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公开(公告)号：CN100439318C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN02820321.6
申请日：2002-07-30
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 尤金·P·博登 , 甘尼什·凯拉萨姆 , 拉里·N·刘易斯 , 艾伯托·尼索利 , 约翰·Y·奥弗里 , 安杰尔·桑切斯冈萨雷斯 , 伊格内西奥·维克费尔南德斯
CPC classification number: B01J19/002 , B01J2219/00006 , B01J2219/00247 , B01J2219/00272 , C07C68/005 , C07C69/96
Abstract: 碳酸二烷基酯制备装置的下游部分的未曾预料的腐蚀已经得知来自氯甲酸烷基酯杂质，因为该杂质缓慢分解生成盐酸。一种改进的合成碳酸二烷基酯方法和装置，通过在该装置的耐腐蚀的上游部分物理除去或者化学分解氯甲酸烷基酯杂质，减少腐蚀。
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公开(公告)号：CN1568301A
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN02820321.6
申请日：2002-07-30
Applicant: 通用电气公司
Inventor： 尤金·P·博登 , 甘尼什·凯拉萨姆 , 拉里·N·刘易斯 , 艾伯托·尼索利 , 约翰·Y·奥弗里 , 安杰尔·桑切斯冈萨雷斯 , 伊格内西奥·维克费尔南德斯
CPC classification number: B01J19/002 , B01J2219/00006 , B01J2219/00247 , B01J2219/00272 , C07C68/005 , C07C69/96
Abstract: 碳酸二烷基酯制备装置的下游部分的未曾预料的腐蚀已经得知来自氯甲酸烷基酯杂质，因为该杂质缓慢分解生成盐酸。一种改进的合成碳酸二烷基酯方法和装置，通过在该装置的耐腐蚀的上游部分物理除去或者化学分解氯甲酸烷基酯杂质，减少腐蚀。
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