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公开(公告)号：CN114551338A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111289533.2
申请日：2021-11-02
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/538
摘要： 提供了一种具有掩埋金属焊盘的半导体器件、一种用于制造具有掩埋金属焊盘的半导体器件的方法和一种用于稳定半导体结构中硅通孔连接的方法。该半导体器件包括掩埋在半导体衬底中的金属焊盘，该金属焊盘电连接到金属互连结构并与半导体衬底电隔离。半导体衬底形成从后表面延伸到金属焊盘的开口。该用于制造具有掩埋金属焊盘的半导体器件的方法包括：在半导体衬底的凹部中沉积金属焊盘，将焊盘与衬底隔离，将金属焊盘电连接到衬底的前侧，以及通过开口将金属焊盘连接到衬底的后侧。该用于稳定半导体器件中硅通孔连接的方法包括将金属互连结构电耦合到埋潜在半导体衬底中的金属焊盘，并在半导体衬底中形成接触金属焊盘的硅通孔。
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公开(公告)号：CN113542641A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110431707.8
申请日：2021-04-21
申请人： 豪威科技股份有限公司
摘要： 本申请案涉及一种具有共享格雷码GC产生器及并行列算术逻辑单元ALU的图像传感器。供在图像传感器中使用的读出电路包含多个比较器。所述多个比较器中的每一者经耦合以接收斜坡信号及来自多个列位线中的相应一者的相应模拟图像数据信号以便产生相应比较器输出。多个ALU中的每一者经耦合以接收由GC产生器产生的经相位对准GC输出。所述多个ALU中的每一者进一步耦合到所述多个比较器中的相应一者以接收所述相应比较器输出。所述多个ALU中的每一者经耦合以响应于所述相应比较器输出而锁存所述经相位对准GC输出以便产生相应数字图像数据信号。
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公开(公告)号：CN113540134A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110253212.0
申请日：2021-03-04
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , G01N21/84
摘要： 提供了一种具有用于容纳光发射体的嵌入式阱的图像传感器及其制造方法、以及一种用于多个样本的基于发光的询问的设备及其制造方法。所述图像传感器包括半导体基板，该半导体基板包括分别与图像传感器的感光像素的阵列对应的掺杂的感测区域的阵列。半导体基板形成阱的阵列。每个阱与相应掺杂的感测区域对准，以促进由包括所述相应掺杂的感测区域的感光像素检测由设置在阱中的光发射体发射到感光像素的光。图像传感器还包括在相邻的掺杂的感测区域之间的阻光屏障，以减少光从未与每个感光像素的掺杂的感测区域对准的阱传播到所述每个感光像素的该掺杂的感测区域。
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公开(公告)号：CN106990615B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201611157238.0
申请日：2016-12-14
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1337
摘要： 一种形成液晶显示装置的配向层的新颖方法，该方法包括以下步骤：提供基板(例如，处理过的硅晶片等)，该基板具有沉积于其上的配向层；及施加来自脉冲激光器的一连串脉冲以使该配向层的部分退火并改变其表面形态。该方法可包括以下步骤：在激光退火之前，利用旋涂工艺将配向层材料(例如，包含SiO2的旋涂式电介质)沉积在基板上。根据激光扫描轨迹，施加一连串激光脉冲产生有助于液晶的配向的重复性特征图案。本发明还公开具有激光退火的配向层的液晶显示装置。本发明的配向层被快速且廉价地施加，且在长时间和高强度的光胁迫下非常稳固。
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公开(公告)号：CN106997884B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201610817534.2
申请日：2016-09-12
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请案涉及一种具有对高强度光的降低的敏感度的高动态范围图像传感器。图像传感器包含在半导体衬底中彼此穿插其中的第一及第二多个光电二极管。入射光待被引导通过所述半导体衬底的表面到所述第一及第二多个光电二极管中。相较于所述第二多个光电二极管，所述第一多个光电二极管对所述入射光具有更大的敏感度。金属膜层安置于所述第二多个光电二极管上方的所述半导体衬底的所述表面上方，且未安置于所述第一多个光电二极管上方。金属栅格安置于所述半导体衬底的所述表面上方，且包含第一多个开口，所述入射光通过所述第一多个开口被引导到所述第一多个光电二极管中。所述金属栅格进一步包含第二多个开口，所述入射光通过所述第二多个开口被引导通过所述金属膜层到所述第二多个光电二极管中。
