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公开(公告)号：CN103681956B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201310388773.7
申请日：2013-08-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1828 , H01L21/02052 , H01L31/022425 , H01L31/03925 , H01L31/073 , Y02E10/50 , Y02E10/543
Abstract: 本发明提供一种用于处理包括半导体材料的半导体层的方法。所述方法包括使所述半导体材料的至少一部分与钝化剂接触。所述方法进一步包括通过将掺杂剂引入所述半导体材料中而在所述半导体层中形成第一区域；以及形成富含硫族元素的区域。所述方法进一步包括在所述半导体层中形成第二区域，所述第二区域包括掺杂剂，其中所述第二区域中掺杂剂的平均原子浓度大于所述第一区域中掺杂剂的平均原子浓度。
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公开(公告)号：CN103681956A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310388773.7
申请日：2013-08-30
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1828 , H01L21/02052 , H01L31/022425 , H01L31/03925 , H01L31/073 , Y02E10/50 , Y02E10/543 , H01L21/385
Abstract: 本发明提供一种用于处理包括半导体材料的半导体层的方法。所述方法包括使所述半导体材料的至少一部分与钝化剂接触。所述方法进一步包括通过将掺杂剂引入所述半导体材料中而在所述半导体层中形成第一区域；以及形成富含硫族元素的区域。所述方法进一步包括在所述半导体层中形成第二区域，所述第二区域包括掺杂剂，其中所述第二区域中掺杂剂的平均原子浓度大于所述第一区域中掺杂剂的平均原子浓度。
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