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公开(公告)号：CN103681931B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201310388745.5
申请日：2013-08-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/073 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/02963 , H01L31/03925 , H01L31/073 , Y02E10/543
Abstract: 本发明公开一种光伏装置。所述光伏装置包括窗口层和半导体层，所述半导体层包括安置在窗口层上的半导体材料。所述半导体层包括第一区域和第二区域，所述第一区域安置在所述窗口层附近，而所述第二区域包括富含硫族元素的区域，其中所述第一区域和所述第二区域包括掺杂剂，并且所述第二区域中的掺杂剂的平均原子浓度大于所述第一区域中的掺杂剂的平均原子浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681931A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310388745.5
申请日：2013-08-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/073 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/02963 , H01L31/03925 , H01L31/073 , Y02E10/543
Abstract: 本发明公开一种光伏装置。所述光伏装置包括窗口层和半导体层，所述半导体层包括安置在窗口层上的半导体材料。所述半导体层包括第一区域和第二区域，所述第一区域安置在所述窗口层附近，而所述第二区域包括富含硫族元素的区域，其中所述第一区域和所述第二区域包括掺杂剂，并且所述第二区域中的掺杂剂的平均原子浓度大于所述第一区域中的掺杂剂的平均原子浓度。
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公开(公告)号：CN103681956B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201310388773.7
申请日：2013-08-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1828 , H01L21/02052 , H01L31/022425 , H01L31/03925 , H01L31/073 , Y02E10/50 , Y02E10/543
Abstract: 本发明提供一种用于处理包括半导体材料的半导体层的方法。所述方法包括使所述半导体材料的至少一部分与钝化剂接触。所述方法进一步包括通过将掺杂剂引入所述半导体材料中而在所述半导体层中形成第一区域；以及形成富含硫族元素的区域。所述方法进一步包括在所述半导体层中形成第二区域，所述第二区域包括掺杂剂，其中所述第二区域中掺杂剂的平均原子浓度大于所述第一区域中掺杂剂的平均原子浓度。
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公开(公告)号：CN103946987B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201280058021.8
申请日：2012-09-26
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0296 , H01L31/073
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/02963 , H01L31/073 , H01L31/1836 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的一个方面包括一种制造光伏装置的方法。所述方法包括将吸收剂层(130)布置在窗层(120)上。所述方法还包括用包括第一金属盐的第一溶液处理吸收剂层的至少一部分以形成第一组件(142)，其中所述第一金属盐包含选自锰、钴、铬、锌、铟、钨、钼和它们的组合的第一金属。所述方法还包括用氯化镉处理第一组件的至少一部分以形成第二组件(150)。所述方法还包括用包括第二金属盐的第二溶液处理第二组件的至少一部分以在所述第二组件(160)上形成界面层，其中所述第二金属盐包含选自锰、钴、镍、锌和它们的组合的第二金属。
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公开(公告)号：CN103946987A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201280058021.8
申请日：2012-09-26
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/0296 , H01L31/073
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/022425 , H01L31/02963 , H01L31/073 , H01L31/1836 , Y02E10/543 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的一个方面包括一种制造光伏装置的方法。所述方法包括将吸收剂层(130)布置在窗层(120)上。所述方法还包括用包括第一金属盐的第一溶液处理吸收剂层的至少一部分以形成第一组件(142)，其中所述第一金属盐包含选自锰、钴、铬、锌、铟、钨、钼和它们的组合的第一金属。所述方法还包括用氯化镉处理第一组件的至少一部分以形成第二组件(150)。所述方法还包括用包括第二金属盐的第二溶液处理第二组件的至少一部分以在所述第二组件(160)上形成界面层，其中所述第二金属盐包含选自锰、钴、镍、锌和它们的组合的第二金属。
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公开(公告)号：CN103681956A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310388773.7
申请日：2013-08-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1828 , H01L21/02052 , H01L31/022425 , H01L31/03925 , H01L31/073 , Y02E10/50 , Y02E10/543 , H01L21/385
Abstract: 本发明提供一种用于处理包括半导体材料的半导体层的方法。所述方法包括使所述半导体材料的至少一部分与钝化剂接触。所述方法进一步包括通过将掺杂剂引入所述半导体材料中而在所述半导体层中形成第一区域；以及形成富含硫族元素的区域。所述方法进一步包括在所述半导体层中形成第二区域，所述第二区域包括掺杂剂，其中所述第二区域中掺杂剂的平均原子浓度大于所述第一区域中掺杂剂的平均原子浓度。
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