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发明公开
一种高抗偏移及超低杂散磁场的复合屏蔽式磁耦合结构审中-公开

公开(公告)号：CN119864961A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202510156434.9

申请日：2025-02-12

Applicant: 辽宁工程技术大学

Inventor： 黄伟义 , 陈伟华 , 刘源

IPC: H02J50/70 , H02J50/10 , H02J50/00 , H01F38/14 , H01F27/36

Abstract: 本发明提供了一种高抗偏移及超低杂散磁场的复合屏蔽式磁耦合结构，包括固定层，磁屏蔽层，发射线圈LP1,“工”型磁芯，单极型线圈LP2与集成于无人机起落架内的两组“I”型磁芯结构及绕制在“I”上的螺旋线圈构成；本发明针对现有无人机无线充电系统存在抗偏移性能较弱及较高杂散磁场的问题，通过利用所述复合屏蔽式磁耦合机构的有源及无源屏蔽方式实现了超低杂散磁场分布特性。本发明所述磁耦合机构能够实现超低杂散磁场及高抗偏移的无人机无线充电系统设计。

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