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公开(公告)号:CN117133852B
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202310894404.9
申请日:2023-07-20
申请人: 贵研半导体材料(云南)有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号: H01L33/62 , C22C5/06 , C23F11/10 , C23F3/04 , B21C1/02 , B21C9/02 , B21C47/02 , B21C47/16 , H01L23/49 , H01L21/48
摘要: 本发明公开了一种低光衰抗变色键合银丝及其制备方法,该键合银丝的成分和质量含量为:锶为5~10ppm,钙为7‑15ppm,铍为10‑20ppm;金为5‑15ppm,钯为5‑15ppm;铈为1‑20ppm;余量为原料纯度99.99%的银;针对Ф0.050mm以下的键合银丝,设计变形量逐级递减的在线热拉拔与逐级表面处制备方式,设计抗变色表面活性剂成分及浓度配比,制备一种低光衰抗变色键合银键合银丝。采用此方法制备的键合银丝光通量平均值达到28.791m,高温硫化试验后表面光亮不变色,光通量维持率不低于94%。该方法突破了键合银丝易硫化变色,光通量维持率低的技术难题,提升了银合金丝封装的LED反射光线的效率,推动了光源器件微组装技术的发展。
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公开(公告)号:CN117133852A
公开(公告)日:2023-11-28
申请号:CN202310894404.9
申请日:2023-07-20
申请人: 贵研半导体材料(云南)有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号: H01L33/62 , C22C5/06 , C23F11/10 , C23F3/04 , B21C1/02 , B21C9/02 , B21C47/02 , B21C47/16 , H01L23/49 , H01L21/48
摘要: 本发明公开了一种低光衰抗变色键合银丝及其制备方法,该键合银丝的成分和质量含量为:锶为5~10ppm,钙为7‑15ppm,铍为10‑20ppm;金为5‑15ppm,钯为5‑15ppm;铈为1‑20ppm;余量为原料纯度99.99%的银;针对Ф0.050mm以下的键合银丝,设计变形量逐级递减的在线热拉拔与逐级表面处制备方式,设计抗变色表面活性剂成分及浓度配比,制备一种低光衰抗变色键合银键合银丝。采用此方法制备的键合银丝光通量平均值达到28.791m,高温硫化试验后表面光亮不变色,光通量维持率不低于94%。该方法突破了键合银丝易硫化变色,光通量维持率低的技术难题,提升了银合金丝封装的LED反射光线的效率,推动了光源器件微组装技术的发展。
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