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公开(公告)号：CN114393298B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202111596850.9
申请日：2021-12-24
申请人： 通威太阳能(眉山)有限公司
IPC分类号： B23K26/06 , B23K26/067 , B23K26/082 , H01L31/18
摘要： 本发明公开一种SE‑PERC电池激光光斑、SE‑PERC电池方阻调制方法和系统，属于晶硅太阳能电池生产制造技术领域。针对现有技术中存在的现有技术电池工艺的片内方阻均匀性差，影响电池性能；SE激光调整不同尺寸成本高不适合量产等问题，本发明提供一种SE‑PERC电池方阻调制方法，通过设置不同的激光光斑图形，调整SE激光的光斑排布和光斑的跨度范围，降低电池的EL测试时出现的异常，提高电池的电性能和整体良率，在不更换激光光源的前提下，在电池片边缘位置实现较大的激光光斑或将电池表面的方阻相比中心区域实现进一步降低的目的，进而提高成品良率。
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公开(公告)号：CN117790622B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202311742432.5
申请日：2023-12-15
申请人： 通威太阳能(眉山)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , C03C3/12 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01B1/22 , H01L31/0216
摘要： 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法，包括：在硅片的受光面或背光面上沉积隧穿层；在隧穿层背离硅片的一面上制备掺杂多晶硅层；其中，掺杂多晶硅层的厚度为50nm～100nm；在掺杂多晶硅层背离隧穿层的一面上沉积第一功能层；在第一功能层背离掺杂多晶硅层的一面上印刷浆料；其中，浆料包含IrO2‑PbO‑BeO体系玻璃的玻璃材料；烧结浆料形成第一金属电极；其中，第一金属电极穿透第一功能层后与掺杂多晶硅层形成欧姆接触；使用激光增强优化接触技术处理第一金属电极所在区域。上述浆料搭配激光增强优化接触技术，能够减少掺杂多晶硅层的破坏。
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公开(公告)号：CN117790621A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311742414.7
申请日：2023-12-15
申请人： 通威太阳能(眉山)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01B1/22 , H01L31/0216 , C03C12/00 , C03C8/24
摘要： 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法，包括以下步骤：在由内向外依次设有第一掺杂层、钝化层和第一减反射层的硅片表面印刷银浆；其中，银浆印刷于第一减反射层表面，银浆中铝的质量百分比低于0.3％，银浆的玻璃化转变温度为360℃～370℃；烧结银浆形成第一金属电极，使第一金属电极穿透第一减反射层和钝化层后与第一掺杂层欧姆接触；其中，烧结温度为650℃～720℃；使用激光增强接触优化工艺对表面进行处理，以在第一金属电极与第一掺杂层的接触界面处产生加热区域而形成金属‑半导体接触结构，金属‑半导体接触结构能够改善欧姆接触。
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公开(公告)号：CN117691000A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202410137405.3
申请日：2024-02-01
申请人： 通威太阳能(眉山)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法包括以下步骤：在硅基底的受光面上制备背离硅基底依次层叠的第一介质层、第一非晶硅层以及第一掩膜层；去除第一区域范围之外的第一掩膜层、第一非晶硅层和第一介质层；在硅基底的背光面制备背离硅基底依次层叠的第二介质层、第二非晶硅层以及第二掩膜层；对受光面进行单面刻蚀，以去除硅基底的受光面及边缘上的第二掩膜层的绕镀层，在第二掩膜层的绕镀层被去除后，第一掩膜层被完全刻蚀前停止刻蚀；其中，背光面上的第二掩膜层和部分厚度的第一掩膜层被保留。后续去绕镀刻蚀时第一掩膜层保护了第一区域上的局部钝化接触结构。
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公开(公告)号：CN117673208A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202410137334.7
申请日：2024-02-01
申请人： 通威太阳能(眉山)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法，包括：形成第二导电类型的第一掺杂多晶硅层，第一掺杂多晶硅层背离第一介质层的一面形成第一玻璃层；在硅片的正面制备沿背离硅片的方向依次设置的第二介质层和第二本征硅层；对第二本征硅层进行掺杂并晶化，形成第一导电类型的第二掺杂多晶硅层，第二掺杂多晶硅层的表面形成第二玻璃层；制作图形化的第二玻璃层；去除图形化的第二玻璃层覆盖范围之外的第二掺杂多晶硅层和第二介质层，形成图形化的第二掺杂多晶硅层以及图形化的第二介质层。该太阳电池的制备方法去除正面poly膜层结构在背面的绕镀，同时不破坏背面poly膜层结构。
