公开(公告)号：CN117730639A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202280038457.4

申请日：2022-06-15

申请人： 诺瓦尔德股份有限公司

发明人： 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 ,  乌尔里希·赫格曼 ,  斯特芬·维尔曼 ,  皮尔马里亚·平特 ,  茂真朴

IPC分类号： H10K85/60 ,  H10K50/15 ,  H10K50/17 ,  H10K30/86 ,  H10K30/50

摘要： 本发明涉及一种由式(I)表示的苯并二苯基芴化合物：#imgabs0#

公开(公告)号：CN118632831A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202380019605.2

申请日：2023-02-01

申请人： 诺瓦尔德股份有限公司

发明人： 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹 ,  马克斯·皮特·纽伦 ,  皮尔马里亚·平特 ,  本杰明·舒尔策 ,  雅各布·亚切克·乌达尔奇克

IPC分类号： C07C255/51 ,  C07D213/26 ,  C07D213/85 ,  C07D239/26 ,  H10K50/10

摘要： 本发明涉及一种用于有机电子器件中的式(I)的化合物，包含该式(I)的化合物的有机半导体层，包含该有机半导体层的有机电子器件，以及包含该有机电子器件的显示装置。其中R1、R2、R3和R4独立地选自F、Cl、CN或CF3；R'选自式(II)；R”选自式(III)；R5选自取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基或CN；并且“*”表示结合位置。#imgabs0#

公开(公告)号：CN118402333A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202280082909.9

申请日：2022-12-13

申请人： 诺瓦尔德股份有限公司

发明人： 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 ,  斯特芬·维尔曼 ,  乌尔里希·赫格曼 ,  皮尔马里亚·平特

IPC分类号： H10K50/19 ,  H10K85/30 ,  C07C49/92 ,  C09K11/06

摘要： 本发明涉及一种有机电子器件，所述有机电子器件包含阳极层、阴极层和电荷产生层，其中所述电荷产生层包含p型电荷产生层和n型电荷产生层，其中所述n型电荷产生层包含有机电子传输化合物和金属掺杂剂，其中所述金属掺杂剂选自按鲍林标度电负性≤1.4eV的金属；所述p型电荷产生层包含有机空穴传输化合物和Ce(IV)金属络合物，其中所述Ce(IV)金属络合物包含至少一个阴离子配体L。

公开(公告)号：CN117999865A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202280062562.1

申请日：2022-09-19

申请人： 诺瓦尔德股份有限公司

发明人： 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 ,  斯特芬·维尔曼 ,  乌尔里希·赫格曼 ,  皮尔马里亚·平特

IPC分类号： H10K50/17 ,  H10K85/30 ,  C07F5/00 ,  H10K101/30

摘要： 本发明涉及一种有机电子器件以及一种金属络合物，所述有机电子器件包含基底、阳极层、阴极层、至少一个第一发光层和空穴注入层，其中所述空穴注入层包含金属络合物，其中所述金属络合物包含选自Ce(IV)、Hf(IV)或Zr(IV)的金属离子M。

公开(公告)号：CN117441422A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202280039073.4

申请日：2022-06-15

申请人： 诺瓦尔德股份有限公司

发明人： 弗拉迪米尔·乌瓦罗夫 ,  乌尔里希·黑格曼 ,  斯特芬·维尔曼 ,  皮尔马里亚·平特

IPC分类号： H10K85/30 ,  H10K50/17

摘要： 本发明涉及一种有机电子器件，其包括基底、阳极层、阴极层、至少一个发光层以及至少一个或多个空穴注入层，其中空穴注入层布置在阳极层和至少一个发光层之间，且其中空穴注入层包含金属络合物。