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公开(公告)号：CN117135487A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310601212.4
申请日：2023-05-25
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H04N25/78 , H04N25/532
摘要： 本申请涉及电压域全局快门读出电路时序。全局快门读出电路包含像素启用信号及第一采样及保持SH信号，它们经配置以在全局转移时段期间在第一时间打开像素启用晶体管及第一存储晶体管。所述像素启用信号经配置以在第二时间开始转变到断开电平，并且在第三时间完成所述转变到所述断开电平以关闭所述像素启用晶体管。所述第一SH信号经配置以在所述第二及第三时间之后出现的第四时间开始转变到所述断开电平，并且在第五时间完成所述转变到所述断开电平以关闭所述第一存储晶体管。所述第四及第五时间之间的断开转变持续时间大于所述第一SH信号在所述第一时间的接通转变持续时间。
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公开(公告)号：CN114025109B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110793564.5
申请日：2021-07-14
申请人： 豪威科技股份有限公司
摘要： 本申请案涉及一种具有帧级别黑色电平校准的图像传感器。一种图像传感器包含像素阵列，所述像素阵列具有：像素单元的作用行；黑色电平校准行，其具有经耦合以产生代表没有入射光的黑色图像数据信号的黑色图像数据产生电路；以及虚设行，所述虚设行具有经耦合以接收黑色太阳参考电压以箝位所述像素阵列的位线的黑色电平箝位电路，以及经耦合以接收所述黑色太阳参考电压以产生黑色太阳校准电压的黑色电平校准电路。黑色太阳反馈电路经耦合以响应于所述黑色太阳校准电压和黑色电平样本参考产生所述黑色太阳参考电压，且黑色电平取样电路经耦合到所述位线以对所述黑色图像数据信号进行取样以产生由所述黑色太阳反馈电路接收的所述黑色电平样本参考。
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公开(公告)号：CN112243098B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202010689642.2
申请日：2020-07-17
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/378 , H01L27/146
摘要： 本公开涉及开关驱动器电路及包含其的成像系统。一种开关驱动器电路包含耦合在电压源和第一输出节点之间的第一晶体管。第二晶体管耦合在第一输出节点和第一放电节点之间。第一斜率控制电路耦合到第一放电节点以使第一放电节点以第一斜率放电。第三晶体管耦合在电压源和第二输出节点之间。第四晶体管耦合在第二输出节点和第二放电节点之间。第二斜率控制电路耦合到第二放电节点以使第二放电节点以第二斜率放电。第一和第二斜率不匹配。
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公开(公告)号：CN113572990B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110468465.X
申请日：2021-04-28
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H04N5/374 , H01L27/146
摘要： 本公开涉及具有事件驱动感测的混合CMOS图像传感器。一种图像传感器包含源极跟随器，其耦合到光电二极管以响应于光生电荷产生图像信号。由图像读出电路系统通过行选择晶体管接收所述图像信号。复位晶体管复位所述光生电荷。模式选择电路的第一节点经耦合到所述复位晶体管，第二节点经耦合到像素供应电压，且第三节点经耦合到事件驱动电路。所述模式选择电路在成像模式期间将所述第一节点耦合到所述第二节点以将所述像素供应电压供应到所述复位晶体管。所述模式选择电路进一步经配置以在事件驱动模式期间将所述第一节点耦合到所述第三节点以耦合所述光电二极管的光电流以通过所述复位晶体管驱动所述事件驱动电路以检测所述光电流中的变化。
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公开(公告)号：CN114500890A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111141862.2
申请日：2021-09-28
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/378 , H01L27/146
摘要： 本申请案涉及用于横向溢出积分电容器lofic读出图像传感器的自动归零技术。描述用于图像传感器中快速电压稳定的切换技术。在一个实施例中，图像传感器包含以像素阵列的行及列布置的多个横向溢出积分电容器LOFIC像素。所述多个像素包含经配置用于曝光的作用像素以及至少部分地受到保护而免于曝光的虚设像素。共用位线(BL)可耦合到所述作用像素及所述虚设像素。比较器(OA1)耦合到所述位线。所述比较器经配置以在一个输入上接收来自所述作用像素的像素电压(Vx)且在另一输入上接收斜变电压(Vy)。由所述作用像素积累的电荷至少部分地由所述斜变电压与所述像素电压之间的相交点确定。
