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公开(公告)号：CN105132874B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201510549214.9
申请日：2015-08-31
Applicant: 辽宁工业大学
Abstract: 一种直流/射频共溅射法制备高浓度梯度AZO单晶导电薄膜的方法，溅射使用的靶材为ZnO靶和Al靶，氧化锌靶安装在磁控溅射设备的射频靶上，铝靶安装在磁控溅射设备的直流靶上，同时在磁控溅射设备的真空室顶部的样品台安装单晶硅基片；采用共溅射法制备梯度AZO薄膜，Al的初始掺杂量为40％～60％，Al靶材的功率在整个镀膜过程中不断变化，变化规律随着溅射沉积薄膜厚度的不断增加，Al靶材的功率减小，Al的掺杂量减少到3％，制得梯度AZO薄膜。优点是：该方法所得薄膜梯度均匀，单晶取向好，具有优良的光、电性能，同时成本低廉，可适用于工艺大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105132874A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510549214.9
申请日：2015-08-31
Applicant: 辽宁工业大学
Abstract: 一种直流/射频共溅射法制备高浓度梯度AZO单晶导电薄膜的方法，溅射使用的靶材为ZnO靶和Al靶，氧化锌靶安装在磁控溅射设备的射频靶上，铝靶安装在磁控溅射设备的直流靶上，同时在磁控溅射设备的真空室顶部的样品台安装单晶硅基片；采用共溅射法制备梯度AZO薄膜，Al的初始掺杂量为40％～60％，Al靶材的功率在整个镀膜过程中不断变化，变化规律随着溅射沉积薄膜厚度的不断增加，Al靶材的功率减小，Al的掺杂量减少到3％，制得梯度AZO薄膜。优点是：该方法所得薄膜梯度均匀，单晶取向好，具有优良的光、电性能，同时成本低廉，可适用于工艺大规模生产。
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公开(公告)号：CN105132875B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510549215.3
申请日：2015-08-31
Applicant: 辽宁工业大学
Abstract: 一种扩散法制备高浓度梯度AZO单晶导电薄膜的方法，以单晶硅作为基片，使用的靶材为ZnO靶和Al靶，采用磁控溅射法室温下在单晶硅基片上交替进行AZO层和ZnO层溅射沉积，溅射沉积时靶材的功率保持不变，通过定时调节Al靶材挡板来控制Al元素沉积，每次铝靶挡板打开前ZnO靶单独溅射的时间不断增加，ZnO靶单独溅射完成后，打开铝挡板，开始Al靶和ZnO靶共溅射，沉积完成后，进行退火处理，制得梯度AZO薄膜。优点是：工艺简单，成本低廉，过程容易控制，扩散法制备的梯度AZO单晶薄膜，梯度掺杂浓度梯度变化大、梯度均匀、结晶质量高、单晶性能好、薄膜表面平整，导电性能优良，适合作为薄膜太阳能电池钝化层。
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公开(公告)号：CN105132875A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510549215.3
申请日：2015-08-31
Applicant: 辽宁工业大学
Abstract: 一种扩散法制备高浓度梯度AZO单晶导电薄膜的方法，以单晶硅作为基片，使用的靶材为ZnO靶和Al靶，采用磁控溅射法室温下在单晶硅基片上交替进行AZO层和ZnO层溅射沉积，溅射沉积时靶材的功率保持不变，通过定时调节Al靶材挡板来控制Al元素沉积，每次铝靶挡板打开前ZnO靶单独溅射的时间不断增加，ZnO靶单独溅射完成后，打开铝挡板，开始Al靶和ZnO靶共溅射，沉积完成后，进行退火处理，制得梯度AZO薄膜。优点是：工艺简单，成本低廉，过程容易控制，扩散法制备的梯度AZO单晶薄膜，梯度掺杂浓度梯度变化大、梯度均匀、结晶质量高、单晶性能好、薄膜表面平整，导电性能优良，适合作为薄膜太阳能电池钝化层。
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公开(公告)号：CN204885219U
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201520679722.4
申请日：2015-09-06
Applicant: 辽宁工业大学
IPC: H01L51/42
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本实用新型公开了一种捕获式纳米阵列二氧化钛钙钛矿型太阳能电池，包括：材质为透明导电玻璃的导电玻璃层，电子传输层，空穴阻止层，光吸收层，空穴传输层，以及最外层的对电极层，通过空穴阻挡层改善电子传输层电子传输能力，使得禁带宽度变窄，降低纳米阵列与透明导电玻璃之间的界面电阻，使得纳米阵列二氧化钛上的电子更加容易向透明导电玻璃传输，从而能有效提高钙钛矿太阳能电池效率；采用水热合成方式制备出纳米阵列二氧化钛，层间采用旋凃方式组装成钙钛矿太阳能电池，制作简单，成本低廉；顶层和底层采用极精细金属网构成光陷阱，捕获光子，防止光线反射和溢出，有效提高了钙钛矿太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN205670544U
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201620579845.5
申请日：2016-06-15
Applicant: 辽宁工业大学
IPC: H01L31/0216
Abstract: 本实用新型公开了一种P型硅背表面钝化结构。包括：衬层；第一氧化铝层，其设置在所述衬层上方；以及第一AZO钝化膜层，其设置在所述第一氧化铝层的上方；第二氧化铝层，其设置在所述第一AZO钝化膜层上方；第二AZO钝化膜层，其设置在所述第二氧化铝层的上方；第三氧化铝层，其设置在所述第二AZO钝化膜层上方；第三AZO钝化膜层，其设置在所述第三氧化铝层的上方；其中，所述第一氧化铝层、第二氧化铝层和第三氧化铝层的厚度相同，所述第一AZO钝化膜层、第二AZO钝化膜层和第三AZO钝化膜层的厚度依次递增。本实用新型的有益效果是：减少了单一氧化铝钝化结构中氧化铝钝化层的厚度，在保证钝化性能的同时，解决了现有技术中银浆难以烧穿钝化层达到硅片表面的问题，有提高了钝化结构与硅基体的电性能。
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