一种SE-PERC电池激光光斑、SE-PERC电池方阻调制方法和系统

    公开(公告)号:CN114393298B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202111596850.9

    申请日:2021-12-24

    摘要: 本发明公开一种SE‑PERC电池激光光斑、SE‑PERC电池方阻调制方法和系统,属于晶硅太阳能电池生产制造技术领域。针对现有技术中存在的现有技术电池工艺的片内方阻均匀性差,影响电池性能;SE激光调整不同尺寸成本高不适合量产等问题,本发明提供一种SE‑PERC电池方阻调制方法,通过设置不同的激光光斑图形,调整SE激光的光斑排布和光斑的跨度范围,降低电池的EL测试时出现的异常,提高电池的电性能和整体良率,在不更换激光光源的前提下,在电池片边缘位置实现较大的激光光斑或将电池表面的方阻相比中心区域实现进一步降低的目的,进而提高成品良率。

    一种氢氟酸循环利用洗石墨舟的方法

    公开(公告)号:CN111354637B

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202010133589.8

    申请日:2020-02-28

    发明人: 姚骞 张忠文 谢毅

    摘要: 本发明涉及太阳能电池生产制造技术领域,具体是一种氢氟酸循环利用洗石墨舟的方法,用于解决现有技术中在电池片的清洗过程中对氢氟酸浪费较大的问题。本发明包括以下步骤:步骤1:将使用过的旧氢氟酸收集并储存在废酸储存池中;步骤2:将废酸储存池中的旧氢氟酸抽入自配存放池中;步骤3:测量自配存放池中的旧氢氟酸浓度;步骤4:根据测量自配存放池中旧氢氟酸的浓度,向自配存放池中加入新氢氟酸或者清水,直到自配存放池中旧氢氟酸的浓度达到要求为止;步骤5:将自配存放池中的旧氢氟酸加入石墨舟清洗槽中,并将带返工片的花篮放入石墨舟清洗槽中浸泡。本发明中通过上述方法可以节省大量的氢氟酸。

    湿法花篮
    3.
    发明公开
    湿法花篮 审中-实审

    公开(公告)号:CN111900113A

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN202010950072.8

    申请日:2020-09-10

    IPC分类号: H01L21/673 H01L31/18

    摘要: 本申请提供一种湿法花篮,属于太阳能电池片生产设备领域。一种湿法花篮包括第一支撑板、第二支撑板及设于第一支撑板和第二支撑板间的多个花篮杆。多个花篮杆围成用于容置硅片的容置腔,容置腔有用于硅片进出容置腔的容置开口。每个花篮杆朝向容置腔的一侧沿轴向间隔设多个花篮齿,每个花篮杆任意相邻两个花篮齿之具有用于容置硅片边缘的容置槽,花篮杆之间容置槽对应设置。另一种湿法花篮包括第一支撑板、第二支撑板及设于第一支撑板和第二支撑板间的多个花篮杆。多个花篮杆围成用于容置硅片的容置腔,容置腔有用于硅片进出容置腔的容置开口。花篮杆为碳纤棒、横截面为圆形、直径为15-25mm。能够有效减少飘篮现象和硅片移位现象的出现。

    一种制绒的脱水烘干方法

    公开(公告)号:CN111341856A

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN202010133629.9

    申请日:2020-02-28

    IPC分类号: H01L31/0236 H01L31/18

    摘要: 本发明涉及太阳能电池生产制造技术领域,具体是一种制绒的脱水烘干方法,用于解决现有技术中将花篮从提拉槽中拉取上来时,会在硅片表面留下不少水滴的问题。本发明包括以下步骤:步骤1:通过机械手抓取带硅片且位于提拉槽中的花篮,并使花篮的正面和侧面同时倾斜;步骤2:通过机械手缓慢的将花篮从提拉槽中拉出,花篮底部与水的接触面积由大到小逐渐变化;步骤3:通过机械手将带硅片的花篮摆正并送至烘干槽中;步骤4:将硅片烘干后,通过机械手将花篮从烘干槽中提出。本发明通过硅片在提升过程中将花篮的正面和侧面都设置一定的倾斜角度,从而可以最大限度的降低硅片表面的残留水滴。

    一种镀膜倒片设备变截距正片方法

    公开(公告)号:CN110838534A

    公开(公告)日:2020-02-25

    申请号:CN201911139542.6

    申请日:2019-11-20

    IPC分类号: H01L31/18 C23C26/00

    摘要: 本发明公开了一种镀膜倒片设备变截距正片方法,涉及太阳能电池制造技术领域,本发明基于镀膜倒片设备,镀膜倒片设备包括变截距装置,变截距装置两侧分别设置可移动的左推板和右推板,变截距装置后侧设置有后推板,包括以下步骤:S1:左推板先朝着靠近变截距装置方向移动,直到将变截距装置上的硅片推至整齐;S2:然后左推板朝着远离变截距装置方向移动,直到松开对硅片的限制作用;S3:右推板和后推板同时朝着靠近变截距装置方向移动对硅片进行夹紧,且后推板移动速度小于右推板移动速度,本发明采用先整片后推紧的方式,提高了对硅片的定位精度,避免了夹弯或夹碎硅片的情况。