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公开(公告)号：CN110034141A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910047847.8
申请日：2017-02-07
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请案涉及一种图像传感器封装及其制作方法。一种图像传感器封装包含：图像传感器，其具有安置于半导体材料中的像素阵列；及透明屏蔽物，其粘附到所述半导体材料。所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述透明屏蔽物之间。光阻挡层安置于所述透明屏蔽物的凹入区域中，且所述凹入区域安置于所述透明屏蔽物的被照射侧上。所述光阻挡层经安置以防止光从所述透明屏蔽物的边缘反射脱离而进入所述图像传感器中。
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公开(公告)号：CN106990615A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201611157238.0
申请日：2016-12-14
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： G02F1/1337
CPC分类号： G02F1/136 , G02F1/133788
摘要： 一种形成液晶显示装置的配向层的新颖方法，该方法包括以下步骤：提供基板(例如，处理过的硅晶片等)，该基板具有沉积于其上的配向层；及施加来自脉冲激光器的一连串脉冲以使该配向层的部分退火并改变其表面形态。该方法可包括以下步骤：在激光退火之前，利用旋涂工艺将配向层材料(例如，包含SiO2的旋涂式电介质)沉积在基板上。根据激光扫描轨迹，施加一连串激光脉冲产生有助于液晶的配向的重复性特征图案。本发明还公开具有激光退火的配向层的液晶显示装置。本发明的配向层被快速且廉价地施加，且在长时间和高强度的光胁迫下非常稳固。
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公开(公告)号：CN106098712A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610268919.8
申请日：2016-04-27
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14632 , H01L27/14618 , H01L27/14687 , H01L27/1462 , H01L27/14685
摘要： 一种用于制造密封侧壁的器件晶粒的方法，可包括用密封剂填充深槽式器件晶圆的沟槽，得到密封的沟槽式器件晶圆。所述方法可更包括在器件晶圆中形成沟槽，得到所述深槽式器件晶圆。所述形成沟槽的步骤可包括形成至少部分地穿过所述器件晶圆的每层的沟槽。所述方法可更包括掩膜所述深槽式器件晶圆的每个器件。一种密封侧壁的器件晶粒，可包括器件基板层的至少一层，包括前述至少一层中每层的各自的表面的侧壁，覆盖所述侧壁的侧壁密封剂，和形成在所述器件基板层上的器件。侧壁密封剂可任选地不覆盖所述器件的上表面。所述器件的上表面可直接邻接其上方的环境介质。
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公开(公告)号：CN106098712B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201610268919.8
申请日：2016-04-27
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种用于制造密封侧壁的器件晶粒的方法，可包括用密封剂填充深槽式器件晶圆的沟槽，得到密封的沟槽式器件晶圆。所述方法可更包括在器件晶圆中形成沟槽，得到所述深槽式器件晶圆。所述形成沟槽的步骤可包括形成至少部分地穿过所述器件晶圆的每层的沟槽。所述方法可更包括掩膜所述深槽式器件晶圆的每个器件。一种密封侧壁的器件晶粒，可包括器件基板层的至少一层，包括前述至少一层中每层的各自的表面的侧壁，覆盖所述侧壁的侧壁密封剂，和形成在所述器件基板层上的器件。侧壁密封剂可任选地不覆盖所述器件的上表面。所述器件的上表面可直接邻接其上方的环境介质。
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公开(公告)号：CN110034141B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN201910047847.8
申请日：2017-02-07
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本申请案涉及一种图像传感器封装及其制作方法。一种图像传感器封装包含：图像传感器，其具有安置于半导体材料中的像素阵列；及透明屏蔽物，其粘附到所述半导体材料。所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述透明屏蔽物之间。光阻挡层安置于所述透明屏蔽物的凹入区域中，且所述凹入区域安置于所述透明屏蔽物的被照射侧上。所述光阻挡层经安置以防止光从所述透明屏蔽物的边缘反射脱离而进入所述图像传感器中。
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