公开(公告)号：CN109920861A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910198751.1

申请日：2019-03-15

申请人： 诺迪克(余姚)光电产业研究院有限公司

发明人： 芦鹏飞 ,  王凯林 ,  陆瑾 ,  张凡 ,  张丽 ,  王庶民

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01S5/343

摘要： 本申请公开了一种铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法，涉及半导体光电材料制备领域。所述材料包括：衬底层、缓冲层和铟砷氮铋半导体材料。通过共掺杂方式，在InAs半导体中掺入一定浓度的Bi原子和N原子，可有效调节InAs材料的禁带宽度，实现从近红外到中红外波段的覆盖，应用于光电子器件。Bi原子的掺入可使材料更易生长并更加稳定，N原子的引入可以提高Bi的溶解度。在InAs半导体中同时掺入N原子，Bi原子可以有效调节化合物的能带结构。本申请可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。

公开(公告)号：CN109920861B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910198751.1

申请日：2019-03-15

申请人： 诺迪克(余姚)光电产业研究院有限公司

发明人： 芦鹏飞 ,  王凯林 ,  陆瑾 ,  张凡 ,  张丽 ,  王庶民

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01S5/343

摘要： 本申请公开了一种铟砷氮铋半导体材料、使用该材料的激光器和探测器及制备方法，涉及半导体光电材料制备领域。所述材料包括：衬底层、缓冲层和铟砷氮铋半导体材料。通过共掺杂方式，在InAs半导体中掺入一定浓度的Bi原子和N原子，可有效调节InAs材料的禁带宽度，实现从近红外到中红外波段的覆盖，应用于光电子器件。Bi原子的掺入可使材料更易生长并更加稳定，N原子的引入可以提高Bi的溶解度。在InAs半导体中同时掺入N原子，Bi原子可以有效调节化合物的能带结构。本申请可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。