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公开(公告)号：CN108919520B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201810644115.2
申请日：2018-06-21
申请人： 贵州民族大学
IPC分类号： G02F1/01
摘要： 本发明公开了一种石墨烯超窄带电光调制器，包括：平行设置的上反射镜和下反射镜；设置于支撑密闭层上反射镜和下反射镜之间的一对支撑密闭层；由支撑密闭层上反射镜、下反射镜及支撑密闭层形成的内部真空的光学微腔；及多层薄膜复合结构，平行设置于支撑密闭层反射镜和下反射镜间，将支撑密闭层光学微腔隔开为上微腔和下微腔，且支撑密闭层上微腔和下微腔中填充有金属饱和蒸汽。其制备出来的光电调制器可在较小的电场下有效的对特定波长范围内的光进行调制，有效降低电光调制的功耗和成本，同时还可以实现滤波功能，提高光电调制器的集成度和扩展其应用范围，如应用于复杂光学环境、强背景光环境中如自由空间光通信光调制。
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公开(公告)号：CN111240048A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010115216.8
申请日：2020-02-25
申请人： 贵州民族大学
IPC分类号： G02F1/01
摘要： 本发明公开了一种光调制器，包括导电底层，所述导电底层的上表面的两端上固定设有绝缘层，所述绝缘层的上表面固定设有润滑层，所述二维材料的两端的下表面设在所述润滑层的上表面上，所述导电底层上设有第一电极，所述润滑层上设有第二电极，所述二维材料在所述润滑层上滑动。本发明的有益效果是：通过改变二维材料和导电底层之间的电压从而调节二维材料和底座之间的静电力，使得二维材料在润滑层上滑移，调节二维材料和导电底座之间的距离从而实现光调控，这种电光调制器可以实现紫外至红外光谱范围内的同时调制，且调制速度快，调制电压小，功耗低。
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公开(公告)号：CN115712078A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211260049.1
申请日：2022-10-14
申请人： 贵州民族大学
IPC分类号： G01R33/26
摘要： 本发明涉及磁场测量技术领域，尤其涉及一种磁场测量方法、系统、存储介质和电子设备，利用左旋圆偏振光和右旋圆偏振光来实现原子量子态的控制并在原子塞曼磁子能级中产生量子干涉效应即电磁诱导吸收的现象和电磁诱导透明的现象，且左旋圆偏振光的第二透射光会随与磁场方向之间的角度改变而改变，这样即可以测量外磁场的大小同时又提供了外磁场的方向信息，计算表明电磁诱导吸收的光透射峰线宽(半高全宽)可达到塞曼磁子能级间隔频率的十万分之六，这也将提供极高的磁场测量灵敏度。
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公开(公告)号：CN110970723B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201911358679.0
申请日：2019-12-25
申请人： 贵州民族大学
摘要： 本发明公开了一种微带馈电的四陷波超宽带天线结构，第一弧形开环谐振器与第二弧形开环谐振器的形状不同；第一类U形寄生带连接臂长度为6.5mm；第二类U形寄生带连接臂长度为6.6mm；第一类U形寄生带与介质基板下部边缘的间距为6.5mm，第二类U形寄生带与介质基板下部边缘的间距为8.9mm。以解决现有技术中的4陷波天线的各陷波结构间存在强烈耦合的问题。
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公开(公告)号：CN111240048B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202010115216.8
申请日：2020-02-25
申请人： 贵州民族大学
IPC分类号： G02F1/01
摘要： 本发明公开了一种光调制器，包括导电底层，所述导电底层的上表面的两端上固定设有绝缘层，所述绝缘层的上表面固定设有润滑层，所述二维材料的两端的下表面设在所述润滑层的上表面上，所述导电底层上设有第一电极，所述润滑层上设有第二电极，所述二维材料在所述润滑层上滑动。本发明的有益效果是：通过改变二维材料和导电底层之间的电压从而调节二维材料和底座之间的静电力，使得二维材料在润滑层上滑移，调节二维材料和导电底座之间的距离从而实现光调控，这种电光调制器可以实现紫外至红外光谱范围内的同时调制，且调制速度快，调制电压小，功耗低。
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公开(公告)号：CN109187418A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811193566.5
