪的激振在稳态下的振幅(A0)与测得的振幅(A)的商来生成科里奥利陀螺仪的归一化的输出信号(S0)。

    用于优化科里奥利陀螺仪的接通时间的方法以及适用于此的科里奥利陀螺仪

    公开(公告)号:CN106104205A

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:CN201580013817.5

    申请日:2015-01-27

    CPC classification number: G01C25/005 G01C19/5726

    Abstract: 本发明涉及一种用于优化具有质量系统(100)的科里奥利陀螺仪(1)的接通时间的方法,该质量系统能够平行于第一轴(x)被激发科里奥利陀螺仪(1)的激振,其中,该质量系统的基于科里奥利力的、沿垂直于第一轴(x)的第二轴(y)的位移能够借助科里奥利陀螺仪的输出信号检验,该方法包括检测定义的时间点上的科里奥利陀螺仪的激振的振幅(A),检测定义的时间点(ti)上的科里奥利陀螺仪的输出信号(S),以及通过将测得的输出信号(S)乘以科里奥利陀螺仪的激振在稳态下的振幅(A0)与测得的振幅(A)的商来生成科里奥利陀螺仪的归一化的输出信号(S0)。

    构件和制造构件的方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101687629A

    公开(公告)日:2010-03-31

    申请号:CN200880022824.1

    申请日:2008-03-28

    CPC classification number: B81B7/0006 B81B2201/0235 B81C2203/0118

    Abstract: 本发明涉及一种构件(2)尤其是微机械、微电子机械或微光电机械构件(2)以及制造这种构件的方法,其中构件(2)具有以层状结构嵌入的活动结构(27)。为了能够更好地接触活动结构(27)的电极(5),通过将具有不同的第一蚀刻深度(D1)和第二蚀刻深度(D2)的第一凹部(14)和第二凹部(15)蚀刻到第一层组件(10)的覆盖层(13)中,来形成条状导体桥(34),其中第一层组件(10)还包括基底(11)和绝缘层(12)。较深的凹部(14)用于隔离条状导体桥(34),而较浅的凹部(15)提供活动结构(27)用的移动空间,其中由条状导体桥(34)来桥接所述移动空间。

    科里奥利陀螺仪
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101688776B

    公开(公告)日:2011-09-21

    申请号:CN200880022744.6

    申请日:2008-03-28

    CPC classification number: G01C19/574

    Abstract: 本发明涉及一种科里奥利陀螺仪,该科里奥利陀螺仪具有包括基板(5、22、24、26)、至少两个单独结构(61、62、63、64、500、600、700、800)和弹性元件(1、2、3、21、23、25)的配置,其中弹性元件(1、2、3、21、23、25)将具有力传递器(514、614、714、814)并具有分接头(534、634、734、834)的单独结构(61、62、63、64、500、600、700、800)耦合至基板(5、22、24、26),并且使单独结构彼此耦合,其中该配置具有可以由力传递器(514、614、714、814)激励的至少一个激励模式(7)以及可以由分接头(534、634、734、834)测量的至少一个检测模式(8),其中激励模式(7)和检测模式(8)是封闭的,结果,在无需考虑制造公差的情况下,通过线性加速和/或振动不能引起激励模式和检测模式的干扰激励。

    用于制造构件的方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105960375A

    公开(公告)日:2016-09-21

    申请号:CN201580006667.5

    申请日:2015-02-11

    CPC classification number: B81B3/0086 B81C1/00333

    Abstract: 本发明涉及一种用于制造构件的方法,首先制造第一层复合体,其包括结构层和填充有绝缘材料的沟槽,结构层至少在第一区域中是导电的。所述填充有绝缘材料的沟槽从结构层的第一表面起延伸并且设置在结构层的第一区域中。结构层的第一表面朝向第一层复合体的第一表面。此外该方法包括制造第二层复合体,其在第二层复合体的第一表面中包括第一凹部,以及连接第一层复合体与第二层复合体。第一层复合体的第一表面至少在区域中邻接第二层复合体的第一表面,并且填充沟槽设置在第一凹部的侧向位置中。在连接第一层复合体与第二层复合体后将第一层复合体的厚度从第一层复合体的第二表面起减少至填充沟槽的深度。第一层复合体的第二表面与第一层复合体的第一表面相对置。此外该方法还包括在结构层中制造构件的一个活动结构,所述活动结构具有两个第二区域,所述第二区域设置在结构层的第一区域中并且虽然彼此物理刚性连接,但却通过填充沟槽相互电绝缘。

    科里奥利陀螺仪
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101688776A

    公开(公告)日:2010-03-31

    申请号:CN200880022744.6

    申请日:2008-03-28

    CPC classification number: G01C19/574

    Abstract: 本发明涉及一种科里奥利陀螺仪,该科里奥利陀螺仪具有包括基板(5、22、24、26)、至少两个单独结构(61、62、63、64、500、600、700、800)和弹性元件(1、2、3、21、23、25)的配置,其中弹性元件(1、2、3、21、23、25)将具有力传递器(514、614、714、814)并具有分接头(534、634、734、834)的单独结构(61、62、63、64、500、600、700、800)耦合至基板(5、22、24、26),并且使单独结构彼此耦合,其中该配置具有可以由力传递器(514、614、714、814)激励的至少一个激励模式(7)以及可以由分接头(534、634、734、834)测量的至少一个检测模式(8),其中激励模式(7)和检测模式(8)是封闭的,结果,在无需考虑制造公差的情况下,通过线性加速和/或振动不能引起激励模式和检测模式的干扰激励。

    用于制造构件的方法和构件

    公开(公告)号:CN105980293B

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201580006575.7

    申请日:2015-02-11

    Abstract: 本发明涉及一种用于制造构件的方法,首先制造第一层复合体,其包括由导电材料制成的第一基底和至少一个构造在第一基底中并且填充有绝缘材料的沟槽,第一基底的第一区域至少在第一基底的第一表面上通过沟槽侧向与第一基底的其它区域电绝缘。接着制造第二层复合体,其包括第一层复合体和结构层。所述结构层具有构件的活动结构并且至少在第一区域中是导电的,结构层的第一区域在第一基底的第一区域中邻接第一基底的第一表面并且与之导电连接。然后,在第一基底的第二表面上——第二表面与第一表面相对置——在第一基底的第一区域中制出第一导电接触面,第一基底的第一区域在第一基底的第二表面上通过沟槽侧向与第一基底的其它区域电绝缘。借助该方法实现这样的构件,在其中借助第一基底的第一区域和第一接触面实现与结构层第一区域的电连接。

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