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公开(公告)号：CN117673207A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202410137295.0
申请日：2024-02-01
申请人： 通威太阳能(眉山)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法，包括：制作图形化的第二掩膜层；去除图形化的第二掩膜层的覆盖区域之外的第二掺杂多晶硅层，以形成图形化的第二掺杂多晶硅层；去除图形化的第二掺杂多晶硅层的覆盖区域之外的第二介质层，以形成图形化的第二介质层；去除第一掩膜层以及图形化的第二掩膜层。本申请实施例提供一种太阳电池的制备方法，该太阳电池的制备方法，能够实现制作受光面钝化接触结构，同时去除受光面poly结构在背光面上的绕镀，不破坏背光面poly结构。
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公开(公告)号：CN116913984A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311168836.8
申请日：2023-09-12
申请人： 通威太阳能(眉山)有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种电介质层及制备方法、太阳电池、光伏组件。本发明提供一种电介质层，用于太阳电池，电介质层包括氮氧化铝层且含氮量高于4 wt%且含氢量高于4 wt%。氮氧化铝具有高密度负电荷，减少短路电流密度的损失，而且能够实现场钝化，减少载流子的复合。氮氧化铝的生长性好，能够降低粗糙度，提高界面连续性，减少悬挂键。含氮量高于4 wt%，不仅能够提高折射率，提高减反射效果，增加对入射光的吸收，而且氮与氢成键后能够引入更多的氢元素，使氢元素含量保持在4 wt%以上，从而提供足够的氢原子实现化学钝化，饱和悬挂键，减少缺陷复合中心，降低界面缺陷密度。
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公开(公告)号：CN116846336A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310811413.7
申请日：2023-07-03
申请人： 通威太阳能(眉山)有限公司
摘要： 本申请提供一种探针结构、电池片测试装置及电池片分选方法。探针结构包括用于检测电池片的正面条形薄层电阻的正面探针模组和用于检测电池片的背面条形薄层电阻的背面探针模组。正面探针模组和背面探针模组沿第一方向间隔设置，形成用于组装电池片的组装空间。正面探针模组包括沿第二方向并排设置的第一正面探针组件和第二正面探针组件，第一正面探针组件和第二正面探针组件之间绝缘设置；背面探针模组包括沿第二方向并排设置的第一背面探针组件和第二背面探针组件，第一背面探针组件和第二背面探针组件之间绝缘设置。本申请提供的探针结构可以保证正面条形薄层电阻或背面条形薄层电阻相近的电池片制作在同一组件中，避免造成明暗片现象。
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公开(公告)号：CN111354637B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202010133589.8
申请日：2020-02-28
申请人： 通威太阳能(眉山)有限公司
IPC分类号： H01L21/311 , H01L31/18 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产制造技术领域，具体是一种氢氟酸循环利用洗石墨舟的方法，用于解决现有技术中在电池片的清洗过程中对氢氟酸浪费较大的问题。本发明包括以下步骤：步骤1：将使用过的旧氢氟酸收集并储存在废酸储存池中；步骤2：将废酸储存池中的旧氢氟酸抽入自配存放池中；步骤3：测量自配存放池中的旧氢氟酸浓度；步骤4：根据测量自配存放池中旧氢氟酸的浓度，向自配存放池中加入新氢氟酸或者清水，直到自配存放池中旧氢氟酸的浓度达到要求为止；步骤5：将自配存放池中的旧氢氟酸加入石墨舟清洗槽中，并将带返工片的花篮放入石墨舟清洗槽中浸泡。本发明中通过上述方法可以节省大量的氢氟酸。
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公开(公告)号：CN116313748A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310315614.8
申请日：2023-03-28
申请人： 通威太阳能(眉山)有限公司
发明人： 刘赖生
摘要： 本申请公开了一种多晶硅的去除方法和清洗液、去除系统，属于太阳电池制备技术领域；方法包括：获取附着有多晶硅的待处理件；对待处理件的多晶硅进行第一反应处理，以使多晶硅转变为氧化硅；对待处理件的氧化硅进行第二反应处理，以使氧化硅转变为可溶的硅化物；把可溶的硅化物进行溶解，完成去除；其中，第一反应处理的药剂有效成分包括O3和/或H2O2，第二反应处理的药剂有效成分包括HF；通过利用O3和/或H2O2来将待处理件的多晶硅进行反应，然后利用HF对转变后的氧化硅进行反应，最后对可溶的硅化物进行溶解，实现待处理件的多晶硅的腐蚀、溶解去除，避免在去除过程中引入N，进而解决了目前酸洗的废液含N的问题。
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