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公开(公告)号：CN117403050A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310894424.6
申请日：2023-07-20
申请人： 贵研半导体材料(云南)有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种能够延缓脆化现象发生的封装用键合铜丝及制备方法，旨在解决键合铜丝在生产和应用过程中脆化的问题，采用的技术方案是：在高纯铜中添加2～8ppm的P和5～12ppm的Ag，5～15ppm Cr、Ge、Ni的一种或者两种，8～30ppm的Zn、Co的一种，按照以上配比熔炼拉拔加工到Φ1mm～Φ3mm，经高温淬火后再低温回火，接着拉拔加工到Φ0.05mm～Φ0.1mm，经氮气保护退火处理，再冷冻。拉拔加工到最终成品，再对成品丝去应力连续退火处理，退火后在键合铜丝表面敷一层抗氧化剂。通过以上技术方案处理的键合铜丝可以降低拉断力和伸长率同时下降的速度，为键合铜丝的大批量生产和应用提供了技术支撑。
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公开(公告)号：CN117133852A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310894404.9
申请日：2023-07-20
申请人： 贵研半导体材料(云南)有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： H01L33/62 , C22C5/06 , C23F11/10 , C23F3/04 , B21C1/02 , B21C9/02 , B21C47/02 , B21C47/16 , H01L23/49 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种低光衰抗变色键合银丝及其制备方法，该键合银丝的成分和质量含量为：锶为5～10ppm,钙为7‑15ppm,铍为10‑20ppm；金为5‑15ppm,钯为5‑15ppm；铈为1‑20ppm；余量为原料纯度99.99％的银；针对Ф0.050mm以下的键合银丝，设计变形量逐级递减的在线热拉拔与逐级表面处制备方式，设计抗变色表面活性剂成分及浓度配比，制备一种低光衰抗变色键合银键合银丝。采用此方法制备的键合银丝光通量平均值达到28.791m，高温硫化试验后表面光亮不变色，光通量维持率不低于94％。该方法突破了键合银丝易硫化变色，光通量维持率低的技术难题，提升了银合金丝封装的LED反射光线的效率，推动了光源器件微组装技术的发展。
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公开(公告)号：CN117403050B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202310894424.6
申请日：2023-07-20
申请人： 贵研半导体材料(云南)有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种能够延缓脆化现象发生的封装用键合铜丝及制备方法，旨在解决键合铜丝在生产和应用过程中脆化的问题，采用的技术方案是：在高纯铜中添加2～8ppm的P和5～12ppm的Ag，5～15ppm Cr、Ge、Ni的一种或者两种，8～30ppm的Zn、Co的一种，按照以上配比熔炼拉拔加工到Φ1mm～Φ3mm，经高温淬火后再低温回火，接着拉拔加工到Φ0.05mm～Φ0.1mm，经氮气保护退火处理，再冷冻。拉拔加工到最终成品，再对成品丝去应力连续退火处理，退火后在键合铜丝表面敷一层抗氧化剂。通过以上技术方案处理的键合铜丝可以降低拉断力和伸长率同时下降的速度，为键合铜丝的大批量生产和应用提供了技术支撑。
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公开(公告)号：CN117133852B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202310894404.9
申请日：2023-07-20
申请人： 贵研半导体材料(云南)有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： H01L33/62 , C22C5/06 , C23F11/10 , C23F3/04 , B21C1/02 , B21C9/02 , B21C47/02 , B21C47/16 , H01L23/49 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种低光衰抗变色键合银丝及其制备方法，该键合银丝的成分和质量含量为：锶为5～10ppm,钙为7‑15ppm,铍为10‑20ppm；金为5‑15ppm,钯为5‑15ppm；铈为1‑20ppm；余量为原料纯度99.99％的银；针对Ф0.050mm以下的键合银丝，设计变形量逐级递减的在线热拉拔与逐级表面处制备方式，设计抗变色表面活性剂成分及浓度配比，制备一种低光衰抗变色键合银键合银丝。采用此方法制备的键合银丝光通量平均值达到28.791m，高温硫化试验后表面光亮不变色，光通量维持率不低于94％。该方法突破了键合银丝易硫化变色，光通量维持率低的技术难题，提升了银合金丝封装的LED反射光线的效率，推动了光源器件微组装技术的发展。
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公开(公告)号：CN118479528A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410722135.2
申请日：2024-06-05
申请人： 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研半导体材料(云南)有限公司