申请日：2018-10-12
申请人： 贵州民族大学
IPC分类号： G01N21/3581 , G01J3/42 , G01J3/02
摘要： 本发明公开了一种THz成像仪，包括：THz源，用于产生预设频率的THz波；液晶显示屏，朝向THz波发射的方向设置，与THz源呈预设角度设置，液晶显示屏将THz源发射的THz波反射至待测物体；至少一个THz强度计，与待测物体并行设置，用于接收通过了待测物体的THz波；成像装置，分别与液晶显示屏和THz强度计连接，用于根据接收到的THz波及液晶显示屏内液晶分子取向分布函数对待测物体进行重构，或根据接收到的THz波及液晶显示屏反射的THz波分布函数对待测物体进行重构。其只需使用到THz强度计，无需使用THz成像阵列，就能实现对待测物体的成像，且可以利用成熟的液晶面板生长制作技术，结构简单，体积小，成本低。
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公开(公告)号：CN109187418B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201811193566.5
申请日：2018-10-12
申请人： 贵州民族大学
IPC分类号： G01N21/3581 , G01J3/42 , G01J3/02
摘要： 本发明公开了一种THz成像仪，包括：THz源，用于产生预设频率的THz波；液晶显示屏，朝向THz波发射的方向设置，与THz源呈预设角度设置，液晶显示屏将THz源发射的THz波反射至待测物体；至少一个THz功率计，与待测物体并行设置，用于接收通过了待测物体的THz波；成像装置，分别与液晶显示屏和THz功率计连接，用于根据接收到的THz波及液晶显示屏内液晶分子取向分布函数对待测物体进行重构，或根据接收到的THz波及液晶显示屏反射的THz波分布函数对待测物体进行重构。其只需使用到THz功率计，无需使用THz成像阵列，就能实现对待测物体的成像，且可以利用成熟的液晶面板生长制作技术，结构简单，体积小，成本低。
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公开(公告)号：CN110970723A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911358679.0
申请日：2019-12-25
申请人： 贵州民族大学
摘要： 本发明公开了一种微带馈电的四陷波超宽带天线结构，第一弧形开环谐振器与第二弧形开环谐振器的形状不同；第一类U形寄生带连接臂长度为6.5mm；第二类U形寄生带连接臂长度为6.6mm；第一类U形寄生带与介质基板下部边缘的间距为6.5mm，第二类U形寄生带与介质基板下部边缘的间距为8.9mm。以解决现有技术中的4陷波天线的各陷波结构间存在强烈耦合的问题。
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公开(公告)号：CN108919520A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810644115.2
申请日：2018-06-21
申请人： 贵州民族大学
IPC分类号： G02F1/01
摘要： 本发明公开了一种石墨烯超窄带电光调制器，包括：平行设置的上反射镜和下反射镜；设置于支撑密闭层上反射镜和下反射镜之间的一对支撑密闭层；由支撑密闭层上反射镜、下反射镜及支撑密闭层形成的内部真空的光学微腔；及多层薄膜复合结构，平行设置于支撑密闭层反射镜和下反射镜间，将支撑密闭层光学微腔隔开为上微腔和下微腔，且支撑密闭层上微腔和下微腔中填充有金属饱和蒸汽。其制备出来的光电调制器可在较小的电场下有效的对特定波长范围内的光进行调制，有效降低电光调制的功耗和成本，同时还可以实现滤波功能，提高光电调制器的集成度和扩展其应用范围，如应用于复杂光学环境、强背景光环境中如自由空间光通信光调制。
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公开(公告)号：CN210957004U
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201922377815.2
申请日：2019-12-25
申请人： 贵州民族大学
摘要： 本实用新型公开了一种微带馈电的四陷波超宽带天线，第一弧形开环谐振器与第二弧形开环谐振器的形状不同；第一类U形寄生带连接臂长度为6.5mm；第二类U形寄生带连接臂长度为6.6mm；第一类U形寄生带与介质基板下部边缘的间距为6.5mm，第二类U形寄生带与介质基板下部边缘的间距为8.9mm。以解决现有技术中的4陷波天线的各陷波结构间存在强烈耦合的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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