    小绒面的单晶高阻密栅太阳电池制绒促进剂及其使用方法

    公开(公告)号:CN110578176A

    公开(公告)日:2019-12-17

    申请号:CN201910835141.8

    申请日:2019-09-05

    摘要: 本发明公开了小绒面的单晶高阻密栅太阳电池制绒促进剂及其使用方法,其目的在于克服现有技术中的不足之处,提出一种小绒面的单晶高阻密栅太阳电池制绒促进剂,促进剂包含以下组分及重量百分比含量:正酸正丁脂0.8-4.5%、维生素A 1-4%、维生素C 0.5-4%、乳酸0.5-6%,将促进剂加入到含碱和乙醇的混合溶液的单晶制绒槽中,制绒槽的温度控80℃,进行搅拌均匀,将单晶硅片浸入制绒槽中进行反应。单晶硅的太阳电池织构化形成陷光结构的金字塔尺寸稳定在1.2-1.5um范围,有利单晶高方阻密栅太阳电池的浅pn结形成,降低扩散后的表面复合速率,减少死层,其次增加了入射光的光程,增加了光通量,提高单晶太阳电池的短路电流和光电转化效率。

    一种PID抗性高的PERC电池组件及其制备方法

    公开(公告)号:CN110491952A

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201910811785.3

    申请日:2019-08-29

    摘要: 本发明公开了一种PID抗性高的PERC电池组件及其制备方法,涉及太阳能电池技术领域,本发明包括衬底层,衬底层顶面从下到上依次设置有扩散层、SiOx正钝化层和SixNy正减反钝化保护膜层,衬底层底面从上到下依次设置有SiOx背钝化层、AlOx背钝化膜层和SixNy背减反钝化保护膜层,其特征在于,SixNy正减反钝化保护膜层的厚度为75-95nm,其折射率为2.08-2.13,SixNy背减反钝化保护膜层的厚度为90-160nm,SixNy背减反钝化保护膜层的膜层数量为至少2层,且距离衬底层最近一层的折射率≥2.1,AlOx背钝化膜层的厚度为2-28nm,AlOx背钝化膜层的折射率为1.56-1.76,本发明通过优化电池组件排布及各层组件厚度和折射率,优化制备工艺,制得的电池抗PID性能高。

    一种SE-PERC电池激光光斑、SE-PERC电池方阻调制方法和系统

    公开(公告)号:CN114393298A

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202111596850.9

    申请日:2021-12-24

    摘要: 本发明公开一种SE‑PERC电池激光光斑、SE‑PERC电池方阻调制方法和系统,属于晶硅太阳能电池生产制造技术领域。针对现有技术中存在的现有技术电池工艺的片内方阻均匀性差,影响电池性能;SE激光调整不同尺寸成本高不适合量产等问题,本发明提供一种SE‑PERC电池方阻调制方法,通过设置不同的激光光斑图形,调整SE激光的光斑排布和光斑的跨度范围,降低电池的EL测试时出现的异常,提高电池的电性能和整体良率,在不更换激光光源的前提下,在电池片边缘位置实现较大的激光光斑或将电池表面的方阻相比中心区域实现进一步降低的目的,进而提高成品良率。

    一种氢氟酸循环利用洗石墨舟的方法

    公开(公告)号:CN111354637A

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN202010133589.8

    申请日:2020-02-28

    发明人: 姚骞 张忠文 谢毅

    摘要: 本发明涉及太阳能电池生产制造技术领域,具体是一种氢氟酸循环利用洗石墨舟的方法,用于解决现有技术中在电池片的清洗过程中对氢氟酸浪费较大的问题。本发明包括以下步骤:步骤1:将使用过的旧氢氟酸收集并储存在废酸储存池中;步骤2:将废酸储存池中的旧氢氟酸抽入自配存放池中;步骤3:测量自配存放池中的旧氢氟酸浓度;步骤4:根据测量自配存放池中旧氢氟酸的浓度,向自配存放池中加入新氢氟酸或者清水,直到自配存放池中旧氢氟酸的浓度达到要求为止;步骤5:将自配存放池中的旧氢氟酸加入石墨舟清洗槽中,并将带返工片的花篮放入石墨舟清洗槽中浸泡。本发明中通过上述方法可以节省大量的氢氟酸。