摘要： 本发明涉及一种亚硫酸金钠溶液的制备方法，属于电镀金盐溶液的制备方法技术领域。本发明将金块经熔融泼珠后加入到盐酸中，在温度85~95℃下通入氯气溶解金得到氯金酸溶液；氯金酸溶液中加入过量的饱和碳酸钠溶液，同时采用饱和碳酸钠溶液调节控制溶液体系的pH值为11~12，加热至沸腾并恒温沉淀反应得到氢氧化金沉淀；氢氧化金沉淀依次经去离子水、稀硫酸、去离子水洗涤除杂得到纯化氢氧化金；纯化氢氧化金加入到亚硫酸钠溶液中，在温度40~60℃、pH值11~12、搅拌条件下还原络合反应至溶液无色透明，得到亚硫酸金钠溶液。本发明具有工艺流程简单、氯离子等杂质去除效果好、反应条件温和，反应过程易于控制、易于批量实施等优点。
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公开(公告)号：CN118275212A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410707480.9
申请日：2024-06-03
申请人： 昆明贵金属研究所 , 贵研半导体材料(云南)有限公司
IPC分类号： G01N1/28 , G01N1/44 , G01N23/2202 , G01N23/2251
摘要： 本申请公开了一种LED灯珠解封方法，涉及LED光源器件的技术领域，包括以下步骤：步骤S1：将待解封LED灯珠的铁质电极通过磁力吸附于上盖的磁片底面上；步骤S2：以升温速率0.2~1℃/s，在搅拌状态下使LED硅胶溶解剂温度上升至160~170℃，温度达到后保持2~8min取出待解封LED灯珠，完成解封。该方法能在不破坏或进一步损伤灯珠，也不增加或改变灯珠失效成因的情况下，高效实现对大批量LED封装环氧树脂的有效全面溶解去除，最大限度保留失效灯珠内部情况，便于后续准确进行原因分析，提高失效灯珠原因分析结果准确性。有助于实现批量化对失效灯珠解封，缩短样品制备时间，减少操作步骤，提高分析效率。
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公开(公告)号：CN118275212B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410707480.9
申请日：2024-06-03
申请人： 昆明贵金属研究所 , 贵研半导体材料(云南)有限公司
IPC分类号： G01N1/28 , G01N1/44 , G01N23/2202 , G01N23/2251
摘要： 本申请公开了一种LED灯珠解封方法，涉及LED光源器件的技术领域，包括以下步骤：步骤S1：将待解封LED灯珠的铁质电极通过磁力吸附于上盖的磁片底面上；步骤S2：以升温速率0.2~1℃/s，在搅拌状态下使LED硅胶溶解剂温度上升至160~170℃，温度达到后保持2~8min取出待解封LED灯珠，完成解封。该方法能在不破坏或进一步损伤灯珠，也不增加或改变灯珠失效成因的情况下，高效实现对大批量LED封装环氧树脂的有效全面溶解去除，最大限度保留失效灯珠内部情况，便于后续准确进行原因分析，提高失效灯珠原因分析结果准确性。有助于实现批量化对失效灯珠解封，缩短样品制备时间，减少操作步骤，提高分析效率。
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公开(公告)号：CN108359833A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810266443.3
申请日：2018-03-28
申请人： 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： C22C5/02 , B22D11/00 , B22D11/126
摘要： 本发明公开了一种金锡合金蒸镀材料及其规则颗粒制备方法，涉及一种制造半导体芯片的蒸镀材料，由重量百分比Au:75-85％，Sn：15-25％构成；采用了连铸+精密机加工(自动切割)工艺，制备脆性AuSn15-25合金规则颗粒的新工艺。该方法制备直径2-4毫米长度2-8毫米AuSn15-25合金规则颗粒，每粒重0.2-2克，纯度达到99.999％，杂质含量≤10ppm。该方法制备AuSn15-25合金规则颗粒，具有纯度高，颗粒性能、大小一致性好，生产效率高、成品率达到95％以上的优越性能，是制造半导体芯片关键基础材料。
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公开(公告)号：CN108677029B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201810264365.3
申请日：2018-03-28
申请人： 贵研铂业股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种集成电路用高纯金规则颗粒制备方法，提出有别于传统熔炼、铸锭、轧制、拉丝、切粒工艺在制备过程对高纯金蒸发材料带来污染的工艺，全新制备集成电路用高纯金蒸发规则颗粒的新方法。具体工艺是，采用电解法进行一次提纯，去除4N金中大部分金属及非金属杂质，再通过化学法进行二次提纯，高纯金原料纯度大于99.999％以上，且能有效控制特定杂质元素C，N，O，S，Fe，Pb，Sb，Bi等，通过可控精密铸造直接成型生产出高纯金蒸发规则颗粒。本发明提出的产品纯度达到99.999％以上，C含量低于1ppm；产品粒径0.3‑3mm，误差±0.2mm，重量误差±0.1g，清洁性达到电子行业1级标准。
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公开(公告)号：CN108359833B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201810266443.3
申请日：2018-03-28
申请人： 贵研铂业股份有限公司
IPC分类号： C22C5/02 , B22D11/00 , B22D11/126
摘要： 本发明公开了一种金锡合金蒸镀材料及其规则颗粒制备方法，涉及一种制造半导体芯片的蒸镀材料，由重量百分比Au:75‑85％，Sn：15‑25％构成；采用了连铸+精密机加工(自动切割)工艺，制备脆性AuSn15‑25合金规则颗粒的新工艺。该方法制备直径2‑4毫米长度2‑8毫米AuSn15‑25合金规则颗粒，每粒重0.2‑2克，纯度达到99.999％，杂质含量≤10ppm。该方法制备AuSn15‑25合金规则颗粒，具有纯度高，颗粒性能、大小一致性好，生产效率高、成品率达到95％以上的优越性能，是制造半导体芯片关键基础材料。
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