公开(公告)号：CN113512714A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110771701.5

申请日：2021-07-08

申请人： 贵研铂业股份有限公司

发明人： 胡昌义 ,  魏燕 ,  蔡宏中 ,  胡晋铨 ,  王献 ,  郭俊梅 ,  张诩翔 ,  周利民 ,  陈力 ,  闻名 ,  张贵学 ,  汪星强 ,  李艳琼

IPC分类号： C23C16/14 ,  C23C16/448 ,  C30B35/00 ,  C30B29/16

摘要： 本发明提供了一种铼‑钨复合坩埚及其制备方法和应用，属于金属材料制备技术领域。本发明的铼‑钨复合坩埚包括基体钨坩埚以及铼层，所述铼层位于所述基体钨坩埚的内表面。本发明将难熔金属钨和铼的优点结合起来，创新设计并制备铼‑钨复合坩埚，可大幅降低坩埚的成本；本发明采用CVD法制备复合坩埚内部的铼层，且铼层与氧化物熔体直接接触，在提高坩埚材料的致密度和纯度的同时，还能保证所制备激光晶体的高品质，所发明的铼/钨复合坩埚主要用于难熔金属氧化物，如稀土氧化物、碱土金属氧化物等高熔点晶体的生长。