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公开(公告)号：CN114864616A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210656261.3
申请日：2020-08-12
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请涉及图像传感器的全埋入式滤色器阵列。一种图像传感器包含衬底。光电二极管阵列安置在所述衬底中。多个间隔件布置成间隔件图案。所述多个间隔件中的至少一个间隔件具有18:1或更大的纵横比。缓冲层安置在所述衬底与所述间隔件图案之间。滤色器阵列安置在所述间隔件图案中。
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公开(公告)号：CN107689382B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201710652231.4
申请日：2017-08-02
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 马渕圭司 , 戴森·H·戴 , 奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 , 毛杜立 , 真锅宗平
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 本申请案涉及一种线性对数图像传感器。用于高动态范围图像传感器中的像素阵列包含在所述像素阵列中布置在多个行和列中的多个像素。所述像素中的每一者包含安置在半导体材料中的线性子像素和对数子像素。所述线性子像素经耦合以产生具有线性响应的线性输出信号，且所述对数子像素经耦合以响应于入射光而产生具有对数响应的对数输出信号。位线耦合到所述线性子像素和对数子像素以接收所述线性输出信号和所述对数输出信号。所述位线为耦合到所述多个像素的多个位线中的一者。所述多个位线中的每一者耦合到所述多个像素的对应分组。
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公开(公告)号：CN106997884B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201610817534.2
申请日：2016-09-12
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请案涉及一种具有对高强度光的降低的敏感度的高动态范围图像传感器。图像传感器包含在半导体衬底中彼此穿插其中的第一及第二多个光电二极管。入射光待被引导通过所述半导体衬底的表面到所述第一及第二多个光电二极管中。相较于所述第二多个光电二极管，所述第一多个光电二极管对所述入射光具有更大的敏感度。金属膜层安置于所述第二多个光电二极管上方的所述半导体衬底的所述表面上方，且未安置于所述第一多个光电二极管上方。金属栅格安置于所述半导体衬底的所述表面上方，且包含第一多个开口，所述入射光通过所述第一多个开口被引导到所述第一多个光电二极管中。所述金属栅格进一步包含第二多个开口，所述入射光通过所述第二多个开口被引导通过所述金属膜层到所述第二多个光电二极管中。
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公开(公告)号：CN110034141A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910047847.8
申请日：2017-02-07
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请案涉及一种图像传感器封装及其制作方法。一种图像传感器封装包含：图像传感器，其具有安置于半导体材料中的像素阵列；及透明屏蔽物，其粘附到所述半导体材料。所述像素阵列安置于所述半导体材料与所述透明屏蔽物之间。光阻挡层安置于所述透明屏蔽物的凹入区域中，且所述凹入区域安置于所述透明屏蔽物的被照射侧上。所述光阻挡层经安置以防止光从所述透明屏蔽物的边缘反射脱离而进入所述图像传感器中。
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公开(公告)号：CN110021614A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811441725.9
申请日：2018-11-29
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L29/10 , H01L29/78
Abstract: 本申请案涉及一种用于经增强图像传感器性能的源极跟随器装置。一种图像传感器包含：光电二极管，其安置于半导体材料中以响应于入射光而产生图像电荷；及浮动扩散部，其接近于光电二极管而安置于半导体材料中。转移晶体管耦合到光电二极管以响应于施加到转移晶体管的转移栅极的转移信号而将图像电荷从光电二极管转移到浮动扩散部中。源极跟随器晶体管耦合到浮动扩散部以放大浮动扩散部上的电荷。源极跟随器晶体管包含：栅极电极，其包含具有第一掺杂剂类型的半导体材料；源极电极，其具有第二掺杂剂类型，安置于半导体材料中；漏极电极，其具有第二掺杂剂类型，安置于半导体材料中；及沟道，其具有第二掺杂剂类型，安置于源极电极与漏极电极之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107635118B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201710924085.6
申请日：2015-07-31
Applicant: 豪威科技股份有限公司
CPC classification number: H04N9/045 , G02B5/201 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H04N5/357 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及彩色滤光器阵列、图像传感器以及用于减少光谱串扰的方法。彩色滤光器阵列包含多个平铺最小重复单元，每一最小重复单元包括M×N个别滤光器组。每一最小重复单元包含：多个成像滤光器，其包含具有至少第一、第二及第三光响应的个别滤光器；及至少一个参考滤光器，其具有参考光响应，其中所述参考滤光器定位在所述成像滤光器之间，且其中所述参考光响应实质上透射所述多个成像滤光器未从入射在所述彩色滤光器阵列上的光中过滤的串扰光谱。本发明揭示及主张其它实施例。
