公开(公告)号：CN111883488A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010348048.7

申请日：2020-04-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 尹伟军 ,  阿尼尔·拉吉·达格尔 ,  拉维斯卡尔·纳丁帕利·拉朱

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开大体上涉及用于至少部分地封装半导体设备，导电部件和基板的绝缘系统(诸如半导体设备，母线等的绝缘系统)中的电泳沉积(EPD)技术的系统和方法。使用EPD处理形成的绝缘系统可以被设计成具有在远离绝缘系统的基板的方向上减小的介电常数。这可以改善绝缘技术，因为按介电常数顺序沉积的涂层可以改善绝缘系统对高温，高电场等的抵抗力。

公开(公告)号：CN111883488B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202010348048.7

申请日：2020-04-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 尹伟军 ,  阿尼尔·拉吉·达格尔 ,  拉维斯卡尔·纳丁帕利·拉朱

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开大体上涉及用于至少部分地封装半导体设备，导电部件和基板的绝缘系统(诸如半导体设备，母线等的绝缘系统)中的电泳沉积(EPD)技术的系统和方法。使用EPD处理形成的绝缘系统可以被设计成具有在远离绝缘系统的基板的方向上减小的介电常数。这可以改善绝缘技术，因为按介电常数顺序沉积的涂层可以改善绝缘系统对高温，高电场等的抵抗力。