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公开(公告)号：CN114339100A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111054872.2
申请日：2021-09-09
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/378 , H01L27/146
摘要： 本公开描述用于图像传感器中快速电压稳定的切换技术。在一个实施例中，图像传感器的传送门(TX)驱动器电路包含经配置以将TX驱动器电压提供到图像传感器的多个像素的TX驱动器。电力供应器(NVDD)可操作地耦合到所述TX驱动器。第一开关(SW1)可操作地耦合外部电容(Cext)及所述TX驱动器。第二开关(SW2)可操作地耦合所述Cext及所述NVDD。第三开关(SW3)可操作地耦合所述NVDD及所述TX驱动器。所述TX驱动器电压的下降沿经配置以控制从所述多个像素中的个别像素起始数据传送。所述SW1及所述SW2在所述TX驱动器电压的所述下降沿之前经配置成断开位置。所述SW3在所述下降沿之前经配置成闭合位置。
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公开(公告)号：CN117135486A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310509154.2
申请日：2023-05-08
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H04N25/78 , H04N25/532
摘要： 本发明涉及一种电压域全局快门读出电路。一种全局快门读出电路包含耦合于复位电压与位线之间的复位晶体管。像素启用晶体管耦合于所述复位晶体管与源极跟随器晶体管之间。所述像素启用晶体管的第一与第二端子响应于耦合到所述像素启用晶体管的第三端子的像素启用信号而耦合在一起。第一存储晶体管耦合到所述像素启用晶体管的所述第二端子及所述源极跟随器晶体管的栅极。第一存储电容器耦合到所述第一存储晶体管。第二存储晶体管耦合到所述像素启用晶体管的所述第二端子及所述源极跟随器晶体管的所述栅极。第二存储电容器耦合到所述第二存储晶体管。行选择晶体管耦合到所述源极跟随器晶体管以从所述全局快门读出电路产生输出信号。
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公开(公告)号：CN113810635B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110569734.1
申请日：2021-05-25
申请人： 豪威科技股份有限公司
IPC分类号： H04N5/355 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H04N5/225 , H04N5/335
摘要： 本申请案涉及高动态范围CMOS图像传感器设计。一种像素单元包含第一子像素及多个第二子像素。每一子像素包含光电二极管以响应于入射光而光生图像电荷。图像电荷通过第一转移晶体管从所述第一子像素转移到浮动扩散部。图像电荷通过多个第二转移晶体管从所述多个第二子像素转移到所述浮动扩散部。衰减层安置在所述第一子像素上方。所述第一子像素通过所述衰减层接收所述入射光。所述多个第二子像素在不行进通过所述衰减层的情况下接收所述入射光。双浮动扩散部DFD晶体管耦合到所述浮动扩散部。电容器耦合到所述DFD晶体管。
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公开(公告)号：CN114025109A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202110793564.5
申请日：2021-07-14
申请人： 豪威科技股份有限公司
摘要： 本申请案涉及一种具有帧级别黑色电平校准的图像传感器。一种图像传感器包含像素阵列，所述像素阵列具有：像素单元的作用行；黑色电平校准行，其具有经耦合以产生代表没有入射光的黑色图像数据信号的黑色图像数据产生电路；以及虚设行，所述虚设行具有经耦合以接收黑色太阳参考电压以箝位所述像素阵列的位线的黑色电平箝位电路，以及经耦合以接收所述黑色太阳参考电压以产生黑色太阳校准电压的黑色电平校准电路。黑色太阳反馈电路经耦合以响应于所述黑色太阳校准电压和黑色电平样本参考产生所述黑色太阳参考电压，且黑色电平取样电路经耦合到所述位线以对所述黑色图像数据信号进行取样以产生由所述黑色太阳反馈电路接收的所述黑色电平样本参考。
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公开(公告)号：CN118921575A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410552762.6
申请日：2024-05-07
申请人： 豪威科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及用于1乘2共享HDR VDGS的真实GS及OFG时序设计。一种成像系统包含具有奇数及偶数像素单元的像素阵列。所述奇数及偶数像素单元中的每一者包含光电二极管、浮动扩散区、转移晶体管、复位晶体管、横向溢出积分电容器LOFIC及溢出栅极OFG晶体管。所述成像系统进一步包含具有采样及保持SH电路及模/数转换器的读出电路。所述奇数及偶数像素单元中的每一者的所述OFG晶体管经配置以引导由所述相应光电二极管光生的图像电荷远离所述相应转移晶体管且在全局转移周期期间在LOFIC读出期间减少光电二极管曝光偏移。
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