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公开(公告)号：CN105810699B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201510794430.X
申请日：2015-11-18
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N9/04
CPC classification number: G02B5/201 , G02B5/22 , G02B5/24 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14685 , H04N5/3532 , H04N5/378 , H04N9/045
Abstract: 本申请案涉及一种具有支撑结构以提供经改进滤光器厚度均匀性的彩色滤光器阵列。在彩色图像传感器上使用的彩色滤光器阵列包含具有侧壁的氧化物栅格，所述侧壁经布置以界定所述氧化物栅格中的开口。所述开口中的每一者将安置在所述彩色图像传感器的对应像素单元上方。氧化物支撑结构安置在所述彩色图像传感器的对应像素单元上方的所述氧化物栅格中的每一开口的内部区域中。所述氧化物栅格中的所述开口填充有对应彩色滤光器的彩色滤光器材料。每一氧化物支撑结构与所述彩色滤光器的周围彩色滤光器材料之间的表面张力适于为所述氧化物栅格中的所述对应开口内的所述彩色滤光器提供均匀厚度。
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公开(公告)号：CN104469188B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201410008314.6
申请日：2014-01-08
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H04N5/357 , H04N5/361 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14623 , H01L27/14621 , H01L27/14627
Abstract: 本申请案涉及在像素单元平面化层中用于黑电平校正的光学屏蔽。一种像素阵列包括安置在半导体层中且布置在所述像素阵列中的多个光电二极管。彩色滤光器层是接近所述半导体层而安置。光穿过所述彩色滤光器层经引导到所述多个光电二极管中的至少第一者。光学屏蔽层是接近所述彩色滤光器层而安置。所述彩色滤光器层安置在所述光学屏蔽层与所述半导体层之间。所述光学屏蔽层为所述多个光电二极管中的至少第二者屏蔽所述光。
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公开(公告)号：CN107437552A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710374063.7
申请日：2017-05-24
Applicant: 豪威科技股份有限公司
Inventor： 毛杜立 , 特吕格弗·维拉森 , 约翰内斯·索尔胡斯维克 , 马渕圭司 , 陈刚 , 真锅宗平 , 戴森·H·戴 , 比尔·潘 , 奥拉伊·奥尔昆·赛莱克 , 林志强 , 马思光 , 杨大江 , 博伊德·艾伯特·佛勒
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/374 , H01L27/14612 , H01L27/14641 , H04N5/23229 , H04N5/3559 , H04N5/3591 , H04N5/3592 , H04N5/37452 , H04N5/37457 , H01L27/14605 , H01L27/14683
Abstract: 本发明涉及用于检测不闪烁发光二极管的系统及方法。一种用于检测不闪烁发光二极管LED的图像传感器包含具有像素的像素阵列。每一像素包含：包含第一及第二子像素的子像素、双浮动扩散DFD晶体管及耦合到所述DFD晶体管的电容器。第一子像素包含用于获取第一图像电荷的第一光敏元件及用于选择性地将所述第一图像电荷从所述第一光敏元件转移到第一浮动扩散FD节点的第一转移栅极晶体管。第二子像素包含用于获取第二图像电荷的第二光敏元件及用于选择性地将所述第二图像电荷从所述第二光敏元件转移到第二FD节点的第二转移栅极晶体管。DFD晶体管耦合到所述第一及所述第二FD节点。还描述其它实施例。
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公开(公告)号：CN104617116B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201410074543.8
申请日：2014-03-03
Applicant: 豪威科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14641 , H01L27/14645
Abstract: 本申请案涉及一种用于图像传感器的大‑小像素方案及其使用。一种供在高动态范围图像传感器中使用的图像传感器像素包含第一光电二极管、多个光电二极管、共享浮动扩散区、第一转移栅极及第二转移栅极。所述第一光电二极管安置于半导体材料中。所述第一光电二极管具有第一曝光面积及第一掺杂浓度。所述多个光电二极管也安置于所述半导体材料中。所述多个光电二极管中的每一光电二极管具有所述第一曝光面积及所述第一掺杂浓度。所述第一转移栅极经耦合以将第一图像电荷从所述第一光电二极管转移到所述共享浮动扩散区。所述第二转移栅极经耦合以将分布式图像电荷从所述多个光电二极管中的每一光电二极管转移到所述共享浮动扩散区。
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